-
公开(公告)号：CN106395733B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510465602.9
申请日：2015-07-31
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 任鹏
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/768
CPC分类号： B81C1/00801 , B81C2201/0154 , B81C2201/05 , B81C2203/0778 , H01L21/67063 , H01L21/6715 , H01L21/687 , H01L21/76861 , H01L21/76873 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02317 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/13024
摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一表面和相对的第二表面，半导体衬底的第一表面具有焊盘；沿半导体衬底的第二表面刻蚀所述半导体衬底，在半导体衬底中形成暴露焊盘的通孔；在所述通孔内以及通孔外的种子层表面部分形成再布线金属层；进行浸润步骤，向种子层和再布线金属层的表面喷吐稀释液，使得通孔内保留部分稀释液；进行浸润步骤后，进行化学刻蚀步骤，向种子层和再布线金属层表面喷吐刻蚀溶液，刻蚀去除再布线金属层两侧的半导体衬底第二表面上的部分厚度的种子层；重复进行浸润步骤和化学刻蚀步骤。本发明方法防止通孔内的再布线金属层被蚀穿。
-
公开(公告)号：CN101987720A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010243793.1
申请日：2010-07-30
申请人： 旺宏电子股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2201/0257 , B81C1/0023 , B81C2203/0778
摘要： 本发明公开了一种集成半导体元件的制造方法及其结构。一种集成半导体元件的制造方法。首先，提供具有第一区域及第二区域的衬底。然后，使用同一个工艺而于第一区域形成半导体单元，并于第二区域形成微机电系统单元。
-
公开(公告)号：CN106395733A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201510465602.9
申请日：2015-07-31
申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人： 任鹏
IPC分类号： B81C1/00 , H01L21/768
CPC分类号： B81C1/00801 , B81C2201/0154 , B81C2201/05 , B81C2203/0778 , H01L21/67063 , H01L21/6715 , H01L21/687 , H01L21/76861 , H01L21/76873 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02317 , H01L2224/02372 , H01L2224/02381 , H01L2224/13024
摘要： 一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一表面和相对的第二表面，半导体衬底的第一表面具有焊盘；沿半导体衬底的第二表面刻蚀所述半导体衬底，在半导体衬底中形成暴露焊盘的通孔；在所述通孔内以及通孔外的种子层表面部分形成再布线金属层；进行浸润步骤，向种子层和再布线金属层的表面喷吐稀释液，使得通孔内保留部分稀释液；进行浸润步骤后，进行化学刻蚀步骤，向种子层和再布线金属层表面喷吐刻蚀溶液，刻蚀去除再布线金属层两侧的半导体衬底第二表面上的部分厚度的种子层；重复进行浸润步骤和化学刻蚀步骤。本发明方法防止通孔内的再布线金属层被蚀穿。
-
公开(公告)号：CN103872050B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310661354.6
申请日：2013-12-09
申请人： 三菱电机株式会社
发明人： 佐藤公敏
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/8234 , G01L1/14 , G01L9/12
CPC分类号： H01L29/84 , B81B2201/0264 , B81C1/00246 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , B81C2203/0778 , G01L9/0042 , G01L9/0073 , H01L27/0617
摘要： 本发明提供一种半导体压力传感器及其制造方法，其在压力传感器区域（16）上形成有包含固定电极（18a）、空隙（50）及可动电极（30d）在内的压力传感器，在CMOS区域（17）上形成有存储器单元晶体管和场效应型晶体管。与空隙（50）连通的蚀刻孔（46b）由第1封装膜（48b）进行闭塞。空隙（50）是通过将由与存储器单元晶体管的栅极电极（23a）相同的膜构成的部分去除而形成的。可动电极（30d）由与栅极电极（30c、30a、30b）相同的膜形成。
-
公开(公告)号：CN106986301A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201611128415.2
申请日：2016-12-09
申请人： 罗伯特·博世有限公司
发明人： 武震宇
CPC分类号： B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/019 , B81C1/00158 , B81C1/00182 , B81C2203/01 , B81C2203/0778 , H01L21/62 , H01L22/30 , H01L28/00 , H01L28/75 , B81C1/00134 , B81B7/02 , B81C1/00206 , B81C1/0038 , G01L9/12
摘要： 本发明涉及一种微机械传感器装置的制造方法和一种相应的微机械传感器装置。该方法包括下述步骤：提供具有至少第一至第四槽的基底，所述至少第一至第四槽从基底的正面出发平行地延伸并且彼此隔开间距；将一个层沉积到正面上，其中，所述至少第一至第四槽被封闭，并且使所述层结构化，其中，在所述层中在第二和第四槽的上方构造接触结构；将接触结构以及第二和第四槽的向外暴露的侧面至少部分地氧化；使第一金属接触材料沉积并且结构化，其中，将所述接触结构至少部分地以第一金属接触材料填充；打开第二槽和第四槽；将第二金属接触材料电沉积到所述第二和第四槽中，由此，形成压敏电容性的电容器结构；并且从所述基底的正面打开所述第一槽。
-
公开(公告)号：CN101987720B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010243793.1
申请日：2010-07-30
申请人： 旺宏电子股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2201/0257 , B81C1/0023 , B81C2203/0778
摘要： 本发明公开了一种集成半导体元件的制造方法及其结构。一种集成半导体元件的制造方法。首先，提供具有第一区域及第二区域的衬底。然后，使用同一个工艺而于第一区域形成半导体单元，并于第二区域形成微机电系统单元。
-
公开(公告)号：CN1672241A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN03818030.8
申请日：2003-05-14
申请人： 硅光机器公司
发明人： J·A·亨特
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/82 , H01L21/302
CPC分类号： G02B26/0808 , B81B2201/045 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81C1/00246 , B81C2201/016 , B81C2203/0735 , B81C2203/0778 , H01L27/0611
摘要： 一种集成器件包括：一个或多个器件驱动器和单片地耦合到所述一个或多个驱动器电路的衍射光调制器。所述一个或多个驱动器电路被配置成用于处理接收的控制信号和将处理的控制信号传送给所述衍射光调制器。一种制造所述集成器件的方法优选地包括制造多个晶体管的每一个的前端部分；绝缘所述多个晶体管的前端部分；制造一个衍射光调制器的一前端部分；绝缘所述衍射光调制器的所述前端部分；为所述多个晶体管制造内部连线；应用一敞口阵列掩模和湿式蚀刻以达到所述衍射光调制器；和制造所述衍射光调制器的一后端部分，从而单片地耦合所述衍射光调制器和所述多个晶体管。
-
公开(公告)号：CN109712959A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201811223242.1
申请日：2018-10-19
申请人： 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/82
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B7/007 , B81B2203/04 , B81B2207/015 , B81B2207/07 , B81B2207/094 , B81B2207/095 , B81C2203/0735 , B81C2203/0778 , B81C2203/0792
摘要： 本申请涉及MEMS与IC装置的单块整合，揭示一种具有微机电系统(MEMS)与集成电路(IC)的整合型单块装置及其形成方法。该单块装置包括在该IC上方形成有IC组件及MEMS的衬底。该衬底上方形成在接垫阶中具有IC互连垫的后段(BEOL)介电质。具有所述IC互连垫的该BEOL介电质上方形成MEMS。该MEMS包括MEMS堆栈，该MEMS堆栈具有主动MEMS层、及在该主动MEMS层的顶端与底端表面上形成的图案化顶端与底端MEMS电极。形成至少部分地穿过该主动MEMS层的IC MEMS接触贯孔。IC MEMS接触形成于该主动MEMS层中的所述IC MEMS接触贯孔中，并且组配成耦接至所述IC互连垫。
-
公开(公告)号：CN104045047B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310245334.0
申请日：2013-06-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： G11C11/419 , B81B3/0051 , B81B2207/015 , B81B2207/096 , B81C1/00238 , B81C1/00246 , B81C1/00253 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , B81C2203/0742 , B81C2203/0764 , B81C2203/0778 , G11C5/063 , H01L23/528 , H01L27/1104 , H01L27/1116
摘要： 本发明涉及了一种带有覆盖式衬底的MEMS器件，其包括设置在第一衬底上的介电层，该介电层具有形成在其中的牺牲凹部。该集成电路另外包括形成在介电层之上且悬置在牺牲凹部之上的膜层，以及与膜层相接合从而形成了第二凹部的覆盖式衬底，该第二凹部通过形成到膜层中的通孔与牺牲凹部相连接。
-
公开(公告)号：CN104817052A
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201510053869.7
申请日：2015-02-02
申请人： 精工爱普生株式会社
发明人： 蝦名昭彦
CPC分类号： B81B7/0041 , B81B3/0021 , B81B2201/0271 , B81B2203/04 , B81B2207/015 , B81B2207/095 , B81C1/00293 , B81C2203/0136 , B81C2203/0778
摘要： 本发明涉及一种MEMS元件及其制造方法。该MEMS元件为了抑制从配置有MEMS部的空间的内壁上产生气体，而将MEMS部配置于至少由氮化硅膜和硅膜构成的空间中，所述硅膜具有第一孔，所述第一孔通过金属膜或金属硅化物而被填埋，通过所述金属膜或所述金属硅化物、所述氮化硅膜以及所述硅膜而形成气密结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
14 条记录 (耗时 0.011 秒)
