Patent search ap:("台湾积体电路制造股份有限公司") AND inv:"蔡昀达" Page 1

1.

发明公开
高压装置审中-实审

公开(公告)号：CN112885903A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202011353442.6

申请日：2020-11-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王鸿森 , 蔡昀达 , 柳瑞兴 , 黄士芬 , 刘和昌

IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L27/088

Abstract: 本发明实施例涉及高压装置。根据本发明的一些实施例，一种高压装置包含：衬底；至少一第一隔离件，其在所述衬底中；第一阱区；框架状栅极结构，其在所述第一阱区上方且覆盖所述第一隔离件的一部分；漏极区，其在所述第一阱区中且通过所述第一隔离件而与所述框架状栅极结构分离；及源极区，其通过所述第一隔离件及所述框架状栅极结构而与所述漏极区分离。所述第一阱区、所述漏极区及所述源极区包含第一导电类型，且所述衬底包含第二导电类型。所述第一导电类型及所述第二导电类型彼此互补。

Patent Agency Ranking