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公开(公告)号：CN102471047B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201080032968.2
申请日：2010-07-20
申请人： 宝玑表有限公司
发明人： N.卡拉帕蒂斯
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00682 , B81B2201/035 , B81C1/00674 , B81C2201/0178 , Y10T29/49986
摘要： 本发明涉及用于制备由增强的硅制成的微机械部件的方法，所述方法包括以下步骤：在硅晶片中微加工该部件或一组部件；在一个或多个步骤中在该部件的整个表面上形成二氧化硅层，以便获得为天然二氧化硅的厚度至少五倍的二氧化硅厚度；通过化学侵蚀除去二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN103288043A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210252274.0
申请日：2012-07-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 李德浩
CPC分类号： B81C1/00619 , B81C2201/0122 , B81C2201/0178
摘要： HF气相蚀刻方法蚀刻高纵横比开口以形成MEMS器件和结构之间具有0.2um气隙的其他紧密封装的半导体器件。HF气相蚀刻方法蚀刻氧化物插塞和具有空隙部分和氧化物衬里部分的间隙，并且进一步蚀刻埋置在硅和其他结构下方的氧化物层并且理想地适于释放悬臂和其他MEMS器件。在一个实施例中，在室温和大气压下进行HF气相蚀刻。提供处理序列以形成包括悬臂以及固定和抗震的横向面内电极的MEMS器件。本发明还提供了高纵横比MEMS器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN1778663A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510115008.3
申请日：2005-11-23
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81C1/00253 , B81C2201/0178 , B81C2201/053
摘要： 本发明提供一种防金属与硅层间侧向交互扩散的方法和结构及微机电结构，该方法包括下列步骤：首先，提供一包括多个金属图案的基板。接着，形成氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氮化钛或氧化铝于金属图案的间隙壁以防止金属图案和后续填入的硅层间侧向交互扩散。
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公开(公告)号：CN1244141C
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN01816238.X
申请日：2001-07-26
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , H01L29/84 , G01P15/125
CPC分类号： H01L21/02255 , B81B2201/0235 , B81B2203/0307 , B81B2207/07 , B81C1/00365 , B81C2201/0178 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02238 , H01L21/02271 , H01L21/31612 , H01L21/31662
摘要： 本发明是关于一种基底及其制造方法，以及薄膜结构体，其目的在提供一种可减低热收缩时基底的氧化膜与形成于该氧化膜上的其他薄膜之间所产生的应力差，同时可缩短较厚的氧化膜形成时所需的成膜时间的基底及其制造方法，以及薄膜结构体。此外，为达成前述目的，本发明的基底(1)具备有：由硅所形成的基底本体(31)；以及形成于其上的基台用的氧化膜(33)。氧化膜(33)则具备有：由使基底本体(31)中的硅元素热氧化而形成的热SiO2膜所构成的第1氧化膜(61)；以及由在此氧化膜之上堆积而形成的高温氧化膜所构成的第2氧化膜(63)。
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公开(公告)号：CN1466773A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN01816238.X
申请日：2001-07-26
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , H01L29/84 , G01P15/125
CPC分类号： H01L21/02255 , B81B2201/0235 , B81B2203/0307 , B81B2207/07 , B81C1/00365 , B81C2201/0178 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02238 , H01L21/02271 , H01L21/31612 , H01L21/31662
摘要： 本发明是关于一种基底及其制造方法，以及薄膜结构体，其目的在提供一种可减低热收缩时基底的氧化膜与形成于该氧化膜上的其他薄膜之间所产生的应力差，同时可缩短较厚的氧化膜形成时所需的成膜时间的基底及其制造方法，以及薄膜结构体。此外，为达成前述目的，本发明的基底(1)具备有：由硅所形成的基底本体(31)；以及形成于其上的基台用的氧化膜(33)。氧化膜(33)则具备有：由使基底本体(31)中的硅元素热氧化而形成的热SiO2膜所构成的第1氧化膜(61)；以及由在此氧化膜之上堆积而形成的高温氧化膜所构成的第2氧化膜(63)。
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公开(公告)号：CN109678105A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201811217950.4
申请日：2018-10-18
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
发明人： G·梅茨格-布吕克尔 , A·德厄 , U·赫科勒 , J·斯特拉塞 , A·沃瑟
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00182 , B81C1/00293 , B81C2201/0178 , B81C2201/0181 , B81C2203/0145 , B81C1/00277 , B81B7/0035 , H04R19/04 , H04R2201/003
摘要： 本公开的实施例涉及封闭通向空腔的进入开口的方法和具有封闭元件的MEMS部件。该方法具有以下步骤：提供具有第一层结构的层布置和与第一层结构邻接地布置的空腔，其中第一层结构具有通向空腔的进入开口；执行CVD层沉积以便在具有进入开口的第一层结构上形成具有层厚度的第一覆盖层；和执行具有第一子步骤和第二子步骤的HDP层沉积以便在第一覆盖层上形成第二覆盖层，其中在第一子步骤中，在第一覆盖层上发生衬垫材料层的沉积，其中在第二子步骤中，在进入开口的区域中实现衬垫材料层的以及第一覆盖层的局部背向溅射，并且其中第一子步骤和第二子步骤交替地且多次重复地执行。
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公开(公告)号：CN109641741A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780053215.1
申请日：2017-07-05
申请人： 罗伯特·博世有限公司
发明人： J·克拉森
CPC分类号： B81C1/00309 , B81B3/0005 , B81B7/0051 , B81B7/0061 , B81B7/007 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81B2207/012 , B81C1/00301 , B81C1/00325 , B81C1/00968 , B81C2201/0125 , B81C2201/0132 , B81C2201/0178 , B81C2201/112 , B81C2203/0118 , B81C2203/0792 , H04R19/005 , H04R31/006
摘要： 本发明涉及一种用于制造微机械传感器的方法(100)，所述方法具有以下步骤：提供具有MEMS衬底(1)的MEMS晶片(10)，其中，在所述MEMS衬底(1)中在膜片区域(3a)中构造限定数量的蚀刻沟，其中，所述膜片区域构造在第一硅层(3)中，该第一硅层以与所述MEMS衬底(1)隔开限定的间距的方式布置；提供罩晶片(20)；将所述MEMS晶片(10)与所述罩晶片(20)键合；并且通过所述MEMS衬底(1)的磨削构造通向所述膜片区域(3a)的介质入口(6)。
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公开(公告)号：CN103288043B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201210252274.0
申请日：2012-07-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 李德浩
CPC分类号： B81C1/00619 , B81C2201/0122 , B81C2201/0178
摘要： HF气相蚀刻方法蚀刻高纵横比开口以形成MEMS器件和结构之间具有0.2um气隙的其他紧密封装的半导体器件。HF气相蚀刻方法蚀刻氧化物插塞和具有空隙部分和氧化物衬里部分的间隙，并且进一步蚀刻埋置在硅和其他结构下方的氧化物层并且理想地适于释放悬臂和其他MEMS器件。在一个实施例中，在室温和大气压下进行HF气相蚀刻。提供处理序列以形成包括悬臂以及固定和抗震的横向面内电极的MEMS器件。本发明还提供了高纵横比MEMS器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN102471047A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080032968.2
申请日：2010-07-20
申请人： 宝玑表有限公司
发明人： N.卡拉帕蒂斯
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00682 , B81B2201/035 , B81C1/00674 , B81C2201/0178 , Y10T29/49986
摘要： 本发明涉及用于制备由增强的硅制成的微机械部件的方法，所述方法包括以下步骤：在硅晶片中微加工该部件或一组部件；在一个或多个步骤中在该部件的整个表面上形成二氧化硅层，以便获得为天然二氧化硅的厚度至少五倍的二氧化硅厚度；通过化学侵蚀除去二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN101945819A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200980105397.8
申请日：2009-02-09
申请人： 三洋电机株式会社
发明人： 长崎宽范
CPC分类号： H03H3/0072 , B81B2201/0271 , B81B2203/0118 , B81B2203/033 , B81B2203/04 , B81C1/00182 , B81C2201/0178 , H01G5/16 , H03H9/2463 , H03H2009/02496 , Y10T29/49002
摘要： 本发明提供一种能够使间隙进一步狭小化的微型机电设备的结构及其制造方法。在本发明的微型机电设备中，共振子(22)和电极(21)相互对置，在该对置面上形成有一对热氧化膜(5、5)，在两热氧化膜间具有狭小化了的间隙。在本发明的微型机电设备的制造工序中，对形成共振子(22)和电极(21)的Si层实施利用了光刻法和蚀刻法的加工，在形成作为间隙的槽(20)后，对该Si层实施热氧化处理，在槽(20)的对置面上形成一对Si热氧化膜(5、5)。
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