公开(公告)号：CN113594251A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110852948.X

申请日：2016-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 约根德拉·亚达夫 ,  陈吉智 ,  柳瑞兴 ,  姚智文

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明实施例提供了一种功率MOSFET器件及其制造方法。该功率MOSFET器件包括：衬底；场板，位于衬底上方；栅电极，具有第一部分和第二部分，其中，栅电极的第一部分位于场板上方；第一介电层，位于栅电极的第一部分与场板之间；第二介电层，位于场板和衬底之间，其中，第二介电层由同种材料形成；第一间隔件，横向围绕第一介电层；第二间隔件，位于衬底上，与第二介电层的侧壁和第一间隔件的侧壁接触且与场板分隔，并且第二间隔件的部分与位于衬底的功率MOSFET器件的漏极区重叠；以及硅化物，形成在栅电极的顶面上且完全覆盖栅电极。

公开(公告)号：CN106898646A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201610765851.4

申请日：2016-08-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 约根德拉·亚达夫 ,  陈吉智 ,  柳瑞兴 ,  姚智文

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7823 ,  H01L27/0733 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/512 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明实施例提供了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底、源极区、漏极区、场板和栅电极。源极区具有第一导电类型，并且位于衬底内的第一侧。漏极区具有第一导电类型，并且位于与衬底内的第一侧相对的第二侧。场板位于场板上方且介于源极区和漏极区之间。栅电极的一部分位于场板的上方。