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公开(公告)号：CN103359682A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210279330.X
申请日：2012-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00349 , B81B2201/042 , B81C1/00111 , B81C1/00206 , B81C1/00214 , B82Y20/00 , G01N27/44791
Abstract: 本发明涉及一种形成MEMS纳米结构的方法，该方法包括：将部分衬底凹进，从而在该衬底内形成多个台面。多个台面中的每个台面均具有顶面和侧壁面。在该衬底之上方沉积反光层，从而覆盖每个台面的顶面和侧壁面。在反光层之上形成保护层。在保护层之上形成ARC层。光刻胶层中的开口形成在每个台面上的ARC层之上。通过该开口去除部分ARC层、保护层和反光层，从而暴露出每个台面的顶面。去除每个台面的顶面之上的光刻胶层和ARC层。本发明还提供了一种MEMS纳米结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103359682B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210279330.X
申请日：2012-07-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00349 , B81B2201/042 , B81C1/00111 , B81C1/00206 , B81C1/00214 , B82Y20/00 , G01N27/44791
Abstract: 本发明涉及一种形成MEMS纳米结构的方法，该方法包括：将部分衬底凹进，从而在该衬底内形成多个台面。多个台面中的每个台面均具有顶面和侧壁面。在该衬底之上方沉积反光层，从而覆盖每个台面的顶面和侧壁面。在反光层之上形成保护层。在保护层之上形成ARC层。光刻胶层中的开口形成在每个台面上的ARC层之上。通过该开口去除部分ARC层、保护层和反光层，从而暴露出每个台面的顶面。去除每个台面的顶面之上的光刻胶层和ARC层。本发明还提供了一种MEMS纳米结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN107958862B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201610905043.3
申请日：2016-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 李也曾
IPC: H01L21/673 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供一种半导体用治具、半导体的保护层针孔测试用的治具及方法，所述半导体用治具包括底座与一对耳部。所述底座的表面上具有多个沟槽，其中每一所述沟槽中具有多个第一通孔。所述耳部相对设置在所述底座的外缘且自所述底座的所述表面向上延伸，每一所述耳部具有开孔。据此，可提升针孔测试的速率，节省工艺的时间，提升产量(throughput)并节省酸液的使用。
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公开(公告)号：CN107958862A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201610905043.3
申请日：2016-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Inventor： 李也曾
IPC: H01L21/673 , H01L21/66
CPC classification number: H01L21/67309 , H01L22/12
Abstract: 本发明提供一种半导体用治具、半导体的保护层针孔测试用的治具及方法，所述半导体用治具包括底座与一对耳部。所述底座的表面上具有多个沟槽，其中每一所述沟槽中具有多个第一通孔。所述耳部相对设置在所述底座的外缘且自所述底座的所述表面向上延伸，每一所述耳部具有开孔。据此，可提升针孔测试的速率，节省工艺的时间，提升产量(throughput)并节省酸液的使用。
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