公开(公告)号：CN105182721B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201510294325.X

申请日：2015-06-02

Applicant: 斯沃奇集团研究和开发有限公司

Inventor： T·黑塞勒

IPC: G04B17/06

CPC classification number: B81C1/00531 ,  B81C1/00539 ,  G04B17/06 ,  G04B17/22 ,  G04B17/227

Abstract: 本发明涉及一种制造复合补偿游丝(31)的方法，所述复合补偿游丝包括由第一材料构成的第一厚度E1和由至少一种第二材料构成的至少一个第二厚度E2。

公开(公告)号：CN107113973A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580059016.2

申请日：2015-10-15

Applicant: 德国艾托特克公司

Inventor： 安德烈亚斯·斯库平 ,  斯特凡·格鲁斯纳

IPC: H05K3/00

CPC classification number: H05K3/0055 ,  B81C1/00539 ,  H05K3/00 ,  H05K3/0088 ,  H05K2203/0796 ,  H05K2203/1545

Abstract: 本发明涉及一种用于水平电化或湿式化学工艺线的除污模块(1)，所述水平电化或湿式化学工艺线用于在待处理衬底上进行金属沉积、尤其是铜沉积，除污模块(1)用于移除沉淀物，除污模块(1)包括可连接到除污单元(3)的除污容器(2)、泵(4)及用于将泵与除污单元连接的至少第一液体连接元件(5)，其中泵是通过至少第一液体连接元件与除污单元结合；且其中在除污模块内部提供处理液位(6)，处理液位(6)高于泵的进水区(7)；其中除污模块进一步包括至少第一液体区域(9)、包括泵的进水区的至少相邻第二液体区域(10)，及被布置在至少第一液体区域与至少第二液体区域之间的至少第一分离元件(11)。本发明进一步涉及一种用于从此除污模块选择性分离及随后移除除污颗粒的方法。

公开(公告)号：CN107085125A

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201710293169.4

申请日：2017-04-28

Applicant: 河海大学常州校区

Inventor： 蔡春华 ,  李予宸 ,  谈俊燕 ,  齐本胜 ,  华迪

IPC: G01P15/125 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00047 ,  B81C1/00055 ,  B81C1/0038 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/0181

Abstract: 本发明公开了一种变间距的电容式加速度传感器及其制备方法，具体是一种基于MEMS微加工技术的变间距的电容式加速度传感器，利用惯性质量块在外加加速度的作用下与检测电极间的间隙发生改变从而引起等效电容的变化来测定加速度。该发明与集成电路工艺兼容，可以集成信号处理电路，有较高的灵敏度，受环境影响小。通过在硅衬底不同部位进行离子注入形成PN结，利用PN结的单向导电性，实现加速度传感器敏感电容结构动齿与定齿之间的衬底电隔离，防止双向导电，制作工艺简单，可以降低成本，稳定性能好。

公开(公告)号：CN105329848A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510632791.4

申请日：2015-09-29

Applicant: 北京航天控制仪器研究所

Inventor： 刘宇 ,  刘福民 ,  邢朝洋 ,  徐宇新 ,  李昌政 ,  刘国文 ,  梁德春

IPC: B81C1/00 ,  G01P15/08

CPC classification number: B81C1/00539 ,  G01P15/0802

Abstract: 本发明MEMS三明治加速度计敏感芯片的湿法腐蚀加工方法，通过对硅晶圆上生长单层氧化层，对单层氧化膜层进行3次双面光刻腐蚀，精确控制每次腐蚀深度，将单层氧化膜层分成不同结构的3层氧化膜层。在60～80℃温度条件下对硅晶圆进行湿法腐蚀，第一次腐蚀硅时间为20～30分钟，腐蚀掉第1层氧化膜层；第二次腐蚀硅为150～160分钟，腐蚀掉第2层氧化膜层；第三次腐蚀在30～40℃温度条件下对硅晶圆进行湿法腐蚀，时间为30～40分钟，腐蚀掉第3层氧化膜层。本发明能加工出表面光滑、尺寸精度满足要求的敏感芯片，本方法的改进使敏感芯片的质量和成品率得到很大的提高。

公开(公告)号：CN102387746B

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201080016044.3

申请日：2010-02-08

Applicant: 爱德华兹生命科学公司

Inventor： J·R·派提斯 ,  D·周 ,  M·瓦里克特

IPC: A61B5/145 ,  A61B5/1468 ,  B81B7/02

CPC classification number: G01N27/3272 ,  A61B5/0006 ,  A61B5/415 ,  A61B2562/028 ,  A61B2562/043 ,  A61B2562/12 ,  A61B2562/125 ,  B32B37/025 ,  B32B2309/105 ,  B32B2311/02 ,  B32B2457/00 ,  B32B2535/00 ,  B81C1/00539

Abstract: 用基于IC或MEM的制作技术制作分析物传感器部件的方法以及由此制备的传感器。分析物传感器部件的制作包括提供无机衬底，其上沉积有剥离层，第一柔性介电层和第二柔性介电层，其间分隔有电极、接触垫和连接多个传感器的电极和接触垫的迹线。在介电层之一中的一个或多个电极上提供开口，以接收用于目标分析物的检测和用于与外部电子元件电连接的分析物传感膜。从无机衬底上剥离多个所制作的传感器部件。

公开(公告)号：CN104045053A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310661669.0

申请日：2013-12-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  朱家骅

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00158 ,  B81B7/008 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00333 ,  B81C1/00539 ,  B81C2201/0109 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0127 ,  B81C2203/0742 ,  B81C2203/0778 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02247 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802

Abstract: 本发明公开的集成电路器件包括设置在半导体衬底上方的介电层，介电层具有形成在其中的牺牲腔体，形成到介电层上的膜层，以及在膜层上形成的覆盖层从而形成第二腔体，第二腔体通过形成在膜层内的通孔连接至牺牲腔体。本发明还公开了具有覆盖结构的MEMS器件结构。

公开(公告)号：CN102869629A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201180021576.0

申请日：2011-04-27

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： D·K·吉尔福伊勒 ,  J·T·科利 ,  K·恩古耶 ,  张鲁

IPC: C03C3/087 ,  C03C3/093 ,  C03C15/00 ,  C03C17/00

CPC classification number: C03C15/00 ,  B44C1/227 ,  B81C1/00539 ,  C03C3/087 ,  C03C3/093 ,  C03C17/007 ,  C03C2204/08 ,  C03C2217/42 ,  C03C2218/34 ,  C03C2218/355 ,  G02F1/133502 ,  Y10T428/24355

Abstract: 一种玻璃制品，包括：至少一个防眩光表面，所述表面具有本文所定义的雾度、鲜映度、表面粗糙度和均匀性。一种制备玻璃制品的方法，包括例如在制品表面上沉积牺牲粒子，然后使所得的微粒化表面接触蚀刻剂。本发明还揭示了一种结合了如本文所定义的玻璃制品的显示系统。

公开(公告)号：CN109422240A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201811027074.9

申请日：2018-09-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·布罗克迈尔 ,  W·弗里萨 ,  D·莫勒

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B7/0006 ,  B81B7/0009 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00476 ,  B81C1/00595 ,  B81C1/00047 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00539 ,  B81C1/00571

Abstract: 本申请提供了一种用于加工层结构的方法，其中层结构具有第一层、设置在第一层上方的牺牲层和设置在牺牲层上方的第二层，其中第二层具有至少一个开口，其中该至少一个开口从第二层的第一侧延伸到牺牲层，其中该方法包括：形成衬垫层，其覆盖至少一个开口的至少一个内壁；在衬垫层上方形成覆盖层，其中覆盖层至少部分地延伸到至少一个开口中；并且用蚀刻液对覆盖层、衬垫层和牺牲层进行湿化学蚀刻，其中蚀刻液对衬垫层的蚀刻速率大于对覆盖层的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN107352501A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710539774.5

申请日：2017-07-05

Applicant: 中北大学

Inventor： 何剑 ,  丑修建 ,  穆继亮 ,  耿文平 ,  侯晓娟 ,  薛晨阳 ,  徐方良 ,  张辉 ,  高翔 ,  石树正

IPC: B81C1/00 ,  H01L21/67

CPC classification number: B81C1/00539 ,  B81C1/00619 ,  H01L21/67075

Abstract: 本发明公开一种TMAH硅雾化气相刻蚀系统，包括：水冷系统用于冷凝TMAH气体；刻蚀系统用于刻蚀单晶硅以及达到相关刻蚀条件，刻蚀硅片时刻蚀腔内使用的温度高于TMAH沸点，使TMAH呈气态的状态下对硅进行刻蚀；传送系统用于传输以及清洗刻蚀硅片；雾化系统用于产生及输送TMAH液滴至刻蚀腔，通过将TMAH溶液雾化方式，提供浓度更加稳定的TMAH气体，保证刻蚀稳定性；控制系统用于控制水冷系统、刻蚀系统、雾化系统及传送系统协调工作。该系统实现硅高速刻蚀，同时刻蚀表面较为光滑；气相刻蚀通过增大刻蚀腔体的气压以进一步提高刻蚀速率。该系统实现了对硅片非刻蚀面上结构实现了有效的保护，保证了硅刻蚀工艺与以完成工艺之间的兼容性。

公开(公告)号：CN104418288B

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201410423101.X

申请日：2014-08-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A.德赫 ,  C.格拉策尔 ,  S.皮尔克

IPC: B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81C1/00539 ,  B81B7/0009 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00476

Abstract: 公开了用于制造MEMS器件的方法以及MEMS器件。用于制造MEMS器件的方法，包括：在与牺牲层相邻的层内提供腔体。所述腔体延伸到所述牺牲层，并且包括伸出到层中的毛细槽。通过将所述牺牲层暴露于通过所述腔体所引入的刻蚀剂来去除所述牺牲层。