-
公开(公告)号：CN103915422A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310105508.3
申请日：2013-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/0038 , B81B2207/017 , B81C2203/0792
Abstract: 本发明公开了用于半导体结构的方法和装置。一种半导体结构可以包括第一器件和第二器件，第一器件具有其上形成有第一接合层的第一表面并且第二器件具有其上形成有第二接合层的第一表面。第一接合层可以提供到第一器件中的至少一个电气器件的导电路径。第二接合层可以提供到第二器件中的至少一个电气器件的导电路径。第一器件或第二器件中的一个可以包括MEMS电气器件。第一和/或第二接合层可以由吸气材料形成，该吸气材料可以提供逸气吸收。
-
公开(公告)号：CN102417154A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110232182.1
申请日：2011-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0032 , B81B2207/092 , B81C1/00269 , B81C1/00357 , B81C2203/0109 , B81C2203/0792 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开提供了一种用于制造含多接合衬底的MEMS器件的方法。在实施例中，该方法包括：提供包含第一接合层的微机电系统(MEMS)衬底；提供包含第二接合层的半导体衬底；以及提供包含第三接合层的盖。该方法还包括：在第一和第二接合层处将MEMS衬底接合至半导体衬底；以及在第二和第三接合层处将盖接合至半导体衬底，以紧密的封装盖与半导体衬底之间的MEMS衬底。本公开还提供了一种由上述方法制造的MEMS器件。
-
公开(公告)号：CN103915422B
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201310105508.3
申请日：2013-03-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00238 , B81B7/0038 , B81B2207/017 , B81C2203/0792
Abstract: 本发明公开了用于半导体结构的方法和装置。一种半导体结构可以包括第一器件和第二器件，第一器件具有其上形成有第一接合层的第一表面并且第二器件具有其上形成有第二接合层的第一表面。第一接合层可以提供到第一器件中的至少一个电气器件的导电路径。第二接合层可以提供到第二器件中的至少一个电气器件的导电路径。第一器件或第二器件中的一个可以包括MEMS电气器件。第一和/或第二接合层可以由吸气材料形成，该吸气材料可以提供逸气吸收。
-
公开(公告)号：CN102417154B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201110232182.1
申请日：2011-08-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0032 , B81B2207/092 , B81C1/00269 , B81C1/00357 , B81C2203/0109 , B81C2203/0792 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本公开提供了一种用于制造含多接合衬底的MEMS器件的方法。在实施例中，该方法包括：提供包含第一接合层的微机电系统(MEMS)衬底；提供包含第二接合层的半导体衬底；以及提供包含第三接合层的盖。该方法还包括：在第一和第二接合层处将MEMS衬底接合至半导体衬底；以及在第二和第三接合层处将盖接合至半导体衬底，以紧密的封装盖与半导体衬底之间的MEMS衬底。本公开还提供了一种由上述方法制造的MEMS器件。
-
公开(公告)号：CN102745638A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210057626.7
申请日：2012-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/84 , B81B2203/0307 , B81C1/00039 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了微机电系统(MEMS)器件和用于制造这种器件的方法。在实施例中，MEMS器件包括：衬底，位于衬底上方的介电层，位于介电层上方的蚀刻停止层，以及和位于介电层上方的两个定位塞，该两个定位塞均与设置在介电层上方的蚀刻停止层或顶部金属层相接触。该器件进一步包括设置在空腔上方的MEMS结构层，该空腔通过释放牺牲层而在两个定位塞之间和位于蚀刻停止层上方的位置上形成。本发明还提供了一种微机电器件蚀刻停止。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102237285B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201010167364.0
申请日：2010-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶片接合机，该晶片接合机用以接合两个以上的半导体晶片，包括一壳体、一主工艺腔室以及一第一腔室。前述主工艺腔室以及第一腔室设置于壳体内部，且主工艺腔室连接第一腔室，其中前述晶片于第一腔室内被气体吹净，且前述晶片于主工艺腔室内受一外力作用并相互接合。本发明借由在晶片接合机内部配置多个腔室，当欲执行不同的工艺步骤时，仅需通过机械手臂或输送系统将晶片移动至不同的腔室中进行即可，借此能大幅缩短工艺时间并提高晶片接合机每小时的晶片产出量。
-
公开(公告)号：CN102745638B
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201210057626.7
申请日：2012-03-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/84 , B81B2203/0307 , B81C1/00039 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了微机电系统(MEMS)器件和用于制造这种器件的方法。在实施例中，MEMS器件包括：衬底，位于衬底上方的介电层，位于介电层上方的蚀刻停止层，以及和位于介电层上方的两个定位塞，该两个定位塞均与设置在介电层上方的蚀刻停止层或顶部金属层相接触。该器件进一步包括设置在空腔上方的MEMS结构层，该空腔通过释放牺牲层而在两个定位塞之间和位于蚀刻停止层上方的位置上形成。本发明还提供了一种微机电器件蚀刻停止。
-
公开(公告)号：CN102237285A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010167364.0
申请日：2010-04-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种晶片接合机，该晶片接合机用以接合两个以上的半导体晶片，包括一壳体、一主工艺腔室以及一第一腔室。前述主工艺腔室以及第一腔室设置于壳体内部，且主工艺腔室连接第一腔室，其中前述晶片于第一腔室内被气体吹净，且前述晶片于主工艺腔室内受一外力作用并相互接合。本发明借由在晶片接合机内部配置多个腔室，当欲执行不同的工艺步骤时，仅需通过机械手臂或输送系统将晶片移动至不同的腔室中进行即可，借此能大幅缩短工艺时间并提高晶片接合机每小时的晶片产出量。
-
公开(公告)号：CN102530851B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201110082943.X
申请日：2011-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00269 , B32B7/12 , B32B15/043 , B32B15/20 , B32B2255/24 , B32B2307/746 , B32B2457/00 , B81B3/0005 , B81C2201/112 , Y10T428/12674 , Y10T428/12708 , Y10T428/12736 , Y10T428/12986
Abstract: 本发明公开了不含有抗粘附层的接合和接合方法。示例性的方法包括形成第一接合层；形成位于第一接合层上方的隔层；形成位于隔层上方的抗粘附层；以及从第一接合层和隔层形成液体，使得抗粘附层在所述第一接合层上方漂浮。当抗粘附层在第一接合层上方漂浮时可以将第二接合层接合到第一接合层，使得第一接合层和第二接合层之间的接合不包括抗粘附层。
-
公开(公告)号：CN103245612B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210194919.X
申请日：2012-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01N21/55 , G01N21/01 , G01N21/253 , G01N27/327 , G01N33/483 , G01N2021/0106 , G01N2201/0636
Abstract: 一种形成生物传感结构的方法，包括开槽部分衬底，从而在衬底中形成多个平台。多个平台中的每个均具有顶面和与该顶面相邻的侧壁面。第一反光层沉积在每个平台的顶面和侧壁面上方。填充材料形成在第一反光层的第一部分上方。停止层沉积在填充材料和第一反光层的第二部分上方。牺牲层形成在停止层上方并且被平坦化，暴露出停止层。第一开口形成在停止层和第一反光层中。第二反光层沉积在第一开口上方。第二开口形成在第二反光层中。本发明还提供一种生物传感结构。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.038 seconds)
