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公开(公告)号：CN109205545B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201810696124.6
申请日：2018-06-29
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , G01L9/12 , G01P15/125
Abstract: 一种微机械传感器包括电容式的第一传感器元件和第二传感器元件，分别具有第一电极和第二电极，其中第一电极的电极壁面和第二电极的电极壁面在第一方向上彼此对置并形成电容，其中第一电极可响应于待检测的变量在与第一方向不同的第二方向上移动，并且第二电极是固定的。第一传感器元件的第一电极的电极壁面在第二方向上具有比第一传感器元件的第二电极的对置的电极壁面小的延伸。第二传感器元件的第二电极的电极壁面在第二方向上具有比第二传感器元件的第一电极的对置的电极壁面小的延伸。
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公开(公告)号：CN108168765B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201810043620.1
申请日：2015-01-26
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
Abstract: 本发明的各实施方式总体上涉及具有改进的集成和优化的封装的传感器结构、系统和方法。在一个实施例中，传感器器件包括：基片；多个不同的、单独的、不接触的支撑元件，彼此间隔开并且布置在基片上，多个支撑元件中的每个支撑元件成圆柱形；以及可移动元件，由多个不同的、单独的、不接触的支撑元件支撑在基片上并且与基片间隔开，其中可移动元件、基片以及多个不同的、单独的、不接触的支撑元件限定腔体，可移动元件能够响应于由传感器器件感测的物理量而偏转进入腔体。上述传感器更容易制造为集成部件并且提供传感器薄膜、薄片或者其它可移动元件的改进的偏转。
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公开(公告)号：CN108168765A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201810043620.1
申请日：2015-01-26
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
CPC classification number: G01L9/00 , B81B3/0072 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , G01L9/0044 , G01L9/0072
Abstract: 本发明的各实施方式总体上涉及具有改进的集成和优化的封装的传感器结构、系统和方法。在一个实施例中，传感器器件包括：基片；多个不同的、单独的、不接触的支撑元件，彼此间隔开并且布置在基片上，多个支撑元件中的每个支撑元件成圆柱形；以及可移动元件，由多个不同的、单独的、不接触的支撑元件支撑在基片上并且与基片间隔开，其中可移动元件、基片以及多个不同的、单独的、不接触的支撑元件限定腔体，可移动元件能够响应于由传感器器件感测的物理量而偏转进入腔体。上述传感器更容易制造为集成部件并且提供传感器薄膜、薄片或者其它可移动元件的改进的偏转。
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公开(公告)号：CN105895501A
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201510222369.1
申请日：2015-05-04
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02002 , H01L21/02005 , H01L21/304 , H01L21/306 , H01L21/3065 , H01L21/3083 , H01L21/764 , H01L21/7806 , Y10T156/1057 , Y10T156/11 , Y10T428/13 , H01L21/02035
Abstract: 本发明的各个实施例涉及晶片、用于处理晶片的方法、以及用于处理载体的方法。根据各个实施例，用于处理晶片的方法可以包括：在晶片内形成至少一个中空腔室和支撑结构，该至少一个中空腔室限定了载体的位于该至少一个中空腔室之上的帽区域、载体的位于该至少一个中空腔室之下的底部区域、以及围绕了载体的帽区域的边缘区域，其中帽区域的表面面积大于边缘区域的表面面积，并且其中帽区域由支撑结构连接至底部区域；从底部区域和边缘区域成一整块地移除帽区域。
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公开(公告)号：CN104445050A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410480277.9
申请日：2014-09-18
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
CPC classification number: B81C1/00619 , B81C1/00047 , B81C1/00476 , G01N27/414 , G01N27/4473 , G01N33/48721 , H01L21/30604 , H01L29/06
Abstract: 实施例公开了用于创建具有极端纵横比的空腔的方法和结构，具体涉及用于更加高效和有效地刻蚀衬底和其它结构中的牺牲层和其它层的结构、系统和方法。在实施例中，其中牺牲层要被去除以例如形成空腔的衬底包括刻蚀分散系统，刻蚀分散系统包括其中刻蚀气体或另一适合的气体、流体或物质可以流动以渗透衬底并且去除牺牲层的沟槽、通道或其它结构。沟槽、通道或其它结构可以连同形成在衬底中的(诸如接近衬底的一个或多个边缘的)开口或其它孔一起被实现，以甚至更快地在衬底内分散刻蚀气体或一些其它物质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109319729A
公开(公告)日：2019-02-12
申请号：CN201810845999.8
申请日：2018-07-27
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
Abstract: 本公开提供了在微电子机械系统(MEMS)器件的叉指式电容器中形成偏移。一种用于形成MEMS器件的方法可以包括：执行悬空硅工艺以在单晶硅衬底中在相对于单晶硅衬底的顶面第一深度处形成腔体；在单晶硅衬底的导电电极区域中形成电绝缘区域，电绝缘区域相对于单晶硅衬底的顶面延伸到小于第一深度的第二深度；以及蚀刻单晶硅衬底以暴露第一电极与第二电极之间的间隙，其中第二电极在第一深度区域内与第一电极分开由电绝缘区域和间隙限定的第一距离，并且其中第二电极在第二深度区域内与第一电极分开由间隙限定的第二距离。
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公开(公告)号：CN109205545A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810696124.6
申请日：2018-06-29
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
IPC: B81B3/00 , B81C1/00 , G01L9/12 , G01P15/125
CPC classification number: G01P15/125 , B81B3/0021 , B81B3/0086 , B81B2201/0235 , B81B2203/0315 , B81B2203/04 , B81C1/00166 , G01L9/12 , G01P15/0802 , G01P2015/088 , B81B3/0032 , B81B2201/0221 , B81B2201/0264
Abstract: 一种微机械传感器包括电容式的第一传感器元件和第二传感器元件，分别具有第一电极和第二电极，其中第一电极的电极壁面和第二电极的电极壁面在第一方向上彼此对置并形成电容，其中第一电极可响应于待检测的变量在与第一方向不同的第二方向上移动，并且第二电极是固定的。第一传感器元件的第一电极的电极壁面在第二方向上具有比第一传感器元件的第二电极的对置的电极壁面小的延伸。第二传感器元件的第二电极的电极壁面在第二方向上具有比第二传感器元件的第一电极的对置的电极壁面小的延伸。
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公开(公告)号：CN104701325B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201410737979.0
申请日：2014-12-05
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
Inventor： S·比塞尔特
IPC: H01L27/12 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/481 , H01L21/02104 , H01L21/76224 , H01L21/76283 , H01L21/764 , H01L23/053 , H01L2924/0002 , H05K1/02 , Y10T428/13 , H01L2924/00
Abstract: 根据各种实施例，一种载体可以包括：与载体的表面间隔开的空心室；以及在空心室内的至少一个支撑结构，该至少一个支撑结构连接设置在空心室之上的载体的第一区域与设置在空心室之下的载体的第二区域，其中至少一个支撑结构的表面的至少一部分与空心室的内表面间隔开，并且其中至少一个支撑结构包括电绝缘材料。
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公开(公告)号：CN105217560B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510359084.2
申请日：2015-06-25
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
CPC classification number: B81C1/00246 , B81B7/008 , B81B2201/0264 , B81B2203/0315 , B81C2203/0721 , B81C2203/0735 , G01D5/145 , G01L9/0073
Abstract: 本公开的实施例涉及一种微机械系统和用于制造微机械系统的方法，该方法包括：在前道制程(FEOL)工艺中在晶体管区域中形成晶体管；在FEOL工艺之后，形成牺牲层；对牺牲层进行结构化以形成经结构化的牺牲层；形成至少部分地覆盖经结构化的牺牲层的功能层；以及去除牺牲层以创建空腔。
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公开(公告)号：CN105575963A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510717656.X
申请日：2015-10-29
Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司
Inventor： R·威斯
IPC: H01L27/088
CPC classification number: H01L27/0883 , H01L27/0629 , H01L27/0886
Abstract: 本发明涉及具有增强型和耗尽型FinFET单元的半导体器件。一种半导体器件包括：增强型FinFET单元和耗尽型FinFET单元。所述增强型FinFET单元其包括分离第一半导体鳍的第一栅极结构。所述耗尽型FinFET单元包括分离第二半导体鳍的第二栅极结构。在第一和第二栅极结构之间，连接结构将第一半导体鳍与第二半导体鳍分离。连接结构具有比第二半导体鳍中的比电导高的比电导。
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