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公开(公告)号：CN102577118B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201080043268.3
申请日：2010-09-27
申请人： 芬兰国家技术研究中心股份公司
CPC分类号： H03H9/02259 , B81B3/0081 , B81B2201/0271 , H03H3/0076 , H03H9/02338 , H03H9/02448 , H03H9/2436 , H03H9/2452 , H03H9/2463 , H03H2003/027 , H03H2003/0407 , H03H2009/02496 , H03H2009/02503 , H03H2009/02511 , H03H2009/241 , H03H2009/2442
摘要： 本发明涉及微机械谐振器，包括：第一材料(2)的基底(1)；悬挂至支承结构(1)的谐振器(3)，谐振器(3)至少部分地具有与支承结构的材料相同的材料(2)，并且形成用于以特定频率f0谐振的尺寸；用于启动、维持谐振器(3)的谐振并且将谐振器(3)的谐振耦接至外部电路(6)的耦接装置(5)；以及所述谐振器(3)包括有第二材料(4)，第二材料(4)的热性质不同于第一材料(2)的热性质。根据本发明，谐振器(3)包括集中位于所述谐振器(3)的特定位置的第二材料(4)。
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公开(公告)号：CN101401303B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200780008457.5
申请日：2007-03-08
申请人： NXP股份有限公司
IPC分类号： H03H9/02
CPC分类号： H03H9/02259 , H03H3/0076 , H03H9/2405 , H03H9/505 , H03H2009/02503
摘要： 本发明涉及具有至少一种谐振器模式形状的MEMS谐振器，所述MEMS谐振器包括：具有表面(12)的衬底(2)和谐振器结构(1)，其中，谐振器结构(1)为衬底(2)的一部分，其特征在于谐振器结构(1)由第一闭合沟槽(3)和第二闭合沟槽(3)限定，第一沟槽(3)位于第二沟槽(3)内，以便在衬底(2)内形成管状结构(1)，并且仅沿与表面(12)平行的方向从衬底(2)释放谐振器结构(1)。本发明还涉及制造这种MEMS谐振器的方法。
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公开(公告)号：CN1268538C
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN03801273.1
申请日：2003-08-08
申请人： 索尼株式会社
CPC分类号： H03H3/0076 , H03H9/2463 , H03H9/462 , H03H2009/02511
摘要： 本发明提供了一种用于具有高Q值和更高频带的高频过滤器的微型机械。该微型机械(20)包括：设置在衬底(1)上的输出电极(7)；包括第一绝缘薄膜(9)和第二绝缘薄膜(11)的夹层绝缘薄膜，所述第一和第二绝缘薄膜设置在衬底上以覆盖所述输出电极(7)；孔(11a)，设置在所述第二绝缘薄膜(11)中以到达所述输出电极(7)；以及带状振动器电极(15)，设置在所述第二绝缘薄膜(11)上，从而横过由所述孔(11a)内部构成的间隔部分(A)的上侧。
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公开(公告)号：CN105229923B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201480029021.4
申请日：2014-05-16
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H03H9/02448 , H03H3/0076 , H03H9/2447 , H03H2009/02291
摘要： 一种用于制造具有变形元件的微机电弯曲共振器的方法，所述变形元件具有沿着弹簧轴延伸的细长本体。变形元件位于具有限定的标称n型掺杂浓度的半导体晶片上，使得在变形元件的弹簧轴与硅半导体晶片的晶轴之间形成晶体取向角。基于变形元件的在宽的温度范围内的总频率误差，晶体取向角与标称n型掺杂浓度的组合被调整至特定范围。该组合被最优化至一个范围，在该范围内，对材料性能上的变化的灵敏度也被最小化。
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公开(公告)号：CN104797989B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201380059782.X
申请日：2013-10-10
申请人： 尼瓦洛克斯-法尔股份有限公司
CPC分类号： G04B17/063 , G04B17/066 , G04B17/22 , G04B17/227 , G04B17/24 , H03H3/0076 , H03H9/02448 , H03H2003/027
摘要： 本发明涉及一种用于热补偿的游丝摆轮谐振器的补偿游丝(1)，所述补偿游丝(1)包括由至少一种非金属材料(11a、11b、13b、15b、11c、17c、19c、11d、13d、15d、17d、19d、11e、13e、15e、17e、19e、11f、21f)形成的芯(9a、9b、9c、9d、9e、9f)。根据本发明，所述芯(9a、9b、9c、9d、9e、9f)全部涂覆有层(7)，该层(7)相对于湿度稳定，以使所述补偿游丝(1)对气候变化具有更小的敏感度。本发明涉及钟表领域。
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公开(公告)号：CN107005223A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580064515.0
申请日：2015-10-02
申请人： 芬兰国家技术研究中心股份公司
CPC分类号： H03H9/02448 , H03H3/0076 , H03H9/2405 , H03H9/2447 , H03H2009/241
摘要： 本发明提供一种微机电谐振器装置，包括支撑结构和制造在(100)或(110)半导体晶片上的谐振器，其中谐振器悬挂在支撑结构上并包括至少一个梁，该梁用n型掺杂剂掺杂到1.1*1020cm‑3或更高的掺杂浓度，并且能够基于合适的驱动以长度‑延伸、弯曲或扭转谐振模式谐振。具体地，选择梁的掺杂浓度和角度来使所述谐振模式的谐振器的二阶TCF为零或接近零，甚至更优选地使一阶和二阶TCF同时为零或接近零，从而提供温度稳定的谐振器。
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公开(公告)号：CN104579225A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410584193.X
申请日：2014-10-27
申请人： 精工爱普生株式会社
CPC分类号： H03H9/21 , H03B5/32 , H03H3/0076 , H03H9/0542 , H03L1/028
摘要： 本发明提供一种振动元件、振子、振荡器、电子设备以及移动体，振动元件、振子能够对由温度变化引起的频率特性等特性的劣化进行抑制，振荡器、电子设备以及移动体具有较高的可靠性。本发明的振动元件的特征在于，具有驱动模式和在与该驱动模式下的振动方向正交的方向上进行振动的第一检测模式以及第二检测模式，在将横轴设为气氛温度并将纵轴设为频率的变化时的、各个模式下的表示由温度的变化引起的频率的变化的频率温度特性曲线中，将驱动模式下的频率温度特性曲线的顶点温度设为Ta[℃]，将第一检测模式下的频率温度特性曲线的顶点温度设为Tb[℃]，并将第二检测模式下的频率温度特性曲线的顶点温度设为Tc[℃]时，Ta低于Tb及Tc，或者，Ta高于Tb及Tc。
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公开(公告)号：CN102577118A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080043268.3
申请日：2010-09-27
申请人： VTT技术研究中心
CPC分类号： H03H9/02259 , B81B3/0081 , B81B2201/0271 , H03H3/0076 , H03H9/02338 , H03H9/02448 , H03H9/2436 , H03H9/2452 , H03H9/2463 , H03H2003/027 , H03H2003/0407 , H03H2009/02496 , H03H2009/02503 , H03H2009/02511 , H03H2009/241 , H03H2009/2442
摘要： 本发明涉及微机械谐振器，包括：第一材料(2)的基底(1)；悬挂至支承结构(1)的谐振器(3)，谐振器(3)至少部分地具有与支承结构的材料相同的材料(2)，并且形成用于以特定频率f0谐振的尺寸；用于启动、维持谐振器(3)的谐振并且将谐振器(3)的谐振耦接至外部电路(6)的耦接装置(5)；以及所述谐振器(3)包括有第二材料(4)，第二材料(4)的热性质不同于第一材料(2)的热性质。根据本发明，谐振器(3)包括集中位于所述谐振器(3)的特定位置的第二材料(4)。
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公开(公告)号：CN102025337A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010294462.0
申请日：2010-09-21
申请人： NXP股份有限公司
发明人： 卡斯·范·德·阿沃尔特 , 约瑟夫·托马斯·马丁内斯·范贝克 , 约翰内斯·范·温格登 , 约卜·邦当 , 罗伯特·詹姆斯·帕斯克·兰德
CPC分类号： H03H9/02448 , H03H3/0076 , H03H9/2447 , H03H9/2473 , H03H9/2489
摘要： 一种谐振器，包括由第一材料和第二材料形成的梁，第一材料具有第一杨氏模量和第一杨氏模量的第一温度系数，第二材料具有第二杨氏模量和第二杨氏模量的第二温度系数，至少在谐振器的工作条件之内第二温度系数的符号与第一温度系数的符号相反，其中第一材料的截面积与第二材料的截面积的比值沿着梁的长度而改变，实质上垂直于梁测量截面积。
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公开(公告)号：CN101401303A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200780008457.5
申请日：2007-03-08
申请人： NXP股份有限公司
IPC分类号： H03H9/02
CPC分类号： H03H9/02259 , H03H3/0076 , H03H9/2405 , H03H9/505 , H03H2009/02503
摘要： 本发明涉及具有至少一种谐振器模式形状的MEMS谐振器，所述MEMS谐振器包括：具有表面(12)的衬底(2)和谐振器结构(1)，其中，谐振器结构(1)为衬底(2)的一部分，其特征在于谐振器结构(1)由第一闭合沟槽(3)和第二闭合沟槽(3)限定，第一沟槽(3)位于第二沟槽(3)内，以便在衬底(2)内形成管状结构(1)，并且仅沿与表面(12)平行的方向从衬底(2)释放谐振器结构(1)。本发明还涉及制造这种MEMS谐振器的方法。
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