公开(公告)号：CN102712462B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201080052626.7

申请日：2010-09-27

Applicant: 梅姆斯塔有限公司

Inventor： 安东尼·奥哈拉

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/67069 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0132 ,  H01L21/3065

Abstract: 用于蚀刻微结构及类似物的方法和装置，当使用二氟化氙(XeF2)蚀刻硅时，所述方法和装置对周围材料提供改进的选择性。通过向处理室添加氢气大大增强了蚀刻选择性。

公开(公告)号：CN105329849A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510675743.3

申请日：2015-10-16

Applicant: 上海师范大学

Inventor： 赵高杰 ,  孙玉俊 ,  刘益宏 ,  廖黎明 ,  刘少雄 ,  李星月 ,  姜舒月 ,  陈之战

IPC: B81C1/00 ,  C23C28/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/04 ,  C23C14/18 ,  C25D3/12 ,  C25D5/02

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81C1/00373 ,  B81C1/00388 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00849 ,  B81C2201/01 ,  C23C14/04 ,  C23C14/185 ,  C23C14/35 ,  C23C28/023 ,  C25D3/12 ,  C25D5/024

Abstract: 本发明一种基于微电镀的MEMS微型阵列结构加工工艺，具体指一种半导体材料深刻蚀加工的掩膜的制备方法，涉及半导体材料加工技术领域。本发明以SiC材料为例。本发明包括：准备SiC衬底；光刻图形化；磁控溅射制备种子层；二次光刻图形化；配制电镀液；电镀制备金属层等步骤。通过全新掩膜结构，优化电镀液组分，改进微电镀条件，提高镀层金属与衬底的粘附性，提高镀层金属的均匀性和厚度，制备金属镀层既满足SiC深刻蚀加工掩膜层的需要，又扩展了碳化硅在相关器件制备方面的应用。为SiC压力传感器等在恶劣环境(高温、高压、强腐蚀、强辐射)下的应用提供了技术支持。

公开(公告)号：CN104197916A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410389850.5

申请日：2014-08-08

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张卫平 ,  唐健 ,  刘亚东 ,  汪濙海 ,  成宇翔 ,  孙殿竣 ,  邢亚亮 ,  陈文元

IPC: G01C19/5691 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01C19/5691 ,  B81C1/00388 ,  B81C1/00539 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00849

Abstract: 本发明提供了一种半球体固态波动微陀螺仪及其制备方法，包括：单晶硅基底、信号电极、屏蔽电极、微型半球体谐振子、中心固定支撑柱，微型半球体谐振子与单晶硅基底通过中心固定支撑柱相连；信号电极和屏蔽电极设置于单晶硅基底的上表面，两者相互交错均匀地分布在微型半球体谐振子的周围；八个信号电极与微型半球体谐振子之间的距离、八个屏蔽电极与微型半球体谐振子之间的距离分别相同。本发明结合MEMS体硅加工工艺和表面硅加工工艺进行制作；具有更大的有效振动质量，可增强柯氏效应的检测效果；具有更高的工作模态振动频率，可减小环境噪声和机械噪声等；设置了屏蔽电极，可减少信号电极之间的相互串扰，减小检测过程中寄生电容的影响。

公开(公告)号：CN104053626A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201280063151.0

申请日：2012-10-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： S·洛萨 ,  R·佩祖托 ,  R·坎佩代利 ,  M·阿兹佩提亚乌尔奎亚 ,  M·珀尔提 ,  L·埃斯波西托

IPC: B81C1/00

CPC classification number: H01L21/02178 ,  B81B7/0032 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0242 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/014 ,  B81C2201/053 ,  H01L21/0228

Abstract: 一种用于制造用于保护中间结构层(22)免于用氢氟酸的蚀刻的保护层(25)的方法，中间结构层(22)由能够被氢氟酸蚀刻或破坏的材料制成，该方法包括下列步骤：通过原子层沉积在中间结构层(22)上形成氧化铝的第一层；对氧化铝的第一层执行热结晶工艺，形成第一中间保护层(25a)；通过原子层沉积在第一中间保护层之上形成氧化铝的第二层；以及对氧化铝的第二层执行热结晶工艺，形成第二中间保护层(25b)，以及由此完成保护层(25)的形成。用于形成保护层(25)的方法可以例如在诸如陀螺仪或加速计的惯性传感器的制造步骤期间使用。

公开(公告)号：CN1505832A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN02809056.X

申请日：2002-03-21

Applicant: 兰姆研究公司

Inventor： 倪图强 ,  蒋维楠 ,  C·奇昂 ,  F·Y·林 ,  C·李 ,  D·N·李

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: B81C1/00595 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明公开了一种其中有机抗反射涂层被无O2含硫气体刻蚀的半导体制造工艺，它提供相对下方层的选择性和/或使上方光刻胶的侧刻蚀速率最小化以保持由光刻胶所确定的临界尺寸。刻蚀剂气体可包括SO2和载体气体如Ar或He并视需要加入其它气体如HBr。该工艺可形成结构如波纹结构时用于刻蚀0.25微米和较小的接点或通过开口。

公开(公告)号：CN104126153B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201280070384.3

申请日：2012-12-20

Applicant: 斯沃奇集团研究和开发有限公司

Inventor： T·黑塞勒 ,  S·达拉 ,  皮亚扎

IPC: G04F5/06 ,  G04G17/02 ,  B81C1/00 ,  G04B17/06 ,  G04C3/12

CPC classification number: H03H9/19 ,  B23K26/53 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0143 ,  F21V17/02 ,  G04B17/066 ,  G04B17/345 ,  G04C3/12 ,  G04F5/063 ,  G04G17/02 ,  H01L41/0475 ,  H01L41/332 ,  H03H9/215

Abstract: 本发明涉及一种用于在基底中制造谐振器的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：a)改变基底的至少一个区域的结构，以使所述至少一个区域更具有选择性；b)蚀刻所述至少一个区域，以便选择性地制造所述谐振器。

公开(公告)号：CN104126153A

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201280070384.3

申请日：2012-12-20

Applicant: 斯沃奇集团研究和开发有限公司

Inventor： T·黑塞勒 ,  S·达拉皮亚扎

IPC: G04F5/06 ,  G04G17/02 ,  B81C1/00 ,  G04B17/06 ,  G04C3/12

CPC classification number: H03H9/19 ,  B23K26/53 ,  B81B2201/0271 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/0143 ,  F21V17/02 ,  G04B17/066 ,  G04B17/345 ,  G04C3/12 ,  G04F5/063 ,  G04G17/02 ,  H01L41/0475 ,  H01L41/332 ,  H03H9/215

Abstract: 本发明涉及一种用于在基底中制造谐振器的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤：a)改变基底的至少一个区域的结构，以使所述至少一个区域更具有选择性；b)蚀刻所述至少一个区域，以便选择性地制造所述谐振器。

公开(公告)号：CN100358107C

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN02809056.X

申请日：2002-03-21

Applicant: 兰姆研究公司

Inventor： 倪图强 ,  蒋维楠 ,  C·奇昂 ,  F·Y·林 ,  C·李 ,  D·N·李

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: B81C1/00595 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7681 ,  H01L21/76838

Abstract: 本发明公开了一种其中有机抗反射涂层被无O2含硫气体刻蚀的半导体制造工艺，它提供相对下方层的选择性和/或使上方光刻胶的侧刻蚀速率最小化以保持由光刻胶所确定的临界尺寸。刻蚀剂气体可包括SO2和载体气体如Ar或He并视需要加入其它气体如HBr。该工艺可形成结构如波纹结构时用于刻蚀0.25微米和较小的接点或通过开口。

公开(公告)号：CN1977362A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200580021792.X

申请日：2005-06-23

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 森川泰宏 ,  林俊雄 ,  邹红罡

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30655 ,  B81C1/00595 ,  B81C2201/014 ,  H01J37/3255 ,  H01J2237/334

Abstract: 一种适用于产生对于掩膜的高选择性、出色的各向异性外形和大的蚀刻深度的蚀刻方法和蚀刻系统。依据本发明的蚀刻系统包括：设置成对着真空室内的基片电极并且在电势方面保持浮动状态的浮动电极，设置在该浮动电极面对着基片电极的一侧上的用来形成抗蚀刻膜的材料，以及用于间歇地对该浮动电极施加高频功率的控制单元。依据本发明的蚀刻方法使用设置在浮动电极对着基片电极一侧上的用来形成做为靶的抗蚀刻膜的材料，并且只把稀有气体作为主气体，该方法适用于按预定顺序重复地进行借助于对该浮动电极施加高频功率通过溅射在基片上形成膜的步骤，以及接着随后的通过暂停对该浮动电极施加高频功率并把蚀刻气体引入到真空室中而蚀刻基片的步骤。

公开(公告)号：CN1243576A

公开(公告)日：2000-02-02

申请号：CN98801650.8

申请日：1998-01-05

Applicant: 西门子公司

Inventor： K·米勒 ,  S·科尔布

IPC: G01P15/08

CPC classification number: B81C1/00595 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C2201/0136 ,  G01P15/0802

Abstract: 本发明涉及具有在一个空腔(9)内构成一个膜片(7)的一种微机械半导体装置。膜片(7)是由在半导体装置上的一个基片(1)内的或在一个基片(1)上安排的外延层序列内的一个结晶层构成的。膜片(7)的边缘区域是支撑在一个支柱(6)上的,和由支撑在一个支座(5)上的一个盖层(4)覆盖着的。支柱(6)和支座(5)为一方面和膜片(7)为另一方面,是用对一种预先规定的湿法化学腐蚀剂有不同的腐蚀速率的材料制造的,并且最好是用不同的掺杂材料构成的。