公开(公告)号：CN118354265A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410454944.X

申请日：2024-04-16

申请人： 芯联集成电路制造股份有限公司

发明人： 鲁列微 ,  徐泽洋

IPC分类号： H04R19/00 ,  H04R31/00

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：提供基底，基底上形成有由下至上依次堆叠的第一振膜、第一支撑结构、背极板和第二支撑结构，其中第一支撑结构包括由下至上依次堆叠的第一至第M层第一支撑层，第二支撑结构包括由上至下依次堆叠的第一至第M层第二支撑层；执行干法刻蚀工艺，刻蚀第二支撑结构和第一支撑结构形成侧壁垂直的通孔；执行湿法刻蚀工艺，刻蚀通孔的侧壁使得通孔的两端部的侧壁倾斜以及通孔的中间部的侧壁垂直，且通孔的两端部的宽度均大于通孔的中间部的宽度；形成支撑材料层填充于通孔内以形成支撑柱。本发明能够改善器件的应力集中现象，提高器件的可靠性。

公开(公告)号：CN118306946A

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202410419013.6

申请日：2024-04-09

申请人： 芯联集成电路制造股份有限公司

发明人： 徐泽洋 ,  鲁列微 ,  隋欢

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H04R19/00

摘要： 本申请实施例涉及一种MEMS器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底包括背腔预设区；在衬底上形成第一牺牲层；形成贯穿第一牺牲层的开口，开口暴露出衬底的部分区域，部分区域位于背腔预设区外周；形成连接结构和振膜，连接结构填充于开口内并与衬底直接接触，振膜位于第一牺牲层上并与连接结构直接接触；去除部分衬底，以在背腔预设区形成背腔；以及，去除至少部分第一牺牲层，以形成下空腔，下空腔暴露振膜的朝向衬底的表面，且与背腔连通；其中，衬底的导电类型、连接结构的导电类型、以及振膜的导电类型一致，以使衬底与振膜能够导通。由此，去除牺牲层过程中产生的自由电荷在进入振膜后，可以通过连接结构转移至衬底中，避免大量自由电荷堆积在振膜中，减少电化学反应的发生，减少对振膜的损伤。