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公开(公告)号：CN118900107A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410989853.6
申请日：2024-07-23
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种MEMS压电谐振器的频率调整方法，该MEMS压电谐振器的频率调整方法包括提供一半导体结构，半导体结构包括由下至上依次层叠设置的衬底、绝缘层、器件层、电极层、压电层和频率调整层；在半导体结构的表面形成图案化的第一掩膜层，第一掩膜层具有暴露频率调整层的第一区域的第一蚀刻窗；通过第一蚀刻窗对频率调整层进行蚀刻，以调整频率；去除第一掩膜层；在半导体结构的表面形成图案化的第二掩膜层，第二掩膜层具有暴露频率调整层的第二区域的第二蚀刻窗；通过第二蚀刻窗对频率调整层进行蚀刻，以调整频率温度系数。本方案可以通避免调频导致的TCF劣化。
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公开(公告)号：CN117879533A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410035214.6
申请日：2024-01-09
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请提供一种谐振器及其电子设备，该谐振器包括：谐振体，包括至少一个子谐振体；锚点，被配置为接入偏置电压信号；梁体，连接谐振体和锚点；内电极，设置于子谐振体的一侧，内电极包括多个相互间隔且朝向子谐振体一侧凸起的第一凸台；外电极，设置于子谐振体远离内电极的另一侧，外电极包括多个相互间隔且朝向子谐振体一侧凸起的第二凸台；其中，内电极或外电极配置为接入驱动电压信号。通过上述谐振器的结构设计，可以在保证低阻抗的前提下降低其对Q值的要求，即在较低阻抗的条件下获得较低的阻抗。
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公开(公告)号：CN117614390A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202311838448.6
申请日：2023-12-28
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本发明涉及一种温补振荡器，其具有IPD裸片和CMOS裸片，两者电连接以形成振荡电路，振荡电路包括LC谐振腔、振荡单元、频率同步单元和温度补偿单元；LC谐振腔包括电感和电容，电感和电容中至少一者设置在IPD裸片；振荡单元与LC谐振腔电连接，以输出谐振信号；温度补偿单元包括设置在IPD裸片上的第一温度传感器和设置在CMOS裸片上的温补处理模块，温度处理模块用于接收第一温度传感器测得的温度数据以获得温度补偿值；频率同步单元设置在CMOS裸片以接收温度补偿值和谐振信号进行处理，从而输出频率信号。本发明公开的温补振荡器，在提高Q值的同时，减小了温度传感器与电感或电容之间的物理距离，在温度快速变化的时候可以维持稳定的频率输出。
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公开(公告)号：CN116915205A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310645666.1
申请日：2023-06-01
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
IPC分类号： H03H9/02
摘要： 本申请涉及微机电领域，具体涉及一种谐振器以及温度补偿方法。谐振器至少包括两个谐振单元和第一连接部，每个谐振单元包括中心振动部、环形振动部和第二连接部，中心振动部设于环形振动部的环内，且在中心振动部的径向上与环形振动部间隔设置，中心振动部的外周壁和环形振动部的内环壁之间通过第二连接部连接，第一连接部分别连接两个谐振单元的环形振动部的外环壁，通过多个包括中心振动部、环形振动部能够产生多个振动模态，多个振动模态能够形成多个谐振频率组合，增加了模态组合的数量，从而能够在温度补偿时提高温度补偿的灵敏度，增加温度补偿效果。
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公开(公告)号：CN116827267A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202310774361.0
申请日：2023-06-27
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本发明提供一种双输出MEMS振荡器，其包括：电耦合的专用集成电路模块与MEMS模块，MEMS模块包括参数相同的第一、第二谐振器；专用集成电路模块中第一、第二控制单元分别用于施加驱动信号以分别使得第一谐振器产生具有第一频率的第一信号、第二谐振器产生具有第二频率的第二信号；差分单元对第一信号与第二信号作差分运算；第一时钟生成单元生成MHz级的第一时钟信号；第二时钟生成单元生成KHz级的第二时钟信号。基于单个MEMS模块实现第一、第二时钟信号的并行输出，且参数相同的第一谐振器与第二谐振器最大限度地消除加工与封装偏差的影响，减少了电子系统的尺寸，有效增强了电子系统的性能和抗干扰能力。
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公开(公告)号：CN116667807A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310718817.1
申请日：2023-06-16
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本发明提供一种双面内模态温度补偿谐振器，通过将第一、第二谐振器嵌套连接，其相应的驱动、检测电极设置于相应谐振器的一侧，并在驱动电极作用下在其相邻的间隙处振动，从而使两个谐振器均为面内模态的振动模式，同时设置两个谐振器面内模态的振动模式不同，将其中一个作为输出工作频率，另一个作为测温补偿工作频率，实现温度补偿谐振器为双面内模态。选择两个不同的面内模态分别作为输出及测温补偿模态，无需配置面外电极，降低电极制备难度及复杂度，减小制备成本；另外，面内电极相对面外电极更易实现小间隙制备，降低实现低阻抗所需的工艺复杂度；再者，可通过调节谐振器材料的晶向及掺杂浓度，实现高测温精度补偿及低温漂输出。
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公开(公告)号：CN118631213A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202410861162.8
申请日：2024-06-28
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请涉及微机电技术领域，公开了一种MEMS谐振器TCF调整方法，包括：获取MEMS谐振器的设计频率且确定MEMS谐振器的目标模态后，计算得到MEMS谐振器的1阶、2阶TCF系数；提升MEMS谐振器的堆叠结构层中的器件层的掺杂浓度，且测算MEMS谐振器的2阶TCF系数是否为第一目标值，若否，则重复提升器件层的掺杂浓度，直至2阶TCF系数为第一目标值；调整MEMS谐振器的实时频率至设计频率；基于2阶TCF系数为第一目标值，MEMS谐振器的实时频率为设计频率，测算MEMS谐振器的1阶TCF系数，调整1阶TCF系数为第二目标值；获得MEMS谐振器的目标TCF曲线，从而提高MEMS谐振器的频率稳定性。
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公开(公告)号：CN118611616A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410861158.1
申请日：2024-06-28
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请实施例公开了一种MEMS压电谐振器，该MEMS压电谐振器包括衬底和器件层。其中，衬底具有第一空腔；器件层设置于衬底上，器件层包括耦合结构、能量传递结构、连接杆、至少一对锚点和至少一对谐振体，谐振体通过能量传递结构与耦合结构连接，锚点通过连接杆与耦合结构连接，每对锚点关于耦合结构对称设置，每对谐振体关于耦合结构对称设置，耦合结构为中空环状结构。本方案可以提升MEMS压电谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN118399919A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410647894.7
申请日：2024-05-23
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请公开了一种压电谐振器及制作方法，制作方法包括：提供基底，基底包括衬底层、形成在衬底层上的绝缘层，以及形成在绝缘层上的器件层；在器件层上形成驱动功能层；由驱动功能层进行纵向刻蚀并停止在绝缘层上，以在绝缘层以上的部分形成谐振主体、若干分离设置的锚定部以及与锚定部一一对应的柔性连接梁，锚定部位于谐振主体周侧且与谐振主体间隔设置，锚定部通过对应的柔性连接梁与谐振主体连接；由衬底层一侧对衬底层和绝缘层进行纵向刻蚀，以形成贯通槽，柔性连接梁和谐振主体在衬底层上的投影位于贯通槽内。本申请制作的压电谐振器可以抑制谐振主体变形或频率偏移等问题，还能够减少锚点损耗提升压电谐振器的品质因数，且制作成本低。
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公开(公告)号：CN117155328A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310928287.3
申请日：2023-07-26
申请人： 麦斯塔微电子(深圳)有限公司
摘要： 本申请提供一种谐振器及其频率温度曲线调节方法、调节装置，该谐振器包括：衬底；振动结构，设置于衬底上；驱动电极，设置于振动结构上，驱动电极被配置为驱动振动结构产生振动；感测电极，设置于振动结构上，感测电极被配置为获取振动结构的振动模态；其中，振动结构的多个振动模态中，至少有两个振动模态发生振型交换且频率温度曲线出现反交叉现象，两个振动模态中的一个振动模态作为谐振器的输出振动模态。通过上述方式，本申请利用谐振器不同模态间产生的耦合力来补偿杨氏模量随温度的变化而引起的频率变化，从而起到调节谐振器的频率温度曲线，提高谐振器的工作性能。
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