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公开(公告)号：CN111115550B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN201910917210.X
申请日：2019-09-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 集成互补金属氧化物半导体‑微机电系统器件包括互补金属氧化物半导体结构、顶盖结构及微机电系统结构。互补金属氧化物半导体结构制作于第一衬底上且包括至少一个传导层。顶盖结构包括穿过顶盖结构的通孔且具有沉积在顶盖结构的第一侧上的隔离层且具有沉积在顶盖结构的第二侧上的导电布线层。微机电系统结构沉积在第一衬底与顶盖结构之间。集成互补金属氧化物半导体‑微机电系统器件还包括导电连接件，导电连接件穿过通孔中的一者且穿过顶盖结构上的隔离层中的开口。导电连接件将顶盖结构上的导电布线层中的导电路径与互补金属氧化物半导体结构的至少一个传导层进行导电连接。
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公开(公告)号：CN110636417A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910507842.9
申请日：2019-06-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明一些实施例揭露一种麦克风及制造麦克风的方法，其包含具有多个开口区域的背板及与所述背板隔开的薄膜。所述薄膜可因声波而变形以引起在所述薄膜上的多个位置处改变所述背板与所述薄膜之间的间隙。所述薄膜包含位于所述薄膜的边界附近的多个锚定区域，其相对于所述背板固定。所述薄膜也包含多个通气阀。所述通气阀的实例包含侧翼通气阀及涡流通气阀。
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公开(公告)号：CN106467287B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201510755259.1
申请日：2015-11-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B7/0077 , B81B2203/04 , B81B2207/07
摘要： 本发明的一些实施例提供了一种微机电系统(MEMS)。该MEMS包括半导体块。半导体块包括突出结构。突出结构包括底面。半导体块包括感测结构。半导体衬底包括导电区域。导电区域包括位于感测结构下方的第一表面。第一表面与底面基本共面。介电区域包括未设置在第一表面上方的第二表面。本发明还提供一种制造微机电系统(MEMS)的方法。
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公开(公告)号：CN109987576A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201910164541.0
申请日：2013-12-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明公开的集成电路器件包括设置在半导体衬底上方的介电层，介电层具有形成在其中的牺牲腔体，形成到介电层上的膜层，以及在膜层上形成的覆盖层从而形成第二腔体，第二腔体通过形成在膜层内的通孔连接至牺牲腔体。本发明还公开了具有覆盖结构的MEMS器件结构。
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公开(公告)号：CN107662901A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710521597.8
申请日：2017-06-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明涉及用于微机电系统装置和互补金属氧化物半导体装置的集成。本发明实施例提供用于将互补金属氧化物半导体CMOS装置与微机电系统MEMS装置集成的工艺。在一些实施例中，使所述MEMS装置形成于牺牲衬底或晶片上，将所述牺牲衬底或晶片接合到CMOS裸片或晶片，且去除所述牺牲衬底或晶片。在其它实施例中，使所述MEMS装置形成于CMOS裸片或晶片的牺牲区域上方且随后去除所述牺牲区域。本发明实施例也提供由所述工艺产生的集成电路IC。
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公开(公告)号：CN106241726A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201510852244.7
申请日：2015-11-27
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L27/12 , B81B2203/0127 , B81C1/00238 , H01L27/14692 , H01L27/20 , B81B7/0032 , B81B3/00 , B81B7/007 , B81B7/02 , B81B2207/09 , B81C1/00261 , B81C1/00301 , B81C3/00 , B81C2201/01 , B81C2203/01
摘要： 在一些实施例中，本发明提供了MEMS封装件。MEMS封装件包括MEMS IC，MEMS IC包括MEMS衬底、设置在MEMS衬底上方的介电层和设置在介电层上方的压电层。介电层包括由介电材料制成的柔性膜片，以及压电层包括位于柔性膜片上方的压电开口。CMOS IC包括CMOS衬底和电互连结构。CMOS IC接合至MEMS IC，因此电互连结构接近压电层并且因此CMOS IC包围位于柔性膜片上方的后腔。在电互连结构和压电层之间设置支撑层。支撑层具有设置在与柔性膜片垂直对准的位置处并且是部分后腔的支撑层开口。本发明的实施例还涉及MEMS封装技术。
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公开(公告)号：CN102417154B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201110232182.1
申请日：2011-08-12
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B7/0032 , B81B2207/092 , B81C1/00269 , B81C1/00357 , B81C2203/0109 , B81C2203/0792 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本公开提供了一种用于制造含多接合衬底的MEMS器件的方法。在实施例中，该方法包括：提供包含第一接合层的微机电系统(MEMS)衬底；提供包含第二接合层的半导体衬底；以及提供包含第三接合层的盖。该方法还包括：在第一和第二接合层处将MEMS衬底接合至半导体衬底；以及在第二和第三接合层处将盖接合至半导体衬底，以紧密的封装盖与半导体衬底之间的MEMS衬底。本公开还提供了一种由上述方法制造的MEMS器件。
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公开(公告)号：CN103848390A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201310067441.9
申请日：2013-03-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B3/0078 , B81B3/0021 , B81B2203/01 , B81B2203/0118 , B81B2207/09 , B81C1/00182 , H01L29/84
摘要： 本发明公开了具有自适应性衬底间接合的MEMS结构。公开了一种包含多个结合的衬底的MEMS结构和形成该MEMS结构的方法。示例性MEMS结构包括具有底面的第一衬底和具有与第一衬底的底面基本上平行的顶面的第二衬底。第一衬底的底面通过锚固件与第二衬底的顶面连接，从而使得锚固件未延伸穿过第一衬底的底面或第二衬底的顶面。该MEMS结构可以包括接触第一衬底的底面并且被塑造成至少部分地包围锚固件的接合层。
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公开(公告)号：CN102815659A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201210010820.X
申请日：2012-01-11
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/092 , B81B2207/095 , B81B2207/096 , B81C1/00269 , B81C1/00579 , B81C2201/0111 , B81C2201/014 , B81C2201/0176 , B81C2203/0118 , B81C2203/019
摘要： 本发明提供了一种微电子机械系统(MEMS)结构的实施例，该MEMS结构包括MEMS衬底；在该MEMS衬底上设置的半导体材料的第一导电塞和第二导电塞，其中第一导电塞被配置为用于电互连，以及第二导电塞被配置为抗静摩擦力凸块；被配置在该MEMS衬底上并与第一导电塞电连接的MEMS器件；以及盖顶衬底，该盖顶衬底接合至该MEMS衬底，从而该MEMS器件被封闭在MEMS衬底和盖顶衬底之间。本发明还提供了一种具有可移动部件的半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN102745638A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210057626.7
申请日：2012-03-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： H01L29/84 , B81B2203/0307 , B81C1/00039 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供了微机电系统(MEMS)器件和用于制造这种器件的方法。在实施例中，MEMS器件包括：衬底，位于衬底上方的介电层，位于介电层上方的蚀刻停止层，以及和位于介电层上方的两个定位塞，该两个定位塞均与设置在介电层上方的蚀刻停止层或顶部金属层相接触。该器件进一步包括设置在空腔上方的MEMS结构层，该空腔通过释放牺牲层而在两个定位塞之间和位于蚀刻停止层上方的位置上形成。本发明还提供了一种微机电器件蚀刻停止。
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