公开(公告)号：CN114162777A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110991705.4

申请日：2021-08-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢宗霖 ,  毛威智 ,  蔡尚颖 ,  张贵松 ,  郑钧文

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本公开的各种实施例针对包括引线键合阻尼器的微机电系统封装件。壳体结构位于支撑衬底上，并且微机电系统结构位于支撑衬底和壳体结构之间。微机电系统结构包括锚固件、弹簧和可移动块。弹簧从锚固件延伸到可移动块，以将可移动块悬挂在支撑衬底和壳体结构之间的腔体中并允许其移动。引线键合阻尼器位于可移动块上或可移动块周围的结构上。例如，引线键合阻尼器可以位于可移动块的顶面上。作为另一示例，引线键合阻尼器可以位于支撑衬底上，横向介于锚固件和可移动块之间。此外，引线键合阻尼器包括通过引线键合形成并且被配置为抑制对可移动块的冲击的引线。本发明的实施例还涉及用于形成微机电系统封装件的方法。

公开(公告)号：CN110957353A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910618466.0

申请日：2019-07-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈敏璋 ,  谢宗霖 ,  林柏廷

IPC: H01L29/20 ,  H01L29/04 ,  H01L29/778 ,  H01L23/64

Abstract: 根据本文描述的实施方式的技术涉及包括氮化铝AlN层或氮化铝镓AlGaN层作为铁电层的半导体装置，以及制造具有铁电性质的AlN/AlGaN的薄膜的方法。在铁电晶体管中，在介于栅极电极和第二半导体层(例如GaN层)之间形成表现铁电性质的AlN/AlGaN的薄膜。