公开(公告)号：CN103732528A

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN201280038717.4

申请日：2012-08-03

Applicant: 卡文迪什动力有限公司

Inventor： 布莱恩·I·特洛伊 ,  迈克·雷诺 ,  托马斯·L·麦圭尔 ,  约瑟夫·达米安·戈登·拉西 ,  詹姆斯·F·波比亚

IPC: B81C1/00 ,  H01H1/00

CPC classification number: B81C1/00484 ,  B81B3/0008 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81C2201/0108 ,  H01H1/0036 ,  H01H2001/0089

Abstract: 本发明通常涉及一种来自附着力促进剂材料的硅残留物从空腔底部减少或甚至消除的MEMS装置。附着力促进剂典型地用于将牺牲材料粘附到衬底上的材料。然后，将附着力促进剂与牺牲材料层一起移除。然而，在移除时附着力促进剂在空腔内留下基于硅的残留物。本发明人发现可以在沉积牺牲材料之前将附着力促进剂从空腔区域移除。残留在衬底的剩余部分上的附着力促进剂足以将牺牲材料粘附到衬底，而不用担心牺牲层脱层。因为在装置的空腔区域中不使用附着力促进剂，所以在解放MEMS装置的开关元件之后在空腔内不会存在硅残留物。

公开(公告)号：CN103518248A

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：CN201280016575.1

申请日：2012-03-20

Applicant: 德尔福芒斯公司

Inventor： 克里斯托夫·帕瓦若

IPC: H01H59/00 ,  H01P1/12

CPC classification number: H01P1/15 ,  B81B5/00 ,  B81B2201/018 ,  H01H1/0036 ,  H01H1/20 ,  H01H59/0009 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0084 ,  H01H2059/0072 ,  H01P1/127 ,  H01P3/003

Abstract: 一种RF MEMS交叉点式开关（1），包括第一传输线（10）和与第一传输线交叉的第二传输线（11）以及开关元件（12）；第一传输线（10）包括两个隔开的传输线部分（100、101），并且开关元件将所述两个隔开的传输线部分（100、101）永久电连接；第二传输线（11）在两个隔开的传输线部分（100、101）之间与第一传输线（10）交叉；该RF MEMS交叉点式开关（1）进一步包括用于至少在第一位置与第二位置之间致动开关元件（12）的致动装置（121），在第一位置中开关元件（12）将第一传输线（10）的所述两个隔开的传输线部分（100、101）电连接并且将第一传输线（10）与第二传输线（11）电断开，在第二位置中开关元件（12）将第一传输线（10）的所述两个隔开的传输线部分（100、101）电连接并且还将两个传输线（10、11）电连接在一起。

公开(公告)号：CN102782933A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201080064719.1

申请日：2010-12-09

Applicant: 欧姆龙株式会社

Inventor： 山本淳也 ,  成瀬浩司

IPC: H01P3/08 ,  H01H59/00 ,  H01P1/12

CPC classification number: H01P3/081 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0136 ,  H01H59/0009 ,  H01H2001/0078 ,  H01P1/127

Abstract: 本发明提供一种信号线路的构造、信号线路的制造方法及使用了该信号线路的开关。在基体（22）的上面形成下绝缘层（23）。在下绝缘层（23）的上面，以至少一部分沿要进行信号传输的路径的方式设置半导体层（24）。在半导体（24）的上面，以至少一部分沿半导体（24）的方式设置上绝缘层（25）。在上绝缘层（25）的上面，以至少一部分沿上绝缘层（25）的方式进行条形导体（26）的配线。将该信号线路（21）岛状化，半导体层（24）及上绝缘层（25）具有与条形导体（26）大致相等的宽度。

公开(公告)号：CN101447369A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810240592.9

申请日：2008-12-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈兢 ,  舒琼

IPC: H01H49/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01H1/0036 ,  B81B2201/018 ,  B81C1/00547

Abstract: 本发明公开了一种基于金属钛的MEMS机械继电器的制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)微加工技术领域。该方法包括：对钛基底光刻图形化，刻蚀形成浅槽；选择热膨胀系数与金属钛匹配的玻璃，在玻璃的表面制备金属连线；将钛基底和玻璃基底进行阳极键合；对钛基底进行背面减薄，光刻图形化，并进行深刻蚀，穿通钛基底，形成MEMS机械继电器。本发明通过阳极键合、化学机械抛光和深刻蚀等工艺，在玻璃衬底上实现低成本、高精度、高深宽比的金属钛三维可动结构的加工，从而实现了基于金属钛的MEMS机械继电器。

公开(公告)号：CN1979714A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610146780.6

申请日：2006-11-24

Applicant: 富士通媒体部品株式会社 ,  富士通株式会社

Inventor： 米泽游 ,  三岛直之 ,  中谷忠司 ,  阮俊英 ,  上田知史

IPC: H01H59/00 ,  H01H3/38 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B3/0086 ,  B81B2201/018 ,  G02B6/3566 ,  G02B6/357 ,  G02B6/3584 ,  H01H59/0009 ,  H01H2059/0054

Abstract: 本发明公开了一种开关。该开关包括：多个扭转弹簧，每个扭转弹簧的一端都固定在基板上；梁部分，所述多个扭转弹簧的另一端都固定于其上，其通过静电致动器进行摆动；以及开关接触部分，其中设置在所述梁部分处的第一触点和固定于所述基板上的第二触点处于连接或断开状态。

公开(公告)号：CN103547335B

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201380000402.5

申请日：2013-03-20

Applicant: 华为终端有限公司

Inventor： 杨雄 ,  曹伯承 ,  王磊

IPC: H03K17/96 ,  H04B1/38

CPC classification number: B81B3/0072 ,  B81B3/001 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  H01G5/16 ,  H01H59/0009

Abstract: 本发明实施例提供一种电容式开关、信号收发装置及制造方法。该电容式开关包括：第一导电悬臂、第二导电悬臂、衬底以及设置在衬底上的共面波导，该共面波导包括用于传输电信号的第一导体和设置在第一导体两侧的作为地线的第二导体和第三导体，第一导体上设有绝缘介质层，绝缘介质层上设有导电层；第一导电悬臂通过第一固定端与第二导体连接，第二导电悬臂通过第二固定端与第三导体连接，当所述电容式开关通直流信号时，所述第一导电悬臂的第一悬空端与所述导电层接触，所述第二导电悬臂的第二悬空端与所述导电层接触。本实施例提供的电容式开关，通过采用悬臂的分离结构释放电容式开关中金属膜桥产生的应力，确保信号的传输质量。

公开(公告)号：CN105453408A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201480044811.X

申请日：2014-07-30

Applicant: 国立大学法人静冈大学 ,  欧姆龙株式会社 ,  株式会社鹭宫制作所

Inventor： 铃木雅人 ,  森昭登 ,  桥口原 ,  杉山达彦 ,  今本浩史 ,  大场正利 ,  三屋裕幸 ,  芦泽久幸 ,  石桥和德

IPC: H02N1/00

CPC classification number: H02N1/008 ,  B81B3/0054 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0292 ,  B81B2201/033 ,  B81B2201/036 ,  B81B2201/047 ,  B81B2203/0109 ,  B81B2203/0163 ,  B81B2203/051 ,  F16K31/02 ,  G02B26/02 ,  H01H59/00

Abstract: 驱动器具备：具备固定电极及可动电极的静电驱动机构；由静电驱动机构驱动的第一可动部；弹性支撑第一可动部的第一弹性支撑部；形成于固定电极及可动电极的至少一方的驻极体；以及控制向静电驱动机构的电压施加的驱动控制部。在驱动器上，在由驻极体引起的静电力与第一弹性支撑部的弹性力平衡的稳定位置或设于其附近的稳定位置设定多个对第一可动部进行定位的稳定状态。通过对静电驱动机构施加电压，能够使第一可动部从任意的稳定位置向其他稳定位置移动。

公开(公告)号：CN102674235A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210061957.8

申请日：2012-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤友博

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01G5/18 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126

Abstract: 本发明涉及MEMS及其制造方法。该MEMS包括：设置在基板上的第1电极；第1辅助构造体，与上述第1电极相邻地设置在上述基板上，处于电浮置状态；和第2电极，设置在上述第1电极和上述第1辅助构造体的上方，被向上述第1电极的方向驱动。

公开(公告)号：CN101447369B

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN200810240592.9

申请日：2008-12-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈兢 ,  舒琼

IPC: H01H49/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01H1/0036 ,  B81B2201/018 ,  B81C1/00547

Abstract: 本发明公开了一种基于金属钛的MEMS机械继电器的制备方法，属于微电子机械系统(MEMS)微加工技术领域。该方法包括：对钛基底光刻图形化，刻蚀形成浅槽；选择热膨胀系数与金属钛匹配的玻璃，在玻璃的表面制备金属连线；将钛基底和玻璃基底进行阳极键合；对钛基底进行背面减薄，光刻图形化，并进行深刻蚀，穿通钛基底，形成MEMS机械继电器。本发明通过阳极键合、化学机械抛光和深刻蚀等工艺，在玻璃衬底上实现低成本、高精度、高深宽比的金属钛三维可动结构的加工，从而实现了基于金属钛的MEMS机械继电器。

公开(公告)号：CN100474519C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN02826975.6

申请日：2002-11-08

Applicant: 图恩斯通系统公司 ,  维斯普瑞公司

Inventor： 肖恩·J·坎宁安 ,  斯韦特兰娜·塔蒂克-卢奇克

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/4763 ,  H01P1/10 ,  H01H57/00 ,  H02B1/00

CPC classification number: B81B3/0024 ,  B81B3/0051 ,  B81B2201/014 ,  B81B2201/018 ,  B81B2203/0118 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/0015 ,  B81C2201/0107 ,  B81C2201/0108 ,  B81C2201/0109 ,  H01H1/04 ,  H01H1/504 ,  H01H59/0009 ,  H01H61/04 ,  H01H2001/0042 ,  H01H2001/0063 ,  H01H2001/0089 ,  H01H2059/0072 ,  H01H2061/006 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/522 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/09701 ,  H02N1/006 ,  H02N10/00 ,  Y10T29/49222 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种用于制造三层横梁MEMS器件的方法，包括：在衬底上淀积牺牲层(310)，和移去牺牲层(310)上的第一导电层的一部分来形成第一导电微型结构(312)；在第一导电微型结构(312)、牺牲层(310)和衬底(300)上淀积结构层(322)，并且形成一个穿过结构层(322)到达第一导电微型结构(312)的通路；在结构层(322)上和通路中淀积第二导电层(336)；通过移去第二导电层(336)的一部分来形成第二导电微型结构(324)，其中第二导电微型结构(324)通过该通路与第一导电微型结构(312)电通信；并且移去足够量的牺牲层(310)以使第一导电微型结构(312)和该衬底分开，其中在第一端由衬底支撑结构层(322)且在相对的第二端在衬底的上方自由悬挂。