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公开(公告)号：CN108226247A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710843787.1
申请日：2017-09-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/327
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置，所述半导体装置包括具有嵌入于所述半导体装置内的片上参考电极的生物传感器。在一些实施例中，一对源极/漏极区安置于装置衬底内且由沟道区分离。隔离层安置于所述装置衬底上方。感测井自所述隔离层的上表面安置而上覆所述沟道区。生物感测膜沿所述隔离层的所述上表面安置且沿所述感测井的侧壁及下表面延伸。参考电极垂直安置于所述生物感测膜与所述隔离层之间。
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公开(公告)号：CN107452677A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201611153074.4
申请日：2016-12-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/78
Abstract: 一种制造半导体结构的方法包括：提供第一晶圆；提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的第二晶圆；使第二晶圆的第一表面与第一晶圆接触；以及在第二晶圆的第二表面上形成多条划线；其中，多条划线从第二晶圆的第三表面突出，并且第三表面介于第一表面和第二表面之间。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
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公开(公告)号：CN103865789B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310060247.8
申请日：2013-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01N33/54366 , B01L3/502792 , B01L2300/0654 , B01L2300/0816 , B01L2300/0887 , B01L2300/161 , B01L2400/0427
Abstract: 公开了一种用于操作和处理生物实体样本的集成半导体器件。器件包括连接至射流控制电路的微流通道，连接至传感器控制电路的光电传感器阵列，与光电传感器阵列对准以在光信号到达光电传感器阵列之前操作光信号的光学元件，以及连接至微流通道并通过电润湿提供生物实体样本液滴的传输的微流栅格。器件进一步包括连接至射流控制电路和传感器控制电路的逻辑电路，其中，在第一衬底上形成射流控制电路、传感器控制电路和逻辑电路。本发明还提供了集成生物实体操作和处理半导体器件的系统及方法。
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公开(公告)号：CN105800543B
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201510458907.7
申请日：2015-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明提供了用于微电子机械系统(MEMS)器件的衬底结构、半导体结构及其制造方法。在各个实施例中，用于MEMS器件的衬底结构包括衬底、MEMS器件和抗粘层。MEMS器件位于衬底上方。抗粘层位于MEMS器件的表面上，并且包括非晶碳、聚四氟乙烯、氧化铪、氧化钽、氧化锆或它们的组合。
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公开(公告)号：CN109307701A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201711281901.2
申请日：2017-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N27/414
Abstract: bioFET器件包括具有第一表面和与第一表面相对、平行的第二表面的半导体衬底以及半导体衬底上的多个bioFET传感器。每个bioFET传感器均包括形成在半导体衬底的第一表面上的栅极以及形成在栅极下面的半导体衬底内和半导体衬底中的源极/漏极(S/D)区域之间的沟道区域。沟道区域包括半导体衬底的第二表面的部分。隔离层设置在半导体衬底的第二表面上。隔离层具有位于多个bioFET传感器的多于一个bioFET传感器的沟道区域上方的开口。界面层设置在开口中的多于一个bioFET传感器的沟道区域上。本发明的实施例涉及BioFET器件的制造方法和传感器阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106395730B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201610004627.3
申请日：2016-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0072 , B81B2201/0257 , B81B2207/012 , B81C2201/053 , B81C2203/0792
Abstract: 半导体结构包括第一器件和第二器件。第一器件包括板，该板包括多个孔；与板相对设置并且包括多个波纹的膜；以及延伸穿过板和膜的导电插塞。第二器件包括衬底和设置在衬底上方的接合焊盘，其中，导电插塞与接合焊盘接合以将第一器件和第二器件集成，以及该板包括半导体构件和拉伸构件，并且半导体构件设置在拉伸构件内。本发明的实施例还涉及制造半导体结构的方法。
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公开(公告)号：CN107055463A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201611047163.0
申请日：2016-11-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00825 , B81C1/00182 , B81C2203/0785 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2223/5446 , B81C1/00015 , B81C1/00349
Abstract: 本发明实施例揭示一种半导体结构及其制造方法，所述制造方法包含提供晶片。在所述晶片的表面上方形成层，其中所述层能够与导电元素形成共晶层。部分去除所述层以形成多个台面。通过所述多个台面将所述晶片接合到衬底。将所述衬底薄化到小于预定值的厚度。
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公开(公告)号：CN103359682A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210279330.X
申请日：2012-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00349 , B81B2201/042 , B81C1/00111 , B81C1/00206 , B81C1/00214 , B82Y20/00 , G01N27/44791
Abstract: 本发明涉及一种形成MEMS纳米结构的方法，该方法包括：将部分衬底凹进，从而在该衬底内形成多个台面。多个台面中的每个台面均具有顶面和侧壁面。在该衬底之上方沉积反光层，从而覆盖每个台面的顶面和侧壁面。在反光层之上形成保护层。在保护层之上形成ARC层。光刻胶层中的开口形成在每个台面上的ARC层之上。通过该开口去除部分ARC层、保护层和反光层，从而暴露出每个台面的顶面。去除每个台面的顶面之上的光刻胶层和ARC层。本发明还提供了一种MEMS纳米结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN104034656B
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201310239598.5
申请日：2013-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N21/00
CPC classification number: B29C65/72 , B01L3/502707 , B01L2300/0636 , B01L2300/0887 , G01N27/4145
Abstract: 本发明提供了一种可扩展的生物芯片及其制造方法。生物芯片包括采用聚合物而接合在一起的流体部分和感测部分。流体部分在一侧上具有微流体通道图案且在另一侧上具有流体连接至微流体通道图案的流体入口和流体出口。在用牺牲保护层保护微流体通道图案之后，通过激光钻孔形成流体入口和流体出口。在低温下进行聚合物的接合而没有破坏感测部分的感测表面上的图案化的表面化学物。
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公开(公告)号：CN106976836A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201611139549.4
申请日：2016-12-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0021 , B81B3/0078 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , H04R7/14 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , B81B3/0027 , B81B7/02 , B81C1/0038 , B81C2201/0174
Abstract: 在本发明实施例中，一种半导体器件包括具有多个孔的板。半导体器件还包括与板相对设置并且包括多个波纹的膜、围绕并覆盖膜一个边缘的电介质和衬底。半导体器件还包括金属导体，金属导体包括延伸穿过电介质的第一部分和位于衬底上方的第二部分，其中，第二部分与第一部分接合。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
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