公开(公告)号：CN114162777A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110991705.4

申请日：2021-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢宗霖 ,  毛威智 ,  蔡尚颖 ,  张贵松 ,  郑钧文

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本公开的各种实施例针对包括引线键合阻尼器的微机电系统封装件。壳体结构位于支撑衬底上，并且微机电系统结构位于支撑衬底和壳体结构之间。微机电系统结构包括锚固件、弹簧和可移动块。弹簧从锚固件延伸到可移动块，以将可移动块悬挂在支撑衬底和壳体结构之间的腔体中并允许其移动。引线键合阻尼器位于可移动块上或可移动块周围的结构上。例如，引线键合阻尼器可以位于可移动块的顶面上。作为另一示例，引线键合阻尼器可以位于支撑衬底上，横向介于锚固件和可移动块之间。此外，引线键合阻尼器包括通过引线键合形成并且被配置为抑制对可移动块的冲击的引线。本发明的实施例还涉及用于形成微机电系统封装件的方法。

公开(公告)号：CN113044800B

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202011265692.4

申请日：2020-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张贵松 ,  蔡尚颖 ,  毛威智

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明的各个实施例针对包括复合弹簧的微电子机械系统(MEMS)结构。第一衬底位于第二衬底下面。第三衬底位于第二衬底上面。第一衬底、第二衬底和第三衬底至少部分地限定腔。第二衬底包括位于腔中并且位于第一衬底和第三衬底之间的可移动块。复合弹簧从第二衬底的外围区域延伸至可移动块。复合弹簧配置为将可移动块悬置在腔中。复合弹簧包括第一弹簧层和第二弹簧层，第一弹簧层包括第一晶体取向，第二弹簧层包括与第一晶体取向不同的第二晶体取向。本发明的实施例还涉及MEMS结构的形成方法、集成芯片。

公开(公告)号：CN113044800A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011265692.4

申请日：2020-11-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张贵松 ,  蔡尚颖 ,  毛威智

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明的各个实施例针对包括复合弹簧的微电子机械系统(MEMS)结构。第一衬底位于第二衬底下面。第三衬底位于第二衬底上面。第一衬底、第二衬底和第三衬底至少部分地限定腔。第二衬底包括位于腔中并且位于第一衬底和第三衬底之间的可移动块。复合弹簧从第二衬底的外围区域延伸至可移动块。复合弹簧配置为将可移动块悬置在腔中。复合弹簧包括第一弹簧层和第二弹簧层，第一弹簧层包括第一晶体取向，第二弹簧层包括与第一晶体取向不同的第二晶体取向。本发明的实施例还涉及MEMS结构的形成方法、集成芯片。

公开(公告)号：CN111115550B

公开(公告)日：2023-12-15

申请号：CN201910917210.X

申请日：2019-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  朱家骅 ,  郭文政 ,  毛威智

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

Abstract: 集成互补金属氧化物半导体‑微机电系统器件包括互补金属氧化物半导体结构、顶盖结构及微机电系统结构。互补金属氧化物半导体结构制作于第一衬底上且包括至少一个传导层。顶盖结构包括穿过顶盖结构的通孔且具有沉积在顶盖结构的第一侧上的隔离层且具有沉积在顶盖结构的第二侧上的导电布线层。微机电系统结构沉积在第一衬底与顶盖结构之间。集成互补金属氧化物半导体‑微机电系统器件还包括导电连接件，导电连接件穿过通孔中的一者且穿过顶盖结构上的隔离层中的开口。导电连接件将顶盖结构上的导电布线层中的导电路径与互补金属氧化物半导体结构的至少一个传导层进行导电连接。

公开(公告)号：CN114628338A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202210163423.X

申请日：2022-02-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 毛威智 ,  张贵松 ,  蔡尚颖

IPC: H01L23/16 ,  H01L23/14 ,  H01L23/49 ,  H01L23/04 ,  H01L25/18

Abstract: 在一些实施例中，本公开涉及一种集成芯片，所述集成芯片包括：衬底；设置在所述衬底之上的第一管芯；贴合到所述第一管芯的前侧的金属线；和沿着所述第一管芯的后侧设置且被配置成控制所述第一管芯的操作角度的第一多个管芯止挡凸块。所述第一多个管芯止挡凸块直接接触所述第一管芯的后侧表面。

公开(公告)号：CN111115550A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201910917210.X

申请日：2019-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑钧文 ,  朱家骅 ,  郭文政 ,  毛威智

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

Abstract: 集成互补金属氧化物半导体-微机电系统器件包括互补金属氧化物半导体结构、顶盖结构及微机电系统结构。互补金属氧化物半导体结构制作于第一衬底上且包括至少一个传导层。顶盖结构包括穿过顶盖结构的通孔且具有沉积在顶盖结构的第一侧上的隔离层且具有沉积在顶盖结构的第二侧上的导电布线层。微机电系统结构沉积在第一衬底与顶盖结构之间。集成互补金属氧化物半导体-微机电系统器件还包括导电连接件，导电连接件穿过通孔中的一者且穿过顶盖结构上的隔离层中的开口。导电连接件将顶盖结构上的导电布线层中的导电路径与互补金属氧化物半导体结构的至少一个传导层进行导电连接。

公开(公告)号：CN219823664U

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202320116869.7

申请日：2023-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 毛威智 ,  蔡尚颖 ,  张贵松 ,  郑钧文

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02

Abstract: 本实用新型的各种实施例是有关于一种集成芯片(IC)，所述集成芯片包括衬底。所述衬底上设置有多个粘合结构。所述粘合结构上设置有微机电系统(MEMS)结构。所述MEMS结构包括设置于空腔内的可移动器件。所述可移动器件与所述衬底之间设置有第一多个终止凸块。