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公开(公告)号：CN113114149B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202110568612.0
申请日：2021-05-24
申请人： 中国科学院半导体研究所
摘要： 本公开提供了一种面内拉伸模态射频微机电谐振器，包括：谐振单元，工作于面内拉伸模态下；定义谐振单元由在面内拉伸模态下的谐振振动而产生位移量变化的边缘位置为振动部；支撑单元，包括支撑梁和基座；支撑梁包括形成复合结构的直梁和框型梁；支撑梁用于支撑谐振单元；基座与支撑梁相连，用于维持谐振单元的悬空；电极，设置于谐振单元的振动部处，用于驱动和检测谐振单元进行谐振振动的换能结构。本发明提供的面内拉伸模态射频微机电谐振器基于面内拉伸模态，热弹性损耗和介质损耗低；支撑梁为复合结构，减小了谐振器的支撑损耗，进一步提高Q值，可用于构建多种高性能射频器件。
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公开(公告)号：CN118740099A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310328838.2
申请日：2023-03-30
申请人： 天津大学
摘要： 本申请实施例提供一种横向电场激励谐振器。该横向电场激励谐振器包括：衬底105；单晶压电薄膜101，其被支撑于所述衬底105表面；电极层102，设置于单晶压电薄膜101的至少一个表面，电极层102包括至少两组指电极102a，在第一方向x上，至少两组指电极102a交叉设置，各组指电极102a分别与对应的总线102b连接；以及凹陷部103，其设置于单晶压电薄膜的至少一个表面，凹陷部内填充有介质材料D1。本申请通过调节凹陷部内的介质材料的尺寸和/或形状等参数可实现对谐振器的机电耦合系数K2的灵活调节。
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公开(公告)号：CN118694339A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410861155.8
申请日：2024-06-28
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种MEMS压电谐振器，该MEMS压电谐振器包括衬底、绝缘层、谐振结构、驱动电极、压电层和感应电极。其中，衬底具有空腔；绝缘层设置于衬底上；谐振结构通过锚点锚固于绝缘层上，谐振结构包括间隔设置的第一谐振体和第二谐振体；驱动电极设置于谐振体上；压电层设置于驱动电极上；感应电极设置于压电层上。本方案可以提高MEMS压电谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN114900150B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202210489385.7
申请日：2022-05-07
申请人： 福州大学
摘要： 本发明提出一种CMOS电路与MEMS谐振器相结合的高阶温度频率补偿电路，通过结合MEMS与CMOS实现补偿，满足一定温度范围内对时钟稳定性的要求。采用CMOS电路与MEMS谐振器相结合的方式，感知温度信息从而补偿MEMS谐振器温漂特性，实现一定温度范围内的频率高稳定性。整体电路分为多MEMS谐振器以及CMOS两个模块，其中CMOS模块包含有振荡电路稳定起振、高阶温度补偿以及频率合成等部分。该设计用于MEMS谐振器的高阶温度补偿，消除其一阶、二阶温度相关项并减小其高阶非线性，从而保持输出时钟频率稳定。
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公开(公告)号：CN118523750A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410647892.8
申请日：2024-05-23
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种MEMS压电谐振器，该MEMS压电谐振器包括衬底和器件层，其中，器件层包括第一支撑梁、第一电极层、第一压电层、第二电极层和频率调整区域，第一支撑梁设置于衬底上，第一支撑梁与衬底之间具有第一空腔，第一电极层、第一压电层和第二电极层依次层叠设置于第一支撑梁背向衬底的一侧，第一电极层、第一压电层和第二电极层靠近第一支撑梁的锚固端，频率调整区域包括第一频率调整层和第二频率调整层，频率调整区域靠近第一支撑梁的自由端。本方案可以提高MEMS压电谐振器的频率调整精度。
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公开(公告)号：CN113631499B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN201980094545.4
申请日：2019-12-20
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 后藤雄一
IPC分类号： B81B3/00 , H03H9/24 , H10N30/88 , H10N30/20 , H10N30/853
摘要： 本发明提供能够抑制尺寸的增大并提高谐振子特性的谐振子以及装置。谐振子(13)具备：振动部(15)，进行轮廓振动；保持部(14)，形成为包围振动部(15)的至少一部分；以及支承部(16a、16b)，沿Y轴方向延伸并连接振动部(15)与保持部(14)，振动部(15)包括通孔(27)，该通孔沿与Y轴方向正交的X轴方向延伸，以便与支承部(16a、16b)之间形成连结部(28)，通孔(27)中的X轴方向的长度(SL)大于连结部(28)中的Y轴方向的长度(Sd)。
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公开(公告)号：CN112585870B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN201980054142.7
申请日：2019-08-28
申请人： 株式会社村田制作所
摘要： 本发明提供一种谐振装置，能够抑制电容的不平衡。谐振装置(1)具备：谐振器(10)，其包含上部电极(125A～125D)、下部电极(129)、以及形成在上部电极(125A～125D)与下部电极(129)之间的压电薄膜(F3)；上盖(30)，其设置为第一面与谐振器(10)的上部电极(125A～125D)对置；电源端子(ST1)，其设置于上述基板的第二面，与上部电极(125B、125C)电连接；电源端子(ST2)，其设置于上盖(30)的第二面，与上部电极(125A、125D)电连接；以及接地端子(GT)，其设置于上盖(30)的第二面，与下部电极(129)电连接，电源端子(ST1)的面积与电源端子(ST2)的面积不同，以便在电源端子(ST1)与接地端子(GT)之间产生的电容与在电源端子(ST2)与接地端子(GT)之间产生的电容近似。
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公开(公告)号：CN117749124A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410045848.X
申请日：2024-01-10
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请公开了一种MEMS谐振器，包括振臂以及电极组，振臂与电极组之间设有均匀间隙的第一锯齿部以及第二锯齿部，第一锯齿部包括与振臂连接的第一齿，第二锯齿部包括与电极组连接的第二齿，第一齿与第二齿沿第一轴线方向交错排列，第一齿和第二齿均包括第一面、第二面以及第三面，第一面平行于第一轴线方向，第二面和/或第三面与第三轴线方向具有夹角，静止的振臂平行于第一轴线，当电极组被施加信号后，振臂围绕与第一轴线方向垂直的第二轴线方向而相对于电极组摆动。本申请有效降低MEMS谐振器由于DC电压波动以及因外力变化导致静电负刚度的变化，降低MEMS谐振器对DC电压波动以及振臂与电极之间的距离敏感性。
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公开(公告)号：CN117749123A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311658386.0
申请日：2023-12-05
申请人： 上海科技大学
IPC分类号： H03H9/24 , G06F30/392 , H01P3/00 , H01P5/12
摘要： 本申请提供一种波导型电声调制器及其版图结构，该调制器包括：衬底；导电层，其设置于所述衬底一侧；波导层，其设置于所述导电层远离所述衬底的一侧；波导路径，其设置于所述波导层远离所述导电层的一侧，声波由所述输入路径传入后经过各所述子路径汇入所述输出路径；第一电极，其设置于其中一条所述子路径远离所述波导层的一侧，或者设置于两个所述子路径之间；以及，第二电极，其设置于所述波导层远离所述导电层的一侧，且所述第二电极与所述导电层连接，所述第一电极接入正电压、所述第二电极接地，以在对应的子路径上形成电场对声波进行调制。本申请的调制器调制效率高，串扰小，可满足不同调制需求。
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