发明公开
- 专利标题: MEMS与IC装置的单块整合
- 专利标题(英): Monolithic integration of MEMS and IC devices
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申请号: CN201811223242.1申请日: 2018-10-19
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公开(公告)号: CN109712959A公开(公告)日: 2019-05-03
- 发明人: H·坎帕内拉皮内达 , A·K·史塔佩尔 , 钱优 , S·波伊卡伊尔萨特厄希 , J·C·马灵 , 拉盖·库马
- 申请人: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
- 申请人地址: 新加坡城
- 专利权人: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
- 当前专利权人: 新加坡商世界先进积体电路私人有限公司
- 当前专利权人地址: 新加坡城
- 代理机构: 北京戈程知识产权代理有限公司
- 代理商 程伟; 王锦阳
- 优先权: 15/793,965 2017.10.25 US
- 主分类号: H01L23/528
- IPC分类号: H01L23/528 ; H01L21/82
摘要:
本申请涉及MEMS与IC装置的单块整合,揭示一种具有微机电系统(MEMS)与集成电路(IC)的整合型单块装置及其形成方法。该单块装置包括在该IC上方形成有IC组件及MEMS的衬底。该衬底上方形成在接垫阶中具有IC互连垫的后段(BEOL)介电质。具有所述IC互连垫的该BEOL介电质上方形成MEMS。该MEMS包括MEMS堆栈,该MEMS堆栈具有主动MEMS层、及在该主动MEMS层的顶端与底端表面上形成的图案化顶端与底端MEMS电极。形成至少部分地穿过该主动MEMS层的IC MEMS接触贯孔。IC MEMS接触形成于该主动MEMS层中的所述IC MEMS接触贯孔中,并且组配成耦接至所述IC互连垫。
公开/授权文献
- CN109712959B MEMS与IC装置的单块整合 公开/授权日:2022-12-16
IPC分类: