-
公开(公告)号：CN104111067B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201410156081.4
申请日：2014-04-17
申请人： 精工爱普生株式会社
发明人： 松川典仁
IPC分类号： G01C19/56
CPC分类号： B81B7/0064 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00253 , G01C19/56 , G01C19/5769 , G01P15/00 , G01P15/09 , G01P15/097
摘要： 本发明涉及一种电子装置、集成电路、电子设备及移动体，其课题在于，提供一种即使在用户使用的模式下也能够有效地利用测试用途的外部端子的电子装置、集成电路、以及使用了该电子装置的电子设备和移动体、使用了该集成电路的电子设备和移动体。电子装置（1）包括：振动元件（20），其对预定的物理量进行检测；集成电路（10），其与振动元件20电连接；陶瓷封装件（30）。在陶瓷封装件（30）中设置有第一外部端子和被供给恒定电位的第二外部端子，第一外部端子在第一模式中与第二外部端子电连接，而在第二模式中与集成电路（10）的内部节点电连接。
-
公开(公告)号：CN102655627B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201210051207.2
申请日：2012-03-01
申请人： 埃普科斯股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00253 , B81B7/0006 , B81B2207/012 , B81B2207/092 , H01L2224/16225 , H01L2924/1461 , H04R1/04 , H04R19/04 , H04R2201/003 , H04R2410/03 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及MEMS扩音器。提供了一种由于减小的DC漏电流而具有改善的噪声性能的MEMS扩音器。为此，保持MEMS扩音器的信号线与其它传导结构之间的最小距离。此外，提供了将信号线的至少一部分围起来的DC保护结构。
-
公开(公告)号：CN1778663A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510115008.3
申请日：2005-11-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00253 , B81C2201/0178 , B81C2201/053
摘要： 本发明提供一种防金属与硅层间侧向交互扩散的方法和结构及微机电结构，该方法包括下列步骤：首先，提供一包括多个金属图案的基板。接着，形成氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氮化钛或氧化铝于金属图案的间隙壁以防止金属图案和后续填入的硅层间侧向交互扩散。
-
公开(公告)号：CN104956684B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201380065740.7
申请日：2013-09-06
申请人： 应美盛股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00253 , B81B2207/012 , B81C2203/0792 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/3011 , H04R1/04 , H04R2201/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种换能器系统(17)具有形成内部室(50)的封装(38)、和固定在内部室(50)内的MEMS换能器(42)，例如，MEMS送话器。封装(38)形成孔口(52)，孔口(52)用于允许对室(50)的内部和因而对MEMS换能器(42)的声学进入。系统(17)还具有两个裸片(44、46)，即，系统(17)具有在内部室(50)内的主电路裸片(44)、和与主电路裸片(44)电连接的集成无源装置裸片(46)。主电路裸片(44)与MEMS换能器(42)电连接并且具有至少一个有源电路元件。
-
公开(公告)号：CN104045047B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310245334.0
申请日：2013-06-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： G11C11/419 , B81B3/0051 , B81B2207/015 , B81B2207/096 , B81C1/00238 , B81C1/00246 , B81C1/00253 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , B81C2203/0742 , B81C2203/0764 , B81C2203/0778 , G11C5/063 , H01L23/528 , H01L27/1104 , H01L27/1116
摘要： 本发明涉及了一种带有覆盖式衬底的MEMS器件，其包括设置在第一衬底上的介电层，该介电层具有形成在其中的牺牲凹部。该集成电路另外包括形成在介电层之上且悬置在牺牲凹部之上的膜层，以及与膜层相接合从而形成了第二凹部的覆盖式衬底，该第二凹部通过形成到膜层中的通孔与牺牲凹部相连接。
-
公开(公告)号：CN104045047A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310245334.0
申请日：2013-06-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： G11C11/419 , B81B3/0051 , B81B2207/015 , B81B2207/096 , B81C1/00238 , B81C1/00246 , B81C1/00253 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , B81C2203/0742 , B81C2203/0764 , B81C2203/0778 , G11C5/063 , H01L23/528 , H01L27/1104 , H01L27/1116
摘要： 本发明涉及了一种带有覆盖式衬底的MEMS器件，其包括设置在第一衬底上的介电层，该介电层具有形成在其中的牺牲凹部。该集成电路另外包括形成在介电层之上且悬置在牺牲凹部之上的膜层，以及与膜层相接合从而形成了第二凹部的覆盖式衬底，该第二凹部通过形成到膜层中的通孔与牺牲凹部相连接。
-
公开(公告)号：CN101553425B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200780038947.X
申请日：2007-10-18
申请人： 惠普开发有限公司
CPC分类号： B81C1/00253 , B81B2201/0235 , B81B2203/051 , B81B2203/053 , B81C1/00142 , B81C3/004 , B81C2201/019 , B81C2203/058
摘要： 本发明公开了一种形成微机电系统(MEMS)换能器的示范性系统和方法。根据本文公开的一个示范性实施例，该MEMS换能器由两个晶片形成，并且消除了检测质量和挠性件的厚度的相互影响，从而允许它们被独立设计。此外，本示范性系统和方法刻蚀晶片的两侧以限定检测质量和挠性件，从而允许光学对准顶部和底部晶片。
-
公开(公告)号：CN104121935B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201410165846.0
申请日：2014-04-23
申请人： 精工爱普生株式会社
发明人： 高田丰
IPC分类号： G01D5/12 , G01C19/56 , G01C19/5607
CPC分类号： B81B7/0064 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/07 , B81C1/00253 , G01C19/5628 , G01P1/023 , G01P15/08
摘要： 本发明提供一种物理量传感器、电子设备以及移动体，其能够提高相对于来自外部装置的噪声的耐性、或降低与外部装置之间的阻抗的失配。物理量传感器(1)包括：传感器元件(20)；集成电路(10)，其与传感器元件(20)电连接；陶瓷封装件(30)(基体)，其搭载有集成电路(10)。在陶瓷封装件(30)的一个面上设置有用于实施与外部的电连接的第一导体图案(配线图案(61))。并且设置有与配线图案(61)电连接的第二导体图案。第二导体图案具有穿过陶瓷封装件(30)的内部的配线图案(63)、和露出于陶瓷封装件(30)的另一个面的金属化区域(70)，配线图案(63)长于陶瓷封装件(30)的一个面与另一个面之间的距离。
-
公开(公告)号：CN104956684A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201380065740.7
申请日：2013-09-06
申请人： 应美盛股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00253 , B81B2207/012 , B81C2203/0792 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/3011 , H04R1/04 , H04R2201/003 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 一种换能器系统(17)具有形成内部室(50)的封装(38)、和固定在内部室(50)内的MEMS换能器(42)，例如，MEMS送话器。封装(38)形成孔口(52)，孔口(52)用于允许对室(50)的内部和因而对MEMS换能器(42)的声学进入。系统(17)还具有两个裸片(44、46)，即，系统(17)具有在内部室(50)内的主电路裸片(44)、和与主电路裸片(44)电连接的集成无源装置裸片(46)。主电路裸片(44)与MEMS换能器(42)电连接并且具有至少一个有源电路元件。
-
公开(公告)号：CN103569941A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310345497.6
申请日：2013-08-09
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： B81B7/0041 , B81B3/0021 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00253 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H04R19/005 , H04R31/006 , H04R2201/003 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及包括嵌入式MEMS器件的装置和用于制造嵌入式MEMS器件的方法。公开了用于形成封装的MEMS器件的系统和方法。在一个实施例中，封装的MEMS器件包括：具有第一主表面的MEMS器件，所述第一主表面具有沿第一方向和第二方向的第一区域；部署在MEMS器件的第一主表面上的膜；以及与膜相邻的背板。封装的MEMS器件进一步包括灌封MEMS器件并限定背面容积的灌封材料，而背面容积具有沿第一方向和第二方向的第二区域，其中第一区域小于第二区域。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
16 条记录 (耗时 0.014 秒)
