硅麦克风
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110113687B

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN201910293219.8

    申请日:2019-04-12

    发明人: 梅嘉欣 张敏

    IPC分类号: H04R19/04 H04R19/00 H04R1/08

    摘要: 本发明提供一种硅麦克风,所述硅麦克风的进声孔在所述入口段与所述出口段之间设置了所述弯曲段。当外界气流自所述入口段进入所述气流通道内,所述气流被所述弯曲段阻挡,会改变流通方向,这使得自所述入口段进入所述气流通道的气流不会直接从所述出口段排出,从而避免高强度的气流直接冲击所述传感器,且所述弯曲段也会有效阻挡异物进入所述音腔内,大大提高了所述硅麦克风的可靠性。

    一种基于压电薄膜的芯片化发声器件

    公开(公告)号:CN113747327B

    公开(公告)日:2024-08-27

    申请号:CN202111083702.7

    申请日:2021-09-14

    发明人: 李岚硕

    IPC分类号: H04R17/00 H04R19/00

    摘要: 本发明公开了一种基于压电薄膜的芯片化发声器件,属于压电微机械发声器技术领域,解决了现有技术中的发声器件结构复杂导致功耗高、性能差的问题,本发明包括底部基板,底部基板上连接有核心芯片,底部基板上方连接有非金属管壳,非金属管壳上开设有出音孔,核心芯片包括由下至上依次连接的硅基底层、硅结构层和压电材料层,压电材料层上设置有压电振膜,压电振膜上连接有金属激励电极,金属激励电极的尺寸小于压电振膜的尺寸,压电振膜周围的压电材料层上开设有隔离槽,压电材料层上还安装有与金属激励电极连接的激励电极焊盘,激励电极焊盘旁还安装有接地电极焊盘。本发明应用于受话器、扬声器、蜂鸣器等发声装置的发声器件。

    紧凑型振动传感器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118451303A

    公开(公告)日:2024-08-06

    申请号:CN202380015551.2

    申请日:2023-01-30

    发明人: R·莫格林

    摘要: 本发明涉及一种振动传感器,包括用于检测所产生的压力变化的压力检测装置,其中压力检测装置包括MEMS管芯和信号处理器,其中MEMS管芯包括前体积和MEMS盒,并且其中MEMS管芯包括相对布置的第一表面和第二表面;压力产生装置,用于响应于振动传感器的振动在耦接体积中产生压力变化,其中压力产生装置包括框架结构,该框架结构包括凹槽、包括第一表面和第二表面的悬架构件以及固定到悬架构件的第一表面或第二表面的至少一部分的可移动质量块;以及包括第一表面的PCB,和使用粘合剂固定到PCB的第一表面的壳体,其中壳体与PCB的第一表面组合地界定了压力检测装置和压力产生装置布置在其内的体积,其中耦接体积由框架结构的凹槽以及悬架构件的第二表面的至少一部分界定,并且其中所述耦接体积经由在框架结构中的声学开口与MEMS管芯的MEMS盒声学连接,并且其中MEMS管芯的第一表面固定到框架结构的至少一部分,并且其中MEMS管芯的第二表面的至少一部分固定到PCB的第一表面。本发明还涉及到一种包括这种振动传感器的听力设备,以及用于检测听力设备的使用者的头骨中的由声音引起的振动的这种振动传感器的用途。

    基于活体昆虫鼓膜听器共融MEMS的高灵敏宽频带声传感器

    公开(公告)号:CN118338214A

    公开(公告)日:2024-07-12

    申请号:CN202410506440.8

    申请日:2024-04-25

    申请人: 中北大学

    IPC分类号: H04R19/00

    摘要: 本发明公开了一种基于活体昆虫鼓膜听器共融MEMS的高灵敏宽频带声传感器,涉及微电子机械系统器件领域。包括从上到下依次设置的声波局域共振放大结构、PDMS顶盖层、PDMS防呆凹槽层、鼓膜听器腔室层与玻璃衬底层,这几个结构依次键合而成。声波局域共振放大结构包括一体成型的硅固定框、声学超材料柱、共振腔体壁与共振腔短管;PDMS顶盖层包括一体连接的顶盖座与方形凸起,PDMS防呆凹槽层为一个防呆凹槽框,鼓膜听器腔室层包括呈环绕方框状的鼓膜听器腔室与鼓膜听器;玻璃衬底层上设有信号转换装置,信号转换装置包括参考电极、记录电极片与记录电极引出焊盘。本发明具有灵敏度高和动态响应频带宽的特点,能够实现高灵敏度的声波探测。

    一种基于压电应力放大的高灵敏度MEMS水听器芯片单元与阵列

    公开(公告)号:CN118317682A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410741444.4

    申请日:2024-06-11

    摘要: 本发明属于微机电系统技术领域,提供了一种基于压电应力放大的高灵敏度MEMS水听器芯片单元与阵列。该水听器芯片单元包括由下向上依次设置的SOI基片、下电极、压电层以及上电极;SOI基片、下电极以及压电层上均刻蚀有镂空图案,并形成悬臂梁式结构;经图形化的压电层还包括中央压电片以及压电悬臂;中央压电片呈圆片状,位于压电层的中心;压电悬臂呈圆弧状,设置有多个且呈等间距布置于中央压电片的周圈位置;上电极正区和上电极负区均设置于压电层上。本发明通过设计悬臂梁结构,放大了压电悬臂的应力,增大了压电层的应变;本发明通过设计合理的单元以及阵列的电极排布,避免了正负采集电荷中和,增加了采集电势,提高了声学芯片阵列的灵敏度。

    MEMS器件及其制备方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118306946A

    公开(公告)日:2024-07-09

    申请号:CN202410419013.6

    申请日:2024-04-09

    IPC分类号: B81C1/00 B81B7/02 H04R19/00

    摘要: 本申请实施例涉及一种MEMS器件及其制备方法,包括:提供衬底,衬底包括背腔预设区;在衬底上形成第一牺牲层;形成贯穿第一牺牲层的开口,开口暴露出衬底的部分区域,部分区域位于背腔预设区外周;形成连接结构和振膜,连接结构填充于开口内并与衬底直接接触,振膜位于第一牺牲层上并与连接结构直接接触;去除部分衬底,以在背腔预设区形成背腔;以及,去除至少部分第一牺牲层,以形成下空腔,下空腔暴露振膜的朝向衬底的表面,且与背腔连通;其中,衬底的导电类型、连接结构的导电类型、以及振膜的导电类型一致,以使衬底与振膜能够导通。由此,去除牺牲层过程中产生的自由电荷在进入振膜后,可以通过连接结构转移至衬底中,避免大量自由电荷堆积在振膜中,减少电化学反应的发生,减少对振膜的损伤。

    分频电路
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114501265B

    公开(公告)日:2024-06-25

    申请号:CN202111283678.1

    申请日:2021-11-01

    IPC分类号: H04R19/00 H04R19/02

    摘要: 本申请公开了设置在一发声装置内的一种分频电路。所述发声装置包括由一第一驱动信号所驱动的一第一发声单元和由一第二驱动信号所驱动的一第二发声单元。所述分频电路包括一第一滤波器,所述第一滤波器的一输入端接收一输入信号;一第一减法电路,所述第一减法电路的一第一输入端耦接于所述第一滤波器的所述输入端,所述第一减法电路的一第二输入端耦接于所述第一滤波器的一输出端;以及一第二滤波器,耦接于所述第一滤波器的所述输出端和所述第一减法电路的所述第二输入端。所述分频电路根据所述第一减法电路的第一输出信号产生所述第一驱动信号。所述分频电路根据所述第一滤波器的一第二输出信号产生所述第二驱动信号。