具有受限的晶粒生长的RF MEMS电极

    公开(公告)号:CN105493221B

    公开(公告)日:2018-10-16

    申请号:CN201480047864.7

    申请日:2014-08-27

    发明人: 迈克·雷诺

    摘要: 本发明总体上涉及RF MEMS DVC及其制造方法。为了确保不发生不期望的晶粒生长并且促成不均匀的RF电极,可以使用包含铝铜层和含钛层的多层堆叠。钛在较高温度下扩散到铝铜层中,使得铝铜的晶粒生长会被抑制并且能够制造具有一致结构的开关元件,其导致在工作期间一致的、可预测的电容。