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公开(公告)号：CN106395730B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201610004627.3
申请日：2016-01-05
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2207/012 , B81C2201/053 , B81C2203/0792
摘要： 半导体结构包括第一器件和第二器件。第一器件包括板，该板包括多个孔；与板相对设置并且包括多个波纹的膜；以及延伸穿过板和膜的导电插塞。第二器件包括衬底和设置在衬底上方的接合焊盘，其中，导电插塞与接合焊盘接合以将第一器件和第二器件集成，以及该板包括半导体构件和拉伸构件，并且半导体构件设置在拉伸构件内。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN105189821A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201480021763.2
申请日：2014-04-09
CPC分类号： B81C1/00111 , B81B1/008 , B81B2201/12 , B81B2203/0361 , B81C2201/0132 , B81C2201/053 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , G01Q70/12 , H01L21/3065 , H01L21/31144 , H01L21/32134 , H01L21/32139
摘要： 本发明提供了一种批量生产纳米级结构(如高纵横比的硅柱阵列)的方法。本发明还涉及使用改进的制造方法制造高纵横比硅柱阵列。硅柱阵列由低纵横比的金字塔形结构阵列制造而成。以批量处理的方式在各个金字塔形结构顶部形成硬质材料掩模(如金属掩模)。随后对金字塔形结构进行蚀刻，去除硬质掩模未保护的衬底材料，从而在金字塔形低纵横比的基础上形成一个高纵横比的柱或柱体，制造出高纵横比硅柱阵列。
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公开(公告)号：CN104843631A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510224045.1
申请日：2015-02-15
申请人： 罗伯特·博世有限公司
CPC分类号： B81C1/00595 , B81B7/0077 , B81B2203/06 , B81B2207/07 , B81C1/00571 , B81C2201/0132 , B81C2201/053
摘要： 用于微机械结构元件(200)的层组件(100)，其具有：第一层(10)，其既可用于所述结构元件(200)的电布线也可用作所述结构元件(200)的电极；和耐氧化物蚀刻的第二层(20)，其布置在第一层(10)的下方，其中，该第二层(20)基本上在一个平面内构造。
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公开(公告)号：CN103935953A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410172235.9
申请日：2014-04-25
申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00158 , B81C1/00396 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/019 , B81C2201/0198 , B81C2201/053
摘要： 本发明提供一种复合腔体的形成方法，包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成氧化层；对氧化层作图形化，形成一个或多个凹槽，凹槽的位置与待形成的小腔体的位置对应；提供键合片，将其与图形化的氧化层键合，在硅衬底与键合片之间形成一个或多个密闭的微腔结构；在键合片的上方形成保护膜，并在硅衬底的背面形成掩蔽层；对掩蔽层作图形化，掩蔽层的图形与待形成的大腔体的位置对应；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至其正面的氧化层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和氧化层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片至其上方的保护膜，在键合片中形成一个或多个小腔体。本发明很好地控制了复合腔体中小腔体所在的半导体介质层的厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN101119924B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200580048189.0
申请日：2005-12-21
申请人： 罗伯特·博世有限公司
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B2201/0264 , B81C1/00476 , B81C2201/0109 , B81C2201/053
摘要： 本发明描述了一种用于制造微机械膜片传感器的方法以及一种借助所述方法制造的微机械膜片传感器。在此规定，微机械膜片传感器具有至少一个第一膜片和一个基本上在第一膜片之上的第二膜片。此外还规定，微机械膜片传感器具有第一空腔和基本上在第一空腔之上的第二空腔。
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公开(公告)号：CN1495293A
公开(公告)日：2004-05-12
申请号：CN03156788.6
申请日：2003-09-12
申请人： PTS公司
CPC分类号： B82Y30/00 , B81C1/00476 , B81C1/00801 , B81C2201/0114 , B81C2201/0133 , B81C2201/0139 , B81C2201/053
摘要： 本发明涉及一种微机电结构，其通过在基片上沉积牺牲材料和结构材料而在一个电附着于基片的部件上形成一个结构层来形成。该结构层的电位高于该部件的电位。至少部分结构材料用保护材料覆盖，该保护材料的电位低于或等于部件的电位。该牺牲材料用一种脱除溶液去除。至少部分保护材料和脱除溶液经过表面活性剂处理，该表面活性剂对该部件的一个表面起作用。
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公开(公告)号：CN109716511A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780058052.6
申请日：2017-08-14
申请人： QORVO美国公司
发明人： 扬·爱德华·万德梅尔 , 乔纳森·哈勒·哈蒙德 , 朱利奥·C·科斯塔
CPC分类号： B81C1/00801 , B81B7/0025 , B81B7/007 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81B2207/096 , B81B2207/115 , B81C1/0023 , B81C2201/053 , B81C2203/0792 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3135 , H01L23/3192 , H01L23/4334 , H01L23/5389 , H01L23/544 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2223/54486 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2924/1461 , H01L2924/18162 , H01L2924/19011 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K1/185 , H05K3/284 , H05K2201/10083 , H05K2203/1316 , H05K2203/1322 , H05K2203/308
摘要： 本公开涉及一种晶片级封装，所述晶片级封装包括第一薄化裸片(12)、多层再分布结构(18)、第一模化合物(20)以及第二模化合物(22)。所述第一薄化裸片包括由玻璃材料形成的第一装置层(24)。所述多层再分布结构包括再分布互连件，所述再分布互连件将所述第一装置层连接到在所述多层再分布结构的底部表面上的封装触点(44)。在本文中，所述再分布互连件与所述第一装置层之间的连接不含焊料。所述第一模化合物驻留在所述多层再分布结构上方并且围绕所述第一薄化裸片，并且延伸超出所述第一薄化裸片的顶部表面以限定在所述第一模化合物内并且在所述第一薄化裸片上方的开口。所述第二模化合物填充所述开口并且与所述第一薄化裸片的所述顶部表面接触。
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公开(公告)号：CN106082110A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610244599.2
申请日：2016-04-19
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00896 , B81C1/00269 , B81C1/00801 , B81C2201/0194 , B81C2201/053 , B81C1/00261 , B81B7/0058 , B81C1/00325 , B81C2203/0118 , B81C2203/019
摘要： 本发明提出了一种制造芯片封装体的方法。在第一晶片上提供多个芯片。每个芯片都包括通向所述芯片的第一主表面的腔。所述腔被临时地填充或盖住。然后所述芯片被单片化。将单片化的芯片嵌设到封装材料中。然后重新暴露所述腔。
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公开(公告)号：CN103818872B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310471850.5
申请日：2013-10-11
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00825 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C1/00873 , B81C2201/017 , B81C2201/053 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2201/003
摘要： MEMS器件和制造MEMS器件的方法。公开了一种用于制造MEMS器件的方法。此外，公开了MEMS器件和包括该MEMS器件的模块。实施例包括一种用于制造MEMS器件的方法，包括在基板的第一主表面上形成MEMS堆叠、在基板的第二主表面上形成聚合物层并在聚合物层和基板中形成第一开口，使得第一开口邻接MEMS堆叠。
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公开(公告)号：CN105593157A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201480054613.1
申请日：2014-09-15
申请人： 卡文迪什动力有限公司
发明人： 迈克·雷诺
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/0038 , B81C1/00801 , B81C2201/0108 , B81C2201/0176 , B81C2201/053
摘要： 本发明总体涉及形成MEMS器件的方法以及通过该方法形成的MEMS器件。在形成MEMS器件时，在腔体内围绕开关元件沉积牺牲材料。所述牺牲材料最终被移除以释放腔内的开关元件。所述开关元件具有在其之上的薄介电层以阻止蚀刻剂与该开关元件的导电材料相互作用。在制造过程期间，介电层被沉积在牺牲材料之上。为了确保介电层和牺牲材料之间的良好粘附，在将介电层沉积在牺牲材料上之前在牺牲材料上沉积富含硅的氧化硅层。
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