知搜-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

56 条记录 (耗时 0.019 秒)

    用于通过基部激励进行微悬臂致动的系统和方法
    1.
    发明公开
    用于通过基部激励进行微悬臂致动的系统和方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN108349723A

    公开(公告)日：2018-07-31

    申请号：CN201680052943.6

    申请日：2016-07-13

    申请人： 勇愿公司

    发明人： C.门安 ,  M.科梅里

    IPC分类号： B81B3/00 ,  B81B7/02

    CPC分类号： B81B3/0024 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/031 ,  B81B2203/053 ,  F03G7/065 ,  H01H2061/006

    摘要： 公开了用于微悬臂的中等高度振动的基部激励的系统和方法。微悬臂可以被耦合到邻近其基部的一个或多个致动器。致动器可以包括块状材料、桥或成形的电线，由于例如电热加热效应或压电效应，他们通过施加电流而膨胀和收缩。单个致动器或致动器阵列可以被放置在微悬臂周围以使其振荡并施加致动脉冲。系统和方法以及几何参数的调整可以被执行以产生系统中的标称固有频率。利用对应于固有频率的信号的致动器的激励可以在系统中诱发共振并且可能导致微悬臂的悬臂尖端的高幅度振动和位移。致动器的各种架构可以被实现以刺激梁的不同频率并且诱发不同方向和幅度的位移。

    具有双向垂直激励的集成结构
    2.
    发明授权
    具有双向垂直激励的集成结构 有权

    公开(公告)号：CN104051456B

    公开(公告)日：2016-06-29

    申请号：CN201410094159.4

    申请日：2014-03-14

    申请人： 应美盛股份有限公司

    发明人： M.J.丹曼 ,  M.林 ,  洪立玟 ,  S.罗伊德

    IPC分类号： H01L27/04 ,  B81B7/02

    CPC分类号： H01L27/1203 ,  B81B3/0056 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/053

    摘要： 本发明涉及具有双向垂直激励的集成结构。一种微机电系统（MEMS）器件包括具有第一表面和第二表面的第一衬底，所述第一衬底包括基底层、被布置在所述基底层上的可移动梁、至少一个金属层、以及被布置在所述基底层上的一个或多个支座，使得一个或多个金属层位于所述一个或多个支座的顶表面上。所述MEMS器件还包括第二衬底，所述第二衬底包括被接合到所述一个或多个支座的一个或多个金属层，导致形成在所述第二衬底的所述一个或多个金属层的至少一部分与底表面上的至少一个电极和顶表面上的至少一个电极中的一个或多个之间的电连接。

    在子像素之间具有开口的显示装置及其制造方法
    3.
    发明公开
    在子像素之间具有开口的显示装置及其制造方法 失效 转让

    公开(公告)号：CN102361814A

    公开(公告)日：2012-02-22

    申请号：CN201080013628.5

    申请日：2010-03-19

    申请人： 高通MEMS科技公司

    发明人： 陶诣 ,  钟帆 ,  马克·M·米尼亚尔

    IPC分类号： B81B3/00 ,  G02B26/00

    CPC分类号： G02B26/001 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/053 ,  B81B2207/053

    摘要： 一种机电系统装置包括安置于衬底上的多个支撑件及安置于所述多个支撑件上的可变形反射层。所述可变形反射层包括沿第一方向延伸的多个实质上平行的列。每一列具有沿大体上垂直于所述第一方向的第二方向延伸的一个或一个以上狭槽。可在所述列的子部分的边界边缘处产生所述狭槽以便按机械方式部分地分开所述子部分而不会使其在电断开。一种制造机电装置的方法包括：在衬底上沉积导电可变形反射层；移除所述可变形层的一个或一个以上部分以形成多个电隔离列；及在所述列中的至少一者中形成至少一个横向狭槽。

    加速度传感器
    7.
    发明公开
    加速度传感器 无效

    公开(公告)号：CN1409118A

    公开(公告)日：2003-04-09

    申请号：CN02143502.2

    申请日：2002-09-26

    申请人： 日立金属株式会社

    发明人： 斎藤正勝 ,  田中茂德 ,  池田由夫

    IPC分类号： G01P15/12

    CPC分类号： G01P15/18 ,  B81B3/0078 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/053 ,  B81B2203/058 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/123 ,  G01P2015/084 ,  G01P2015/0842

    摘要： 本发明提供了一种超小型和薄的半导体加速度传感器，具有高的灵敏度。加速度传感器具有一质量部分形成在硅半导体衬底的中心部分，一框架形成衬底的周边部分，薄的弹性支撑臂，位于质量部分和框架的上部并连接质量部分和框架，许多对压敏电阻分布在弹性支撑臂的上表面侧。在质量部分中形成了许多凹进部分，它们从它的边缘向它的中心凹进。每个弹性支撑臂在每个凹进部分的底部与质量部分的上表面连接，弹性支撑臂的各侧与凹进部分的各侧隔离。由于质量部分的体积和弹性支撑臂的长度能够独立地做大，灵敏度能够做得更大。