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公开(公告)号：CN103137618B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210448360.9
申请日：2012-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 亚历克斯·卡尔尼茨基 , 姚智文 , 蔡军 , 柳瑞兴 , 段孝勤
CPC classification number: H01L21/76237 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L21/76216 , H01L21/823456 , H01L21/823481 , H01L21/82385 , H01L21/823878 , H01L27/0921 , H01L29/1087
Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底；位于衬底中的第一功率器件和第二功率器件；位于第一和第二功率器件之间的至少一个隔离部件；以及位于衬底中的邻接至少一个隔离部件的俘获部件。本发明提供了局部载流子寿命减少的结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103208522A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201210199469.3
申请日：2012-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0649 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/42368
Abstract: 一种具有伪栅极的LDMOS晶体管包括：形成在衬底的上方的延伸漂移区；形成在延伸漂移区中的漏极区；形成在延伸漂移区中的沟道区；形成在沟道区中的源极区及形成在延伸漂移区的上方的介电层。具有伪栅极的LDMOS晶体管还包括：形成在沟道区的上方的有源栅极及形成在延伸漂移区的上方的伪栅极。伪栅极有利于减少LDMOS晶体管的栅极电荷同时维持LDMOS晶体管的击穿电压。本发明还提供具有伪栅极的横向DMSO器件。
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公开(公告)号：CN103208522B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210199469.3
申请日：2012-06-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/10 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7816 , H01L29/0649 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/42368
Abstract: 一种具有伪栅极的LDMOS晶体管包括：形成在衬底的上方的延伸漂移区；形成在延伸漂移区中的漏极区；形成在延伸漂移区中的沟道区；形成在沟道区中的源极区及形成在延伸漂移区的上方的介电层。具有伪栅极的LDMOS晶体管还包括：形成在沟道区的上方的有源栅极及形成在延伸漂移区的上方的伪栅极。伪栅极有利于减少LDMOS晶体管的栅极电荷同时维持LDMOS晶体管的击穿电压。本发明还提供具有伪栅极的横向DMSO器件。
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公开(公告)号：CN103137618A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210448360.9
申请日：2012-11-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 亚历克斯·卡尔尼茨基 , 姚智文 , 蔡军 , 柳瑞兴 , 段孝勤
CPC classification number: H01L21/76237 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L21/76216 , H01L21/823456 , H01L21/823481 , H01L21/82385 , H01L21/823878 , H01L27/0921 , H01L29/1087
Abstract: 一种半导体结构，包括：衬底；位于衬底中的第一功率器件和第二功率器件；位于第一和第二功率器件之间的至少一个隔离部件；以及位于衬底中的邻接至少一个隔离部件的俘获部件。本发明提供了局部载流子寿命减少的结构及其形成方法。
