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公开(公告)号：CN104703080B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201410717696.X
申请日：2014-12-01
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B2201/0221 , B81B2201/0257 , B81B2201/0285 , H04R19/04 , H04R29/004
Abstract: 本发明提出一种容性MEMS麦克风构件，其能够可选地运行用于检测声学信号(麦克风模式)或用于检测在限定的频率范围中的超声波信号(超声波模式)。在MEMS麦克风构件的层结构中至少两个承载元件相叠地并相互间隔开地构造，至少两个承载元件用于电容器装置的两个电极侧，该电容器装置用于信号检测。这两个承载元件中的至少一个是声压敏感的，两个电极侧中的至少一个包括能相互独立地电接触的至少两个电极区段，至少两个电极区段连同另一电极侧的至少一个电极形成相互独立的子电容，如果声压敏感的承载元件以限定的频率的超声波被激励进行更高模式的振动，则电极区段的形状和平面延展通过声压敏感的承载元件的振动波腹的位置和延展确定。
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公开(公告)号：CN109716785A
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201780057835.2
申请日：2017-08-09
Applicant: 舒尔.阿奎西什控股公司
CPC classification number: H04R19/04 , H04R1/04 , H04R1/083 , H04R1/086 , H04R1/2807 , H04R1/406 , H04R19/005 , H04R19/016 , H04R2410/03
Abstract: 麦克风可包括具有一系列狭缝的盖和窝状件。窝状件可以被构造为接收堆叠布置的第一膜片、第二膜片和PCB，使得PCB定位在第一膜片和第二膜片之间。而且，第一膜片可以限定第一平面，第二膜片可以限定第二平面，并且PCB可以限定第三平面，并且第一平面、第二平面和第三平面可以彼此平行地延伸。盖还可以包括具有第一长度和第二长度的狭缝，并且第一长度可以大于第二长度。狭缝可以径向地和轴向地延伸。
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公开(公告)号：CN109678105A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811217950.4
申请日：2018-10-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： G·梅茨格-布吕克尔 , A·德厄 , U·赫科勒 , J·斯特拉塞 , A·沃瑟
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00182 , B81C1/00293 , B81C2201/0178 , B81C2201/0181 , B81C2203/0145 , B81C1/00277 , B81B7/0035 , H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本公开的实施例涉及封闭通向空腔的进入开口的方法和具有封闭元件的MEMS部件。该方法具有以下步骤：提供具有第一层结构的层布置和与第一层结构邻接地布置的空腔，其中第一层结构具有通向空腔的进入开口；执行CVD层沉积以便在具有进入开口的第一层结构上形成具有层厚度的第一覆盖层；和执行具有第一子步骤和第二子步骤的HDP层沉积以便在第一覆盖层上形成第二覆盖层，其中在第一子步骤中，在第一覆盖层上发生衬垫材料层的沉积，其中在第二子步骤中，在进入开口的区域中实现衬垫材料层的以及第一覆盖层的局部背向溅射，并且其中第一子步骤和第二子步骤交替地且多次重复地执行。
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公开(公告)号：CN109565636A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780050066.3
申请日：2017-07-21
Applicant: 美商楼氏电子有限公司
CPC classification number: H04R19/04 , G06F3/162 , H04R3/02 , H04R3/06 , H04R19/005 , H04R2201/003
Abstract: 一种麦克风组件，其包括声学换能器部件，该声学换能器部件被配置成根据包括第一高通截止频率的换能器频率响应来将声音转换成麦克风信号。麦克风组件另外包括处理电路，该处理电路包括信号放大路径，该信号放大路径被配置成接收、采样以及数字化麦克风信号以提供数字麦克风信号。信号放大路径的频率响应包括第二高通截止频率，该第二高通截止频率高于声学换能器部件的第一高通截止频率。
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公开(公告)号：CN109495831A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811513313.1
申请日：2018-12-11
Applicant: 歌尔股份有限公司
Inventor： 庞胜利
CPC classification number: H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2231/001
Abstract: 本发明公开了一种MEMS麦克风的封装结构及其制造方法，包括位于封闭空间内且安装、导通在基板上的MEMS麦克风芯片以及ASIC芯片；基板上对应MEMS麦克风芯片的位置设置有供声音传入的声孔；还包括位于封闭空间内且与基板导通的外接电路板；所述外接电路板上设置有用于外接的多个焊盘；所述金属盖体上与焊盘对应的位置设置有将焊盘露出的通孔。本发明的封装结构，大大增加了MEMS麦克风的背腔容积，MEMS麦克风的振膜至封闭空间的区域均是MEMS麦克风的背腔，从而提高了MEMS麦克风的声学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109151691A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811139971.9
申请日：2018-09-28
Applicant: 广东得胜电子有限公司
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R19/04 , H04R2201/003
Abstract: 本发明涉及硅咪技术领域，具体公开了一种可调指向性的硅咪，包括音头座上盖和音头座下盖，所述音头座上盖和音头座下盖之间设有PCBA板，所述音头座下盖盖体内设有调音纸，所述PCBA板的上表面设有上咪头，PCBA板的下表面设有下咪头，本发明的上咪头和下咪头能够同时拾取外部音源，通过控制调音纸的密度来延迟外部音源到达下咪头的时间，再经过PCBA板将上咪头和下咪头拾取的音源综合放大后输出，既维持了全指向硅咪特有的灵敏度高、失真小以及一致性好的特性，同时又满足了单指向的拾音需求。
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公开(公告)号：CN109151689A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201710499402.4
申请日：2017-06-27
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
CPC classification number: H04R19/04 , H04R31/003 , H04R2201/003 , H04R2231/001
Abstract: 本发明公开了一种麦克风及其制造方法，涉及半导体技术领域。该麦克风包括：衬底，该衬底形成有贯穿该衬底的开孔；在该衬底之上且覆盖在开孔上方的背极板结构；在该背极板结构的部分上的间隙绝缘物层；在该间隙绝缘物层上的振动膜层，其中，振动膜层、间隙绝缘物层和背极板结构形成第一间隙；以及在该衬底之上包围背极板结构、间隙绝缘物层和振动膜层的保护层；其中，该保护层包括：在该背极板结构、该间隙绝缘物层和该振动膜层周围的包围部和在该包围部上且横跨在该振动膜层上方的悬臂梁部，该悬臂梁部和该振动膜层形成第二间隙。本发明解决了现有技术中振动膜层容易损坏的问题，使得麦克风能够经受比较强的气流压力测试。
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公开(公告)号：CN108810773A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201710279682.8
申请日：2017-04-26
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 , 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Inventor： 俞宏俊
CPC classification number: H04R17/02 , H04R19/005 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2201/003
Abstract: 本申请公开了一种麦克风及其制造方法，涉及半导体技术领域。该麦克风包括：衬底，其形成有贯穿该衬底的背孔；在该衬底上且覆盖该背孔的第一电极板层；在该衬底上的背板层，该背板层与该第一电极板层形成空腔；以及在该背板层的下表面上的第二电极板层，该第二电极板层在该空腔内；其中，该第一电极板层包括将该背孔与该空腔连通的缝隙。本申请通过在第一电极板层上设置缝隙，可以增加第一电极板的灵敏度，从而可以提高信噪比。
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公开(公告)号：CN108347683A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810060931.9
申请日：2018-01-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： A·德厄
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R19/04 , B81B3/00 , B81B3/0021 , B81B7/02 , B81B2203/0127 , H04R1/00 , H04R7/12 , H04R7/18 , H04R19/005 , H04R2201/003
Abstract: 一种微机电式麦克风，具有：扁平的第一电极，至少部分地由导电材料形成；扁平的第二电极，与第一电极间隔布置并且至少部分地由导电材料形成；布置在第一电极和第二电极之间的间隔件；以及布置在第一电极和第二电极之间所定义的空间中的膜，并且膜能够向着第一电极和/或第二电极的方向移动，膜具有膜通孔，间隔件延伸穿过膜通孔，其中，在第一电极和第二电极之间所定义的其中布置有膜的空间与麦克风的周边环境处于气体交换连接中。
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公开(公告)号：CN108141667A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680052706.X
申请日：2016-07-12
Applicant: 怀斯迪斯匹有限公司
Inventor： 厄兹·加拜
CPC classification number: H03F3/1855 , H03F1/56 , H03F3/185 , H03F2200/03 , H03F2200/18 , H04R3/10 , H04R19/005 , H04R19/04
Abstract: 一种传声器电路包括：JFET晶体管或MOSFET晶体管，其栅极连接到输入阻抗网络的输入端；源极电阻器，其一个端子连接到晶体管的源极，且其另一端子接地；旁路电容器，其并联连接到源极电阻器；负载电阻器，其一个端子连接到晶体管的漏极，且其另一个端子连接到VCC_LOW；运算放大器，其输入端经由双向低通滤波器连接到晶体管的源极，另一输入端连接到参考电压，且输出端经由LPF连接到输入阻抗网络的另一端子；能量检测器；其经由耦合电容器连接到晶体管的漏极；与能量检测器的输出端连接的一个LPF；与能量检测器的输出端连接的另一LPF；以及输入阻抗网络，其连接到传声器。
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