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公开(公告)号：CN102256893B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN200980147111.2
申请日：2009-11-06
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 查尔斯·戈登·史密斯 , 理查德·L·奈普 , 维克拉姆·乔希 , 罗伯托·加迪 , 阿纳特兹·乌纳穆诺 , 罗伯图斯·彼得勒斯·范坎彭
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/04 , B81B2201/0221 , B81B2201/0235 , B81B2207/053 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P15/135 , H01G5/18 , H01G5/40
Abstract: 本申请公开的多个实施例主要包括利用大量的小MEMS器件来替换单独的较大MEMS器件或数字可变电容器的功能。大量较小的MEMS器件执行与较大的器件相同的功能，但是由于其尺寸较小，因此能够利用互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容工艺将这些较小的MEMS器件封装在空腔中。对大量较小的器件进行平均的信号使得较小器件的阵列的精度相当于该较大的器件的精度。通过考虑使用基于MEMS的加速度开关阵列来举例说明该过程，其中该开关阵列具有集成的惯性响应的模数转换。还通过考虑利用基于MEMS的器件结构来举例说明该过程，其中该MEMS器件并联地工作以作为数字可变电容器。
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公开(公告)号：CN102361814A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080013628.5
申请日：2010-03-19
Applicant: 高通MEMS科技公司
CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/0086 , B81B2201/047 , B81B2203/053 , B81B2207/053
Abstract: 一种机电系统装置包括安置于衬底上的多个支撑件及安置于所述多个支撑件上的可变形反射层。所述可变形反射层包括沿第一方向延伸的多个实质上平行的列。每一列具有沿大体上垂直于所述第一方向的第二方向延伸的一个或一个以上狭槽。可在所述列的子部分的边界边缘处产生所述狭槽以便按机械方式部分地分开所述子部分而不会使其在电断开。一种制造机电装置的方法包括：在衬底上沉积导电可变形反射层；移除所述可变形层的一个或一个以上部分以形成多个电隔离列；及在所述列中的至少一者中形成至少一个横向狭槽。
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公开(公告)号：CN102809815B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201210182636.3
申请日：2012-06-01
Applicant: 皮克斯特隆尼斯有限公司
CPC classification number: G02B26/02 , B81B3/0016 , B81B7/0029 , B81B2201/047 , B81B2203/06 , B81B2207/053 , B81C1/00 , B81C3/008 , G02B26/023 , G02B26/0841 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明以当注入使配置有机械式光闸的容器充满的油时，减少对光闸造成的损伤为目的。本发明的显示装置具有：具有断缝(46)且将空间包围的密封材料(44)；将密封材料(44)的断缝(46)封堵而形成密封空间的端部密封材料(50)；将密封空间装满的油(52)；保持一对光透过性基板(10、12)的间隔的间隔体(54)；光闸(14)；用于机械性地驱动光闸(14)且配置在油(52)内的驱动部(38)；和在一对光透过性基板(10、12)的相对的面的至少一方上形成的壁部(60)。壁部(60)具有配置在将密封材料(44)的断缝(46)和显示区域(48)之间的最短路径遮断的位置上的部分，并由构成间隔体(54)、光闸(14)以及驱动部(38)的材料形成。
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公开(公告)号：CN102712461A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201080051006.1
申请日：2010-09-21
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: B81B3/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81B2207/053 , B81C2201/0167
Abstract: 提供了一种非易失性纳米机电系统器件，包括：悬臂结构，该悬臂结构包括具有初始形状的横梁，该横梁在其一端处由支撑底座支撑；以及横梁偏转器，该横梁偏转器包括相变材料(PCM)，该PCM在与横梁的材料无滑动的状况下布置在横梁的一部分上，该PCM采用非晶相或结晶相之一，并且当采用该结晶相时，使横梁从初始形状偏转。
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公开(公告)号：CN102256893A
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200980147111.2
申请日：2009-11-06
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 查尔斯·戈登·史密斯 , 理查德·L·奈普 , 维克拉姆·乔希 , 罗伯托·加迪 , 阿纳特兹·乌纳穆诺 , 罗伯图斯·彼得勒斯·范坎彭
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B7/04 , B81B2201/0221 , B81B2201/0235 , B81B2207/053 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P15/135 , H01G5/18 , H01G5/40
Abstract: 本申请公开的多个实施例主要包括利用大量的小MEMS器件来替换单独的较大MEMS器件或数字可变电容器的功能。大量较小的MEMS器件执行与较大的器件相同的功能，但是由于其尺寸较小，因此能够利用互补金属氧化物半导体(CMOS)兼容工艺将这些较小的MEMS器件封装在空腔中。对大量较小的器件进行平均的信号使得较小器件的阵列的精度相当于该较大的器件的精度。通过考虑使用基于MEMS的加速度开关阵列来举例说明该过程，其中该开关阵列具有集成的惯性响应的模数转换。还通过考虑利用基于MEMS的器件结构来举例说明该过程，其中该MEMS器件并联地工作以作为数字可变电容器。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101628705A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910159812.X
申请日：2009-07-10
Applicant: 欧姆龙株式会社
CPC classification number: B81C1/0023 , B81B2207/053 , B81C1/00238 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/50 , H01L21/76251 , H01L23/10 , H01L24/13 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L2224/13009 , H01L2224/13144 , H01L2224/45124 , H01L2224/81192 , H01L2224/94 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01088 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2224/81 , H01L2924/00 , H01L2224/48 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明涉及基板接合方法和电子部件。本发明提供一种晶片级接合方法，该方法能够利用较低温的工艺形成平滑的SiO 2 膜，并能够通过平滑的SiO 2 膜使晶片之间可靠地接合起来。利用以TEOS为原材料的等离子体CVD法，在晶片(11)的接合面上形成绝缘密封部(13)。在晶片(21)的电极(23)上设置Au突起电极(26)。将晶片(11)、(21)纵向集成，使晶片(21)的Au突起电极(26)与晶片(11)的电极(14)压接以使电极(23)、(14)之间电连接，同时将绝缘密封部(13)常温接合在晶片(21)的接合面上，从而形成一体。
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公开(公告)号：CN108882517A
公开(公告)日：2018-11-23
申请号：CN201810447707.5
申请日：2018-05-11
Applicant: 美国西门子医疗解决公司
IPC: H05K1/11
CPC classification number: B81B7/0074 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2207/053 , B81B2207/07 , B81C1/00238
Abstract: 对于多维换能器阵列（30）互连，具有电子器件（16）的电路板（12）被堆叠以形成用于与阵列（30）连接的表面（24）。用于与换能器阵列（30）连接的电路板（12）的表面（24）被金属化（94）和切割（96）。通过金属化（94）所述表面（24）然后切割（96）所述表面（24）来形成更大的接触焊盘（15），而不是依靠小的暴露迹线（14）。这形成用于与多维换能器阵列（30）的元件的z轴或其它连接器连接的接触焊盘（15）的阵列。
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公开(公告)号：CN105371878A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201510890382.4
申请日：2015-12-04
Applicant: 歌尔声学股份有限公司
IPC: G01D5/241
CPC classification number: G01D5/2417 , B81B2201/0214 , B81B2201/0221 , B81B2201/0264 , B81B2201/0278 , B81B2207/053 , B81C1/00182 , B81C1/00214 , G01K7/34 , G01L9/0045 , G01L9/0047 , G01L9/0073
Abstract: 本发明公开了一种环境传感器及其制造方法，包括基材，在所述基材的上端设有至少一个凹槽，还包括位于基材上方的敏感膜层，所述敏感膜层包括固定在基材端面上的固定部，以及伸入至凹槽内的弯曲部，所述弯曲部与凹槽的侧壁构成了用于检测信号的电容器；其中，所述弯曲部、固定部与凹槽形成了密闭的容腔。本发明的环境传感器，将传统设置在基材表面的电容器结构，改为垂直伸入基材内部的电容器结构，加大凹槽的深度即可增大电容器两个极板之间的感测面积，由此可大大缩小电容器在基材上的覆盖面积，满足了现代电子器件的轻薄化发展。
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公开(公告)号：CN102361814B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201080013628.5
申请日：2010-03-19
Applicant: 高通MEMS科技公司
CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/0086 , B81B2201/047 , B81B2203/053 , B81B2207/053
Abstract: 一种机电系统装置包括安置于衬底上的多个支撑件及安置于所述多个支撑件上的可变形反射层。所述可变形反射层包括沿第一方向延伸的多个实质上平行的列。每一列具有沿大体上垂直于所述第一方向的第二方向延伸的一个或一个以上狭槽。可在所述列的子部分的边界边缘处产生所述狭槽以便按机械方式部分地分开所述子部分而不会使其在电断开。一种制造机电装置的方法包括：在衬底上沉积导电可变形反射层；移除所述可变形层的一个或一个以上部分以形成多个电隔离列；及在所述列中的至少一者中形成至少一个横向狭槽。
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公开(公告)号：CN102809815A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210182636.3
申请日：2012-06-01
Applicant: 株式会社日本显示器东
CPC classification number: G02B26/02 , B81B3/0016 , B81B7/0029 , B81B2201/047 , B81B2203/06 , B81B2207/053 , B81C1/00 , B81C3/008 , G02B26/023 , G02B26/0841 , Y10T29/49117
Abstract: 本发明以当注入使配置有机械式光闸的容器充满的油时，减少对光闸造成的损伤为目的。本发明的显示装置具有：具有断缝(46)且将空间包围的密封材料(44)；将密封材料(44)的断缝(46)封堵而形成密封空间的端部密封材料(50)；将密封空间装满的油(52)；保持一对光透过性基板(10、12)的间隔的间隔体(54)；光闸(14)；用于机械性地驱动光闸(14)且配置在油(52)内的驱动部(38)；和在一对光透过性基板(10、12)的相对的面的至少一方上形成的壁部(60)。壁部(60)具有配置在将密封材料(44)的断缝(46)和显示区域(48)之间的最短路径遮断的位置上的部分，并由构成间隔体(54)、光闸(14)以及驱动部(38)的材料形成。
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