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公开(公告)号：CN105593964B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201480054306.3
申请日：2014-09-24
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 迈克·雷诺 , 维克拉姆·乔希 , 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩 , 托马斯·L·麦圭尔 , 理查德·L·奈普
CPC分类号： H01G5/16 , B81B3/0086 , B81B2201/0221 , B81B2203/04 , B81C1/00166 , B81C2201/0104 , B81C2201/0109 , H01G5/011 , H01H59/0009
摘要： 本发明总体上涉及MEMS器件及其制造方法。RF电极、以及因此在该RF电极上的介电层具有曲形上表面，该上表面与可移动板底面的接触区域基本匹配。如此，可移动板能够具有与介电层的良好接触，并且因此获得良好的电容。
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公开(公告)号：CN105555704B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201480048429.6
申请日：2014-09-02
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 布莱恩·I·特洛伊 , 詹姆斯·F·波比亚 , 迈克·雷诺 , 约瑟夫·达米安·戈登·拉西 , 托马斯·L·麦圭尔
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00611 , H01G5/16
摘要： 本发明总体上涉及一种制造MEMS器件的方法。在MEMS器件中，可移动板被布置在空腔内，使得可移动板能够在所述空腔内移动。为了形成空腔，可以沉积牺牲材料然后将所述可移动板的材料沉积于其上。所述牺牲材料被移除以释放可移动板在所述空腔内移动。牺牲材料一旦被沉积，就可能不是足够平面的，这是因为所述牺牲材料的最高点与最低点之间的高度差可能是相当大的。为了确保可移动板是足够平面的，牺牲材料的平面度应当被最大化。为了使牺牲材料的表面平面度最大化，牺牲材料可以被沉积然后被传导加热以允许牺牲材料回流并且由此被平面化。
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公开(公告)号：CN103732528A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201280038717.4
申请日：2012-08-03
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 布莱恩·I·特洛伊 , 迈克·雷诺 , 托马斯·L·麦圭尔 , 约瑟夫·达米安·戈登·拉西 , 詹姆斯·F·波比亚
CPC分类号： B81C1/00484 , B81B3/0008 , B81B2201/014 , B81B2201/018 , B81B2203/0118 , B81C2201/0108 , H01H1/0036 , H01H2001/0089
摘要： 本发明通常涉及一种来自附着力促进剂材料的硅残留物从空腔底部减少或甚至消除的MEMS装置。附着力促进剂典型地用于将牺牲材料粘附到衬底上的材料。然后，将附着力促进剂与牺牲材料层一起移除。然而，在移除时附着力促进剂在空腔内留下基于硅的残留物。本发明人发现可以在沉积牺牲材料之前将附着力促进剂从空腔区域移除。残留在衬底的剩余部分上的附着力促进剂足以将牺牲材料粘附到衬底，而不用担心牺牲层脱层。因为在装置的空腔区域中不使用附着力促进剂，所以在解放MEMS装置的开关元件之后在空腔内不会存在硅残留物。
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公开(公告)号：CN102858681A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180020735.5
申请日：2011-02-25
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 约瑟夫·达米安·戈登·拉西 , 托马斯·L·麦圭尔 , 维克拉姆·乔希 , 丹尼斯·J·约斯特
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00095 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/00611 , B81C2201/0104
摘要： 本发明大体而言涉及互补式金属氧化物半导体(CMOS)后段(BEOL)处理中微机电系统(MEMS)悬臂式开关(cantilever switch)的形成。所述悬臂式开关经形成为与所述结构中的下电极电气交流。所述下电极可全覆沉积并图案化或仅沉积在下层结构的介层洞(via)或沟槽内。然后利用化学机械研磨或平坦化(CMP)处理将用于所述下电极的过量材料平坦化。接下来在所述平坦化的下电极上形成所述悬臂式开关。
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公开(公告)号：CN103732528B
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201280038717.4
申请日：2012-08-03
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 布莱恩·I·特洛伊 , 迈克·雷诺 , 托马斯·L·麦圭尔 , 约瑟夫·达米安·戈登·拉西 , 詹姆斯·F·波比亚
摘要： 本发明通常涉及一种来自附着力促进剂材料的硅残留物从空腔底部减少或甚至消除的MEMS装置。附着力促进剂典型地用于将牺牲材料粘附到衬底上的材料。然后，将附着力促进剂与牺牲材料层一起移除。然而，在移除时附着力促进剂在空腔内留下基于硅的残留物。本发明人发现可以在沉积牺牲材料之前将附着力促进剂从空腔区域移除。残留在衬底的剩余部分上的附着力促进剂足以将牺牲材料粘附到衬底，而不用担心牺牲层脱层。因为在装置的空腔区域中不使用附着力促进剂，所以在解放MEMS装置的开关元件之后在空腔内不会存在硅残留物。
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公开(公告)号：CN103443020B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280005251.8
申请日：2012-01-13
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 迈克·雷诺 , 约瑟夫·达米安·戈登·拉西 , 维克拉姆·乔希 , 托马斯·L·麦圭尔
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2207/096 , B81C1/00039 , B81C1/00333 , B81C1/00476 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81C2203/0145 , B81C2203/0714
摘要： 本发明一般涉及生产MEMS或NEMS器件的方法及器件本身。具有比悬臂结构体低的复合系数的材料的薄层可沉积于悬臂结构体、RF电极和拉拔电极上。该薄层允许引入至空腔的蚀刻气体降低空腔内的总蚀刻剂复合速率，因此增加空腔内牺牲材料的蚀刻速率。蚀刻剂本身可经由与悬臂结构体的锚定部分线性对准的包封层中的开口引入，使得牺牲材料的最顶层首先得以蚀刻。此后，密封材料可密封空腔并在空腔中一直延伸至锚定部分以为锚定部分提供额外的强度。
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公开(公告)号：CN105593964A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480054306.3
申请日：2014-09-24
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 迈克·雷诺 , 维克拉姆·乔希 , 罗伯托·彼得勒斯·范·卡普恩 , 托马斯·L·麦圭尔 , 理查德·L·奈普
CPC分类号： H01G5/16 , B81B3/0086 , B81B2201/0221 , B81B2203/04 , B81C1/00166 , B81C2201/0104 , B81C2201/0109 , H01G5/011 , H01H59/0009
摘要： 本发明总体上涉及MEMS器件及其制造方法。RF电极、以及因此在该RF电极上的介电层具有曲形上表面，该上表面与可移动板底面的接触区域基本匹配。如此，可移动板能够具有与介电层的良好接触，并且因此获得良好的电容。
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公开(公告)号：CN105555704A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201480048429.6
申请日：2014-09-02
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 布莱恩·I·特洛伊 , 詹姆斯·F·波比亚 , 迈克·雷诺 , 约瑟夫·达米安·戈登·拉西 , 托马斯·L·麦圭尔
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00611 , H01G5/16
摘要： 本发明总体上涉及一种制造MEMS器件的方法。在MEMS器件中，可移动板被布置在空腔内，使得可移动板能够在所述空腔内移动。为了形成空腔，可以沉积牺牲材料然后将所述可移动板的材料沉积于其上。所述牺牲材料被移除以释放可移动板在所述空腔内移动。牺牲材料一旦被沉积，就可能不是足够平面的，这是因为所述牺牲材料的最高点与最低点之间的高度差可能是相当大的。为了确保可移动板是足够平面的，牺牲材料的平面度应当被最大化。为了使牺牲材料的表面平面度最大化，牺牲材料可以被沉积然后被传导加热以允许牺牲材料回流并且由此被平面化。
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公开(公告)号：CN102858681B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180020735.5
申请日：2011-02-25
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 约瑟夫·达米安·戈登·拉西 , 托马斯·L·麦圭尔 , 维克拉姆·乔希 , 丹尼斯·J·约斯特
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00095 , B81B2203/04 , B81B2207/07 , B81C1/00611 , B81C2201/0104
摘要： 本发明大体而言涉及互补式金属氧化物半导体(CMOS)后段(BEOL)处理中微机电系统(MEMS)悬臂式开关(cantilever switch)的形成。所述悬臂式开关经形成为与所述结构中的下电极电气交流。所述下电极可全覆沉积并图案化或仅沉积在下层结构的介层洞(via)或沟槽内。然后利用化学机械研磨或平坦化(CMP)处理将用于所述下电极的过量材料平坦化。接下来在所述平坦化的下电极上形成所述悬臂式开关。
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公开(公告)号：CN103443020A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280005251.8
申请日：2012-01-13
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 迈克·雷诺 , 约瑟夫·达米安·戈登·拉西 , 维克拉姆·乔希 , 托马斯·L·麦圭尔
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2203/0118 , B81B2203/0307 , B81B2207/096 , B81C1/00039 , B81C1/00333 , B81C1/00476 , B81C2201/0132 , B81C2201/014 , B81C2203/0145 , B81C2203/0714
摘要： 本发明一般涉及生产MEMS或NEMS器件的方法及器件本身。具有比悬臂结构体低的复合系数的材料的薄层可沉积于悬臂结构体、RF电极和拉拔电极上。该薄层允许引入至空腔的蚀刻气体降低空腔内的总蚀刻剂复合速率，因此增加空腔内牺牲材料的蚀刻速率。蚀刻剂本身可经由与悬臂结构体的锚定部分线性对准的包封层中的开口引入，使得牺牲材料的最顶层首先得以蚀刻。此后，密封材料可密封空腔并在空腔中一直延伸至锚定部分以为锚定部分提供额外的强度。
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