公开(公告)号：CN101122026A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710106500.3

申请日：2007-06-01

Applicant: 马林克罗特贝克公司

Inventor： 金相仁 ,  洪性辰

IPC: C23F1/32 ,  C23F1/40 ,  C30B33/10 ,  H01L21/306

CPC classification number: B81C1/00611 ,  B81C2201/0126 ,  C09K13/02 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/6675

Abstract: 高含水、强碱性平面化溶液和其用于减低或本质上消除从总体平面多晶硅膜表面向上伸展的突出或凸起的方法，所述多晶硅膜通过低温多晶硅(LTPS)工艺使沉积在基体上的非晶硅膜退火而制得，所述方法包括使总体平面的多晶硅膜表面与所述高含水、强碱性溶液接触达在总体平面多晶硅膜没有明显蚀刻的条件下足以选择性蚀刻从总体平面的多晶硅膜表面的突出或凸起，所述高含水、强碱性溶液是一种具有12或更高的pH值、且含有水、至少一种强碱、和至少一种蚀刻速率控制剂的溶液。

公开(公告)号：CN104364331A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380026727.0

申请日：2013-05-21

Applicant: 巴斯夫欧洲公司

Inventor： Y·李 ,  B·M·诺勒 ,  C·吉洛特 ,  D·弗朗茨

IPC: C09G1/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/306

CPC classification number: C09G1/02 ,  B81C2201/0121 ,  B81C2201/0123 ,  B81C2201/0126 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/461

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体装置的方法，其包括在化学机械抛光组合物(Q1)存在下对含至少一种III-V族材料的基材或层进行化学机械抛光，该组合物(Q1)包含：(A)无机颗粒、有机颗粒、或其混合物或复合物，(B)至少一种两性非离子表面活性剂，其具有(b1)至少一个疏水性基团；及(b2)至少一个选自聚氧化烯基团的亲水性基团，所述聚氧化烯基团包含(b22)除氧化乙烯单体单元以外的氧化烯单体单元；及(M)水性介质。

公开(公告)号：CN102674235A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210061957.8

申请日：2012-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤友博

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01G5/18 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126

Abstract: 本发明涉及MEMS及其制造方法。该MEMS包括：设置在基板上的第1电极；第1辅助构造体，与上述第1电极相邻地设置在上述基板上，处于电浮置状态；和第2电极，设置在上述第1电极和上述第1辅助构造体的上方，被向上述第1电极的方向驱动。

公开(公告)号：CN105939958A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201480072957.5

申请日：2014-11-20

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： T.卢茨 ,  F.霍伊克

IPC: B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133

Abstract: 本发明涉及一种用于微机械构件的制造方法，其至少包括以下步骤:借助于一个晶体定向无关的蚀刻步骤从衬底的至少一个结晶层(12)中形成微机械构件的至少一个部件的基础结构(10)，和借助于一个晶体定向相关的蚀刻步骤从该至少一个部件的基础结构(10)中蚀刻出一个限定的晶体平面(20)的至少一个面(18)，其中，该晶体定向相关的蚀刻步骤被实施，对于该晶体定向相关的蚀刻步骤，相应的限定的晶体平面(20)在全部的晶体平面中具有最低的蚀刻速率，在基础结构(10)上被蚀刻出的所述至少一个面(18)按照所述相应的限定的晶体平面定向。此外本发明涉及一种微机械构件。

公开(公告)号：CN102674235B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201210061957.8

申请日：2012-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤友博

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01G5/18 ,  B81B2201/018 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00611 ,  B81C2201/0126

Abstract: 本发明涉及MEMS及其制造方法。该MEMS包括：设置在基板上的第1电极；第1辅助构造体，与上述第1电极相邻地设置在上述基板上，处于电浮置状态；和第2电极，设置在上述第1电极和上述第1辅助构造体的上方，被向上述第1电极的方向驱动。