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公开(公告)号：CN103858237A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280048518.1
申请日：2012-10-06
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/66
CPC classification number: B81C1/0023 , B81B2207/015 , B81C1/00801 , B81C2203/0714 , B81C2203/0742 , H01L21/565 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 用于制造将衬底上的机电器件和CMOS器件分隔开的阻挡层的结构和方法。示例性结构包括密封机电器件的保护层，其中所述阻挡层可以耐受能够去除所述保护层但不能去除所述阻挡层的蚀刻工艺。所述衬底可以是绝缘体上硅或者多层晶片衬底。所述机电器件可以是微机电系统（MEMS）或者纳机电系统（NEMS）。
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公开(公告)号：CN102757015A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210248287.0
申请日：2010-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2201/0257 , B81C2201/056 , B81C2203/0714 , B81C2203/0728
Abstract: 本发明提供了一种集成互补金属氧化物半导体-微型机电系统器件的制造方法，包括提供具有正面和背面的衬底。在所述衬底上形成有CMOS器件。MEMS器件也形成在所述衬底上。形成MEMS器件包括在所述衬底的正面上形成MEMS机械结构。然后释放所述MEMS机械结构。保护层形成在所述衬底的正面。保护层设置在释放的MEMS机械结构上(例如保护MEMS结构)。在将保护层设置到所述MEMS机械结构上的同时处理所述衬底的背面。
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公开(公告)号：CN102381677A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110037693.8
申请日：2011-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 周正三
CPC classification number: B81B7/0032 , B81B2201/025 , B81C1/00246 , B81C2203/0109 , B81C2203/0714 , H01L2224/83805
Abstract: 本发明公开了一种复合晶片半导体元件，其包含第一晶片和第二晶片。第一晶片具有第一侧与第二侧，而第二侧是实质相对于第一侧。复合晶片半导体元件亦包含隔离组与自由空间，其中隔离组是形成于第一晶片的第一侧，且于隔离组中蚀刻出上述自由空间。第二晶片接合至上述隔离组。形成如惯性感测元件的浮动结构于上述自由空间之上的第二晶片之中。在一实施例中，表面接合垫形成于第一晶片的第二侧。接着，使用穿透硅介层窗(TSV)导体电性连结浮动结构至表面接合垫。
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公开(公告)号：CN102275857A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201010200714.9
申请日：2010-06-11
Applicant: 江苏丽恒电子有限公司
CPC classification number: H02N1/006 , B81B2201/0235 , B81C1/00333 , B81C2203/0136 , B81C2203/0714
Abstract: 本发明提供了一种微机电装置及其制造方法，该装置包括微机电器件，所述微机电器件包括：主体和可动电极，所述可动电极通过固定件和所述主体活动连接，所述主体内具有固定电极，所述可动电极可以相对于所述固定电极移动；所述主体中具有凹槽；所述可动电极悬置于所述凹槽内；在凹槽上方和在所述主体上具有第一介质层，所述第一介质层将所述凹槽围成封闭空间，所述可动电极通过所述固定件悬置在所述封闭空间内，在所述凹槽上方的第一介质层中具有通孔，所述通孔内填充有第二介质层，从而可以对微机电器件进行有效的封装。
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公开(公告)号：CN108946656A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710377577.8
申请日：2017-05-25
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00801 , B81B2201/0214 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81C1/00031 , B81C1/00214 , B81C1/00896 , B81C2201/053 , B81C2203/0714 , B81C2203/0735 , B81C2203/0742 , G03F7/004 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/2053 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/02118 , H01L21/02348 , H01L21/02351 , H01L21/02354 , H01L21/0273 , H01L21/0275 , H01L21/304 , H01L21/78 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/14 , B81C1/00785
Abstract: 本发明公开一种半导体制作工艺，包括以下步骤。提供晶片，其中晶片具有正面与背面，且在晶片的正面上具有半导体元件。在晶片的正面上形成保护层，其中保护层覆盖半导体元件，且保护层的材料包括光致抗蚀剂材料。对保护层进行表面硬化处理制作工艺。对晶片的背面进行第一图案化制作工艺。上述半导体制作工艺在进行晶背制作工艺时可有效地对晶片的正面进行保护。上述半导体制作工艺在进行晶背制作工艺时可有效地对晶片的正面进行保护。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103443020B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280005251.8
申请日：2012-01-13
Applicant: 卡文迪什动力有限公司
Inventor： 迈克·雷诺 , 约瑟夫·达米安·戈登·拉西 , 维克拉姆·乔希 , 托马斯·L·麦圭尔
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2207/096 , B81C1/00039 , B81C1/00333 , B81C1/00476 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81C2203/0145 , B81C2203/0714
Abstract: 本发明一般涉及生产MEMS或NEMS器件的方法及器件本身。具有比悬臂结构体低的复合系数的材料的薄层可沉积于悬臂结构体、RF电极和拉拔电极上。该薄层允许引入至空腔的蚀刻气体降低空腔内的总蚀刻剂复合速率，因此增加空腔内牺牲材料的蚀刻速率。蚀刻剂本身可经由与悬臂结构体的锚定部分线性对准的包封层中的开口引入，使得牺牲材料的最顶层首先得以蚀刻。此后，密封材料可密封空腔并在空腔中一直延伸至锚定部分以为锚定部分提供额外的强度。
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公开(公告)号：CN102646644B
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201210037533.8
申请日：2012-02-17
Applicant: NXP股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L27/02 , H01L23/522 , H01L21/768 , G01N27/22
CPC classification number: H01L23/564 , B81C1/00246 , B81C2203/0714 , H01L21/4853 , H01L21/56 , H01L22/34 , H01L23/3192 , H01L23/49811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种集成电路，包括：承载多个电路元件的衬底(10)；互连所述电路元件的金属化叠层(12，14，16)，所述金属化叠层包括包含第一金属部(20)的图案化上金属化层；覆盖金属化叠层的钝化叠层(24，26，28)；和传感器，包括位于钝化叠层上的传感材料(40)，所述传感器通过延伸穿过钝化叠层的通路(34)连接至第一金属部。还公开了制造这种IC的方法。
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公开(公告)号：CN104045048A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410093116.4
申请日：2014-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0041 , B81C1/00158 , B81C1/00238 , B81C1/00301 , B81C2201/019 , B81C2203/00 , B81C2203/0714 , B81C2203/0792 , H01L23/10 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/04026 , H01L2224/2745 , H01L2224/27452 , H01L2224/27831 , H01L2224/29011 , H01L2224/291 , H01L2224/29124 , H01L2224/29147 , H01L2224/32145 , H01L2224/83805 , H01L2224/8382 , H01L2924/01322 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种堆叠半导体器件包括CMOS器件和MEMS器件。CMOS器件包括多层互连件，在该多层互连件上方设置有金属元件。MEMS器件包括金属部分，在该金属部分上方设置有第一介电层。位于第一介电层中的腔露出部分金属部分。介电停止层至少设置在腔的内表面的上方。可移动结构设置在第一介电层的正面上方并悬于腔的上方。可移动结构包括位于第一介电层的正面上方且悬于腔上方的第二介电层、位于第二介电层上方的金属部件和位于金属部件上方的柔性介电膜。CMOS器件通过朝向柔性介电膜的金属元件接合至MEMS器件。本发明还提供了堆叠半导体器件的形成方法。
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公开(公告)号：CN102134054B
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201010172538.2
申请日：2010-05-07
Applicant: 鑫创科技股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B2203/0315 , B81B2207/015 , B81C2201/016 , B81C2203/0714 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00
Abstract: 一种用于制造MEMS装置的方法，其包含：提供单晶体衬底，其具有第一表面和第二表面且具有MEMS区和IC区；在第一表面上在MEMS区中形成SCS质量块；在衬底的第一表面上形成结构介电层，其中结构介电层的介电部件填充于围绕MEMS区中的SCS质量块的空间中，IC区具有电路结构，所述电路结构具有形成于结构介电层中的互连结构；通过蚀刻工艺在第二表面上将单晶体衬底图案化以暴露填充于围绕SCS质量块的空间中的介电部件的一部分；至少对填充于围绕SCS质量块的空间中的介电部分执行各向同性蚀刻工艺。暴露SCS质量块以释放MEMS结构。
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公开(公告)号：CN102646644A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201210037533.8
申请日：2012-02-17
Applicant: NXP股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L27/02 , H01L23/522 , H01L21/768 , G01N27/22
CPC classification number: H01L23/564 , B81C1/00246 , B81C2203/0714 , H01L21/4853 , H01L21/56 , H01L22/34 , H01L23/3192 , H01L23/49811 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 公开了一种集成电路，包括：承载多个电路元件的衬底(10)；互连所述电路元件的金属化叠层(12，14，16)，所述金属化叠层包括包含第一金属部(20)的图案化上金属化层；覆盖金属化叠层的钝化叠层(24，26，28)；和传感器，包括位于钝化叠层上的传感材料(40)，所述传感器通过延伸穿过钝化叠层的通路(34)连接至第一金属部。还公开了制造这种IC的方法。
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