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公开(公告)号：CN105070642A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510375658.5
申请日：2015-06-30
Applicant: 上海华力微电子有限公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/62
Abstract: 一种金属氧化物金属电容器制作方法，包括：形成第一层低K介质层；对第一层低K介质层进行光刻刻蚀工艺以便在第一层低K介质层中形成第一电容区沟槽；在第一电容区沟槽中填充金属铜以形成第一层金属铜；在第一层低K介质层上沉积第一刻蚀阻挡层和第二层低K介质层；对第二层低K介质层进行光刻刻蚀工艺以便在第二层低K介质层中形成用于MIM电容区域的第二电容区沟槽；在电容区沟槽中填充高K材料；在第二层低K介质层上沉积第二刻蚀阻挡层和第三层低K介质层；在对第三层低K介质层进行第三光刻刻蚀工艺以便在第三层低K介质层中形成用于MIM电容区域的第三电容区沟槽；在第三电容区沟槽中填充金属铜以形成第二层金属铜。
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公开(公告)号：CN104640512B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201380048925.7
申请日：2013-09-19
Applicant: 伊西康内外科公司
IPC: A61B17/32 , A61B17/3211
CPC classification number: A61B17/320068 , A61B17/3211 , A61B2017/00526 , H01L21/62
Abstract: 本发明提供了一种超声芯，该超声芯包括纵向伸长的大体为平面的波导并且具有换能器元件，该波导限定从波导的第一侧朝向波导的中间平面延伸的孔，并且该换能器元件的尺寸和形状设定成与孔的尺寸和形状基本相符且至少部分地嵌入在波导内。在其他方面，超声芯包括纵向伸长的大体为平面的硅波导，该硅波导具有固定到该硅波导的至少一个换能器元件和包括倾斜侧表面的楔形射声器，其特征在于倾斜侧表面沿着硅材料的{1,1,1}晶面取向。另外，本发明还提供了制造相应超声芯和包含此类芯的用于超声外科器械的超声手持件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104640512A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201380048925.7
申请日：2013-09-19
Applicant: 伊西康内外科公司
IPC: A61B17/32 , A61B17/3211
CPC classification number: A61B17/320068 , A61B17/3211 , A61B2017/00526 , H01L21/62 , A61B17/320092
Abstract: 本发明提供了一种超声芯，该超声芯包括纵向伸长的大体为平面的波导并且具有换能器元件，该波导限定从波导的第一侧朝向波导的中间平面延伸的孔，并且该换能器元件的尺寸和形状设定成与孔的尺寸和形状基本相符且至少部分地嵌入在波导内。在其他方面，超声芯包括纵向伸长的大体为平面的硅波导，该硅波导具有固定到该硅波导的至少一个换能器元件和包括倾斜侧表面的楔形射声器，其特征在于倾斜侧表面沿着硅材料的{1,1,1}晶面取向。另外，本发明还提供了制造相应超声芯和包含此类芯的用于超声外科器械的超声手持件的方法。
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公开(公告)号：CN106986301A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201611128415.2
申请日：2016-12-09
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Inventor： 武震宇
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/019 , B81C1/00158 , B81C1/00182 , B81C2203/01 , B81C2203/0778 , H01L21/62 , H01L22/30 , H01L28/00 , H01L28/75 , B81C1/00134 , B81B7/02 , B81C1/00206 , B81C1/0038 , G01L9/12
Abstract: 本发明涉及一种微机械传感器装置的制造方法和一种相应的微机械传感器装置。该方法包括下述步骤：提供具有至少第一至第四槽的基底，所述至少第一至第四槽从基底的正面出发平行地延伸并且彼此隔开间距；将一个层沉积到正面上，其中，所述至少第一至第四槽被封闭，并且使所述层结构化，其中，在所述层中在第二和第四槽的上方构造接触结构；将接触结构以及第二和第四槽的向外暴露的侧面至少部分地氧化；使第一金属接触材料沉积并且结构化，其中，将所述接触结构至少部分地以第一金属接触材料填充；打开第二槽和第四槽；将第二金属接触材料电沉积到所述第二和第四槽中，由此，形成压敏电容性的电容器结构；并且从所述基底的正面打开所述第一槽。
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公开(公告)号：CN106409705A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611007059.9
申请日：2016-11-16
Applicant: 湖南文理学院
Inventor： 龙永福
IPC: H01L21/62
CPC classification number: H01L21/62
Abstract: 本发明公开了一种提高多孔硅径向物理微结构均匀性的新方法，该方法是在腐蚀槽外绕线圈，当线圈通交流电时，线圈内部（即腐蚀槽中）将产生变化的磁场，在变化的磁场周围存在感生电场，感生电场的方向与径向方向垂直而其大小与半径r成正比。一方面，由于在感生电场的作用下，离硅片腐蚀中心越远，感生电场越大，正负离子热运动越快，导致沿径向方向上随离硅片腐蚀中心越远而腐蚀越深，同时，提高氢氟酸溶液在径向方向浓度的一致性；另一方面，正常恒流腐蚀下，随离腐蚀中心越远，沿径向方向物理厚度缓慢变小，在一定条件下，二者达到动态平衡，从而增强了多孔硅薄膜内表面的径向物理微结构的均匀性，保证多孔硅薄膜径向物理微结构的均匀性。
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公开(公告)号：CN105789186A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201510736539.8
申请日：2015-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/76224 , H01L21/76877 , H01L23/5223 , H01L23/5226 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L28/40 , H01L21/62
Abstract: 本发明涉及一种MIM电容器，该MIM电容器包括复合电容器顶部金属(CTM)电极和复合电容器底部金属(CBM)电极。复合CBM电极包括覆盖第一金属层的第一扩散阻挡层，以及复合CTM电极包括覆盖第二金属层的第二扩散阻挡层。介电层布置在复合CBM电极上方，并且该介电层位于复合CTM电极的下面。第一和第二扩散阻挡层保护第一和第二金属层免受金属的影响，该金属在制造期间从MIM电容器下面的金属线扩散或移动至复合CTM和CBM电极。本发明还提供了一种制造MIM电容器的方法。
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公开(公告)号：CN104681403A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310612380.X
申请日：2013-11-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L23/522
CPC classification number: H01L21/62 , H01L23/5226
Abstract: 一种半导体器件及其形成方法，其中半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一层间介质层；在所述第一层间介质层表面形成第二层间介质层；同时刻蚀所述第一区域和第二区域的第二层间介质层，在所述第一区域的第二层间介质层内形成第一凹槽，在所述第二区域的第二层间介质层内形成第二凹槽，且所述第一凹槽包括第一沟槽和位于第一沟槽底部的多个第一通孔，相邻第一通孔之间具有凸起；在第一区域依次形成金属阻挡层、绝缘层和第三金属层，所述金属阻挡层覆盖第一凹槽的底部和侧壁，所述金属阻挡层还覆盖所述凸起的侧壁和顶部。本发明在形成互连结构的同时形成MIM电容器，增加单位面积电容量，节约芯片面积。
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