谐振体晶体管和振荡器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101939906B

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN200880126205.7

    申请日:2008-12-11

    申请人: 康奈尔大学

    IPC分类号: H03B5/12 H01L21/336 H01L29/78

    摘要: 一种谐振体,具有反转栅极、积累栅极和中心区域。所述谐振体还具有耦合至所述中心区域的源极触点,以及耦合至所述中心区域的漏极触点。所述谐振体还具有耦合在所述反转栅极与所述中心区域之间的第一电介质层。所述谐振体还具有耦合在所述积累栅极与所述中心区域之间的第二电介质层。还公开了一种谐振体晶体管。所述谐振体晶体管具有反转栅极电极、积累栅极电极、源极电极、漏极电极以及多个锚梁。所述谐振体晶体管还具有谐振体,所述谐振体通过所述多个锚梁耦合至且悬挂于所述反转栅极电极、所述积累栅极电极、所述源极电极以及所述漏极电极。还公开了一种谐振体振荡器。

    框状MEMS压阻谐振器
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102187573A

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN200980140746.X

    申请日:2009-10-13

    IPC分类号: H03H9/02 H03H9/24

    摘要: 描述了一种新型的Si MEMS压阻谐振器。所述谐振器具有框形,例如环形框或多边形框,具有两个或更多锚定点。使用位于谐振结构的外缘或内缘的电极,来将该结构静电激励为具有所需模式形状的谐振。将该结构上的一个或多个局部掺杂区用于信号的压阻读出。在最优选的实施例中,该结构是环,所述环具有四个锚定点、两个电极以及在该结构的不同段处的四个压阻区。压阻区交替地位于该结构的外缘和内缘,使得可以收集来自不同区域的相同符号的压阻信号。该器件的优势在于大读出信号、大电极面积、鲁棒性、抑制平面外振动以及更大的可使用线性范围。

    谐振体晶体管和振荡器
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101939906A

    公开(公告)日:2011-01-05

    申请号:CN200880126205.7

    申请日:2008-12-11

    申请人: 康奈尔大学

    IPC分类号: H03B5/12 H01L21/336 H01L29/78

    摘要: 一种谐振体,具有反转栅极、积累栅极和中心区域。所述谐振体还具有耦合至所述中心区域的源极触点,以及耦合至所述中心区域的漏极触点。所述谐振体还具有耦合在所述反转栅极与所述中心区域之间的第一电介质层。所述谐振体还具有耦合在所述积累栅极与所述中心区域之间的第二电介质层。还公开了一种谐振体晶体管。所述谐振体晶体管具有反转栅极电极、积累栅极电极、源极电极、漏极电极以及多个锚梁。所述谐振体晶体管还具有谐振体,所述谐振体通过所述多个锚梁耦合至且悬挂于所述反转栅极电极、所述积累栅极电极、所述源极电极以及所述漏极电极。还公开了一种谐振体振荡器。