公开(公告)号：CN112885903A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202011353442.6

申请日：2020-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王鸿森 ,  蔡昀达 ,  柳瑞兴 ,  黄士芬 ,  刘和昌

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L27/088

Abstract: 本发明实施例涉及高压装置。根据本发明的一些实施例，一种高压装置包含：衬底；至少一第一隔离件，其在所述衬底中；第一阱区；框架状栅极结构，其在所述第一阱区上方且覆盖所述第一隔离件的一部分；漏极区，其在所述第一阱区中且通过所述第一隔离件而与所述框架状栅极结构分离；及源极区，其通过所述第一隔离件及所述框架状栅极结构而与所述漏极区分离。所述第一阱区、所述漏极区及所述源极区包含第一导电类型，且所述衬底包含第二导电类型。所述第一导电类型及所述第二导电类型彼此互补。

公开(公告)号：CN106898646A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201610765851.4

申请日：2016-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 约根德拉·亚达夫 ,  陈吉智 ,  柳瑞兴 ,  姚智文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L27/0733 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/512 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、源极区、漏极区、场板和栅电极。源极区具有第一导电类型，并且位于衬底内的第一侧。漏极区具有第一导电类型，并且位于与衬底内的第一侧相对的第二侧。场板位于场板上方且介于源极区和漏极区之间。栅电极的一部分位于场板的上方。

公开(公告)号：CN103367461B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201210559082.4

申请日：2012-12-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  朱馥钰 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H02M3/10

CPC classification number: H01L29/6625 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0607 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/735 ,  H01L29/861 ,  H02M3/156

Abstract: 本发明公开了三阱隔离二极管及其制造方法，其中，三阱隔离二极管包括具有第一导电类型的衬底以及形成在衬底中的隐埋层，隐埋层具有第二导电类型。三阱隔离二极管包括形成在衬底和隐埋层上方的外延层，外延层具有第一导电类型。三阱隔离二极管包括：第一阱，形成在外延层中，第一阱具有第二导电类型；第二阱，形成在外延层中，第二阱具有第一导电类型并围绕第一阱；第三阱，形成在外延层中，第三阱具有第二导电类型并围绕第二阱。三阱隔离二极管包括形成在外延层中的深阱，深阱具有第一导电类型并延伸到第一阱的下方。

公开(公告)号：CN103928514A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201310084295.0

申请日：2013-03-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 朱馥钰 ,  郑志昌 ,  林东阳 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/266 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7801 ,  H01L29/66045

Abstract: 提供一种功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)及其形成方法。功率MOSFET可以包括第一漂移区，形成在栅电极一侧处；和第二漂移区，位于栅电极下方、邻近第一漂移区以及深度小于第一漂移区的深度，使得第一漂移区和第二漂移区一起形成阶梯状。第二漂移区的深度、栅极电介质的深度以及栅电极的深度的总和可以具有与第一漂移区的深度基本相同的值。使用栅电极作为注入掩模的一部分，可以同时形成第一漂移区和第二漂移区。

公开(公告)号：CN103545356A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201210533480.9

申请日：2012-12-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 伍震威 ,  周学良 ,  苏柏智 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823456 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66477

Abstract: 本发明涉及一种具有相对较低电阻的混成栅电极的功率MOSFET器件使得能够具有好的开关性能。在一些实施方式中，功率MOSFET器件具有半导体基体。外延层设置在半导体基体上。控制源电极和漏电极之间的电子流动的混成栅电极设置在延伸进外延层的沟槽内。混成栅电极具有内部区域和外部区域，其中内部区域具有低阻金属和外部区域具有多晶硅材料的；以及设置在内部区域和外部区域之间的势垒区。内部区域的低电阻为混成栅电极提供能够使功率MOSFET器件具有好的开关性能的低电阻。本发明还公开了一种新型金属/多晶硅栅极沟槽功率MOSFET。

公开(公告)号：CN103311295A

公开(公告)日：2013-09-18

申请号：CN201210560992.4

申请日：2012-12-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑志昌 ,  朱馥钰 ,  柳瑞兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/7809 ,  H01L21/265 ,  H01L21/2815 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827

Abstract: 一种产品，包括：掺杂层、掺杂层上方的主体结构、掺杂层中限定的沟槽、部分填充沟槽的绝缘体、以及埋置在绝缘体中并且通过绝缘体与掺杂层和主体结构隔离的第一导电部件。掺杂层具有第一掺杂类型。主体结构具有上表面，并且包括体区。体区具有不同于第一掺杂类型的第二掺杂类型。沟槽具有底面。第一导电部件从与主体结构的上表面基本平齐的位置朝向沟槽的底面延伸。第一导电部件与掺杂层重叠一段重叠距离，并且重叠距离在0到2μm的范围内。本发明还提供了晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：CN103208522A

公开(公告)日：2013-07-17

申请号：CN201210199469.3

申请日：2012-06-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 伍震威 ,  柳瑞兴 ,  蔡军 ,  周学良 ,  陈吉智

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368

Abstract: 一种具有伪栅极的LDMOS晶体管包括：形成在衬底的上方的延伸漂移区；形成在延伸漂移区中的漏极区；形成在延伸漂移区中的沟道区；形成在沟道区中的源极区及形成在延伸漂移区的上方的介电层。具有伪栅极的LDMOS晶体管还包括：形成在沟道区的上方的有源栅极及形成在延伸漂移区的上方的伪栅极。伪栅极有利于减少LDMOS晶体管的栅极电荷同时维持LDMOS晶体管的击穿电压。本发明还提供具有伪栅极的横向DMSO器件。

公开(公告)号：CN102082174B

公开(公告)日：2013-02-13

申请号：CN201010299853.1

申请日：2010-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 姚智文 ,  潘善仁 ,  柳瑞兴 ,  周学良 ,  蒋柏煜 ,  陈吉智 ,  段孝勤

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7816 ,  H01L29/086 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66689

Abstract: 本发明揭露具有栅极接口结构的高电压装置及用以形成高电压装置的方法，高电压装置包含基板、栅极接口结构、栅极、金属层以及至少一源/漏极区间。其中，栅极接口结构位于基板上方且具有第一部分与第二部分。第一部分具有第一厚度，且位于基板中第一掺杂型的第一井区间上。第二部分具有第二厚度，且位于第二掺杂型的一第二井区间上。第一厚度大于第二厚度。栅极设置于栅极介电结构上。金属层设置于栅极上且与栅极耦接，金属层沿着该栅极介电结构下方的通道的方向延伸。源/漏极区间设置于第一掺杂型的第一井区间中。

公开(公告)号：CN102915997A

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN201110366213.2

申请日：2011-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏如意 ,  杨富智 ,  蔡俊琳 ,  郑志昌 ,  柳瑞兴

IPC: H01L23/522 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L29/0646 ,  H01L23/535 ,  H01L27/0802 ,  H01L28/20 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/36 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/8611

Abstract: 本发明提供了一种高电压半导体器件。该高电压半导体器件包括衬底，该衬底包括在其中设置的掺杂阱。掺杂阱和衬底具有相反的掺杂极性。高电压半导体器件包括在掺杂阱上方设置的绝缘器件。高电压半导体器件包括在绝缘器件上方设置的伸长的电阻器。该电阻器的非远端部分连接至掺杂阱。高电压半导体器件包括邻近电阻器设置的高电压结终端(HVJT)器件。本发明提供一种具有高电压结终端的高电压电阻器。

公开(公告)号：CN102769014A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201110412650.3

申请日：2011-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏如意 ,  杨富智 ,  蔡俊琳 ,  郑志昌 ,  柳瑞兴

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L28/20 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0802

Abstract: 本发明提供了一种具有偏置阱的高压电阻器。该器件包括位于衬底中的掺杂阱，该掺杂阱与该衬底的掺杂极性相反。半导体器件包括位于掺杂阱上的介电结构。掺杂阱邻近所述介电结构的部分的掺杂浓度高于所述掺杂阱的其余部分。半导体器件包括位于介电结构上的伸长的多晶硅结构。所述伸长的多晶硅结构具有长度L。掺杂阱邻近介电结构的部分电连接到伸长的多晶硅结构的部分，该伸长的多晶硅结构的部分与伸长的多晶硅结构的中点相距预定距离，该预定距离沿着伸长的多晶硅结构测量出。该预定距离处于大约0*L到大约0.1*L的范围内。