公开(公告)号：CN107265388A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710429715.2

申请日：2017-06-08

Applicant: 广东合微集成电路技术有限公司

Inventor： 朱二辉 ,  周志健 ,  于洋 ,  陈磊 ,  杨力建 ,  邝国华

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0032 ,  B81B7/0032 ,  B81B7/0058 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2201/0292 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00325 ,  B81C1/0038 ,  B81C2201/0174 ,  B81C2203/01 ,  B81C2203/0163

Abstract: 本发明涉及适合表面贴装工艺的压阻式复合传感器及其制造方法。包括平面集成或垂直集成结构；使用的晶圆结构包括衬底层、顶层、晶圆内的绝缘层及在衬底内与晶圆内的绝缘层界面位置设有空腔；顶层和衬底层为反相掺杂；衬底层上设有电隔离沟槽；被电隔离沟槽包围的衬底层上形成有金属引脚；在顶层上形成有复合传感器的压阻条、电学引线区及电连接通道，电连接通道在电学引线区和衬底硅的重合区域内；通过顶层硅表面的绝缘层、顶层硅及晶圆内的绝缘层，设有释放槽，形成复合传感器加速度传感器的可动结构，键合保护盖板，形成密封空腔。本发明的压阻式复合传感器便于后续与相应控制电路(IC)实现三维(3D)封装，成本低。

公开(公告)号：CN102834765A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201180015240.3

申请日：2011-02-17

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 本田雄士 ,  高梨伸彰

IPC: G02B26/10 ,  B81B3/00 ,  G02B26/08 ,  H02K33/16

CPC classification number: H02K33/16 ,  B81B3/0032 ,  B81B2201/042 ,  G02B7/1821 ,  G02B26/085 ,  G02B26/10 ,  G02B26/101 ,  G02B26/105 ,  G02B27/104

Abstract: 本发明公开了一种磁力驱动装置(7)，包括：第一移动部件(100)和第一驱动单元(200)。第一移动部件(100)具有第一移动板(111)和沿与第一移动板(111)大致平行的方向磁化的永磁体(120)，并且由第一框架体(112)和第一对梁部件(113)支撑，以便能够绕与第一移动板(111)大致平行且与永磁体(120)磁化的方向大致垂直的Y轴振动。第一驱动单元(200)具有磁轭(120)和对磁轭(210)进行磁化的线圈(220)。磁轭(210)具有第一端部(211a)以及放置在第一端部(211a)的大致相对一侧上、与永磁体(120)的一个磁极相对的第二端部(212a)。第一端部(211a)和第二端部(212a)被磁化为相互不同的极性，并且沿相同的振动方向驱动第一移动部件(100)。

公开(公告)号：CN107827077A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710888312.4

申请日：2017-09-27

Applicant: 广东电网有限责任公司惠州供电局 ,  清华大学

Inventor： 余占清 ,  王铁柱 ,  蔡素雄 ,  王晓蕊 ,  高士森 ,  黄泽荣 ,  施理成

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: B81B3/0032 ,  B81B7/02 ,  B81B2201/0278 ,  B81B2203/0118 ,  B81C1/0015 ,  B81C1/00158 ,  B81C2201/0166

Abstract: 本发明公开了一种涉及微机电系统领域的压阻式MEMS温度传感器。该传感器主要采用双层膜结构和惠斯通电桥技术。采用压阻式悬臂梁结构，将惠斯通电桥的四个电阻布置在四个悬臂梁的相同位置，通过引线将四个电阻连接成惠斯通电桥。能够放在狭窄的空间内直接进行点位置的温度测量。

公开(公告)号：CN107253696A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710434582.8

申请日：2017-06-09

Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司

Inventor： 王鹏 ,  邱栋 ,  杨鑫 ,  王宏臣 ,  陈文礼

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B3/0032 ,  B81B2201/0207 ,  B81C1/00341 ,  B81C1/00349 ,  B81C2201/0181

Abstract: 本发明涉及一种微测辐射热计的像元结构及其制备方法，所述参考像元的尺寸是所述有效像元尺寸的1.5～3倍，所述参考像元与所述有效像元的高度一致；在进行牺牲层的结构释放时，直接将像元结构放到去胶机中，由于参考像元的尺寸大，当有效像元的牺牲层释放完全时，参考像元的牺牲层还有部分未释放，不需要对参考像元与有效像元隔离开，能够简化工艺；另外，牺牲层采用非晶碳，能够保证参考像元与制作有效像元的工艺兼容，且能够增加参考像元结构的热导。

公开(公告)号：CN107032285A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611021448.7

申请日：2016-11-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 塚原克智 ,  高部本规 ,  平井荣树 ,  中山雅夫 ,  西面宗英

IPC: B81B3/00 ,  B41J2/14

CPC classification number: B41J2/14201 ,  B41J2/14233 ,  B41J2002/14241 ,  B41J2002/14266 ,  B41J2002/14491 ,  B41J2202/11 ,  B41J2202/18 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/052 ,  B81B3/0032

Abstract: 本发明提供抑制了层压于压电体层(38)上的上电极层(39)的端部处的烧损等损坏的MEMS器件、液体喷射头以及液体喷射装置。MEMS器件具备：驱动区域(35)，其具有下电极层(37)、压电体层(38)及上电极层(39)依次层压所形成的压电元件(32)，压电元件(32)从驱动区域(35)延伸到非驱动区域(36)，且在该延伸方向上，下电极层(37)及压电体层(38)延伸到与上电极层(39)相比靠外侧，覆盖延伸方向上的上电极层(39)的端部的树脂部(43)被层压在非驱动区域(36)内的上电极层(39)上以及形成在与该上电极层(39)相比靠外侧处的压电体层(38)上，与上电极层(39)电连接的导电层(44)层压在树脂部(43)上及从该树脂部(43)偏离出的区域内的上电极层(39)上，上电极层(39)的端部被形成在与导电层(44)的树脂部(43)侧的端部相比靠驱动区域(35)侧处。

公开(公告)号：CN105741900A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610119087.3

申请日：2016-03-02

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王欣

IPC: G21H1/00 ,  B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0032 ,  B81B3/00 ,  B81B2203/0118 ,  G21H1/02 ,  G21H1/06 ,  G21H3/00 ,  G21H1/00 ,  B81B3/0021

Abstract: 本发明公开了一种微机电系统核电池。所述微机电系统核电池包括：基底；悬臂梁结构，所述悬臂梁结构悬空设置，且通过固定端部固定于基底侧壁，所述悬臂梁结构包括放射部分和压电部分，放射部分位于所述悬臂梁结构的自由端部，所述压电部分位于所述悬臂梁结构的固定端部；放射单元，设置在所述基底上的与所述悬臂梁结构的放射部分相对应的位置，用于向所述放射部分发射电子，其中，所述放射部分的宽度大于所述压电部分的宽度。

公开(公告)号：CN109205545A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810696124.6

申请日：2018-06-29

Applicant: 英飞凌技术德累斯顿有限责任公司

Inventor： E·兰德格拉夫 ,  S·G·阿尔伯特 ,  S·比塞尔特 ,  S·普雷格尔 ,  M·罗斯

IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  G01L9/12 ,  G01P15/125

CPC classification number: G01P15/125 ,  B81B3/0021 ,  B81B3/0086 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00166 ,  G01L9/12 ,  G01P15/0802 ,  G01P2015/088 ,  B81B3/0032 ,  B81B2201/0221 ,  B81B2201/0264

Abstract: 一种微机械传感器包括电容式的第一传感器元件和第二传感器元件，分别具有第一电极和第二电极，其中第一电极的电极壁面和第二电极的电极壁面在第一方向上彼此对置并形成电容，其中第一电极可响应于待检测的变量在与第一方向不同的第二方向上移动，并且第二电极是固定的。第一传感器元件的第一电极的电极壁面在第二方向上具有比第一传感器元件的第二电极的对置的电极壁面小的延伸。第二传感器元件的第二电极的电极壁面在第二方向上具有比第二传感器元件的第一电极的对置的电极壁面小的延伸。

公开(公告)号：CN106053308A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610531321.3

申请日：2016-07-07

Applicant: 中国第一汽车股份有限公司

Inventor： 王金兴 ,  刘宏宇 ,  张斌 ,  张克金

IPC: G01N15/06 ,  G01D21/02 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01N15/0656 ,  B81B3/0032 ,  B81C1/00134 ,  G01D21/02

Abstract: 本发明涉及一种片式车用颗粒物传感器芯片及其制作方法，其特征在于：第三基片、第二基片、第一基片由下至上依次堆叠，加热电极布置在第三基片顶面，测温电极布置在第二基片的顶面，第一电极和第二电极均布置在第一基片的顶面，第一电极和第二电极的电极导线位置上方覆盖绝缘保护层；其可避免氧化锆基底和氧化铝绝缘层异质而引起的叠压困难和收缩不匹配性，简化了结构和制备工艺过程，能对尾气中颗粒物的浓度进行精确测量。

公开(公告)号：CN105548315A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201610073803.9

申请日：2016-02-02

Applicant: 苏州甫一电子科技有限公司

Inventor： 刘瑞 ,  邓敏 ,  李晓波 ,  张方兴

IPC: G01N27/30 ,  G01N27/447 ,  B81B3/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: G01N27/30 ,  B81B3/0032 ,  B81C1/00134 ,  G01N27/447

Abstract: 本发明公开了一种聚合物微流控芯片及其制备方法。该制备方法包括：提供第一聚合物基底，其第一表面凸设有电极；采用UV-LIGA技术制备形成微流道模具，再利用该微流道模具，通过微注塑等方式制备出包含微流道的第二聚合物基体，所述微流道凹设于所述第二聚合物基体的第二表面；将该第一、第二表面相互封接，并使所述电极至少局部凸露于所述微流道内，实现所述聚合物微流控芯片的封装。本发明以UV-LIGA技术制备基于聚合物衬底的微流控检测芯片，可以实现高精度的高深宽比微流控芯片结构的高效制备，且工艺简单、成本低，易于批量化生产，具有极大的市场应用潜力，所获微流控芯片可用于检测微量物质，例如可用于检测水体中的微量重金属离子、抗原和抗体生物等。

公开(公告)号：CN101588987B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN200780038079.5

申请日：2007-08-13

Applicant: 朗讯科技公司

Inventor： J·艾岑伯格 ,  T·N·克鲁彭金 ,  O·塞多伦科 ,  J·A·泰勒

IPC: B81B3/00

CPC classification number: B81B3/0032 ,  B01L3/502761 ,  B01L2300/0896 ,  B81B2201/047 ,  B81B2201/058 ,  B81B2201/06 ,  B81B2203/0361 ,  B81B2203/058 ,  B82Y30/00 ,  G02B5/1828 ,  Y10S310/80 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/24182 ,  Y10T428/24479

Abstract: 提供了一种装置。在一个实施方案中，该装置包括具有表面的基底和多个纳米结构，所述纳米结构的每一个具有第一末端和第二末端，其中多个纳米结构的每一个的第一末端连接至所述表面。在该实施方案中，所述多个纳米结构的至少一部分第二末端向彼此弯曲而形成两个或多个相似构造的簇，每个簇包括两个或多个纳米结构。