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公开(公告)号：CN114353668A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111666890.6
申请日：2021-12-30
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司 , 睿创微纳(无锡)技术有限公司
IPC: G01B11/02
Abstract: 本申请公开了一种光谱共焦位移传感探头和传感器，包括准直透镜，用于消除进入光谱共焦位移传感探头的光束的色差并准直光束；与准直透镜相对设置的超表面透镜，用于聚焦准直后光束并使聚焦后光束在光轴方向上发生色散；超表面透镜包括衬底，及设于衬底的第一表面和/或第二表面的多个微结构，多个微结构的高度相等，且衬底和微结构中至少微结构采用半导体工艺制备；第一表面为衬底与准直透镜相对的表面，第二表面与第一表面相背。探头只需设置一个超表面透镜和一个准直透镜即可，结构简单，且表面透镜中所有微结构的高度相等，进一步简化探头结构；衬底和微结构均采用半导体工艺制备，所以可以采用半导体工艺大规模生产，降低成本。
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公开(公告)号：CN111896122B
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202010801760.8
申请日：2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本申请公开了偏振非制冷红外探测器，包括多个像元，每个像元包括由下向上设置的基底层、具有支撑与电连接孔的第一悬空层、具有支撑连接孔的第二悬空层；第一悬空层包括具有第一通孔的第一支撑层、第一电极层、热敏层、热敏保护层，第一通孔位于支撑与电连接孔的底部，以便第一电极层与基底层电连接；第二悬空层包括第二支撑层、线栅层，位于支撑连接孔处的第二支撑层与热敏保护层相连，且支撑连接孔位于支撑与电连接孔的外侧。本申请探测器中支撑连接孔位于支撑与电连接孔的外侧，无需对第一悬空层平坦化处理，且在制作第二悬空层过程中，在图形化牺牲层时刻蚀厚度也不会增加，简化制备工艺，提升性能。本申请还提供一种具有上述优点的制作方法。
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公开(公告)号：CN107117579B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201710331925.8
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种双层偏振非制冷红外探测器结构，包括半导体基座和探测器本体，所述探测器本体包括绝缘介质层、金属反射层、第一支撑层、金属电极层、第一保护层、第二支撑层、电极金属层、热敏层和第二保护层，所述第一支撑层和绝缘介质层之间形成第一谐振腔，所述第一保护层和第二支撑层之间形成第二谐振腔，所述电极金属层上设有热敏层，双层结构提高了像元的红外吸收效率，在第二保护层上设有偏振结构，可以实现偏振敏感型红外探测器的单片集成，而且极大的降低了光学设计的难度；还涉及上述探测器结构的制备方法，包括制备双层非制冷红外探测器的步骤，还包括在双层非制冷红外探测器上制备偏振结构的步骤。
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公开(公告)号：CN112099114A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011053733.3
申请日：2020-09-29
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了复合透镜，包括基底；位于基底第一表面的透镜；根据透镜的面型加工误差设置在基底第二表面的第一超表面结构阵列，第一超表面结构阵列包括多个超表面结构单元；第一表面与第二表面相背。本申请的复合透镜包括基底、分别位于基底第一表面和第二表面的透镜和第一超表面结构阵列，由于透镜和第一超表面结构阵列在基底两个不同的表面上，透镜制作完成后，可以根据透镜的面型而设置第一超表面结构阵列，以修正透镜加工时由于面型误差而产生的像差，并且由于可以在透镜制作完成后设置第一超表面结构阵列，对加工误差的容忍度极高。本申请还提供一种具有上述优点的复合透镜制作方法和红外探测器。
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公开(公告)号：CN111896122A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010801760.8
申请日：2020-08-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本申请公开了偏振非制冷红外探测器，包括多个像元，每个像元包括由下向上设置的基底层、具有支撑与电连接孔的第一悬空层、具有支撑连接孔的第二悬空层；第一悬空层包括具有第一通孔的第一支撑层、第一电极层、热敏层、热敏保护层，第一通孔位于支撑与电连接孔的底部，以便第一电极层与基底层电连接；第二悬空层包括第二支撑层、线栅层，位于支撑连接孔处的第二支撑层与热敏保护层相连，且支撑连接孔位于支撑与电连接孔的外侧。本申请探测器中支撑连接孔位于支撑与电连接孔的外侧，无需对第一悬空层平坦化处理，且在制作第二悬空层过程中，在图形化牺牲层时刻蚀厚度也不会增加，简化制备工艺，提升性能。本申请还提供一种具有上述优点的制作方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106219480B
公开(公告)日：2018-04-13
申请号：CN201610532815.3
申请日：2016-07-07
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种非制冷红外3D MEMS系统结构及其制作方法，涉及非制冷红外3D MEMS结构领域。目的在于采用新的MEMS结构后，解决了传统结构受像元尺寸的缩小无法解决器件平坦化的问题，以及解决了多层工艺导致金属互联困难的问题，并解决了器件像元缩小后，尽可能维持氧化钒的面积并减少了桥腿的热导，确保器件性能不降低的问题，并采用蜂窝状结构，增加了红外吸收因子。介质层中部设有凹槽，反射层位于介质层中部凹槽的上表面，反射层的上方依次为第一层牺牲层和第二层牺牲层，且所述第一层牺牲层位于介质层中部凹槽中。把第一层牺牲层结构埋在电路的介质中进行制作，有利于后面小尺寸线宽和小像元的制作。
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公开(公告)号：CN107128872A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201710328761.3
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0009 , B81B2201/02 , B81C1/0038 , B81C1/00388 , B81C1/00396
Abstract: 本发明涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器，包括半导体基座、金属反射层、绝缘介质层、支撑层、保护层、金属电极层、热敏层，所述保护层包括第一保护层和第二保护层，所述第二保护层设置所述热敏层上，所述第二保护层上设有偏振结构，所述偏振结构包括光栅支撑层和设置在所述光栅支撑层上金属光栅结构，采用微桥倒置，微桥下面没有支撑桥墩，结构不容易产生变形；采用了三层微桥结构，第一层为红外辐射吸收结构，第二层为热绝缘微桥结构，第三层为偏振结构，有效提升像素的填充系数及提高入射红外辐射的吸收效率；还涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器的制备方法，两层牺牲层可以连续进行蚀刻，晶圆表面非常平整。
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公开(公告)号：CN107101728A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710328750.5
申请日：2017-05-11
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: G01J5/20 , B81C1/00349 , B81C1/00523 , B81C1/00611 , G01J2005/0077
Abstract: 本发明涉及一种非制冷双色偏振红外探测器，在非制冷双色红外探测器上制备两个偏振结构，所述非制冷双色红外探测器分为呈矩阵排列的四个区域：第一、三区域和第二、四区域，第一、三区域和第二、四区域形成高度不同的谐振腔。本发明还涉及制备上述探测器的方法，包括在第一、三区域和第二、四区域分别制作不同高度的谐振腔的步骤、分别溅射不同方阻值热敏层薄膜的步骤及在所述非制冷双色红外探测器的第一、三区域和第二、四区域分别制备偏振结构的步骤，能够在超低温(‑80℃～‑60℃)环境下工作和超高温(85℃～100℃)环境下工作，且具备偏振特性。
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公开(公告)号：CN107068780A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710253069.9
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0232 , H01L31/032 , H01L31/101 , H01L31/18 , G01J5/10
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/101 , G01J5/10 , H01L31/022425 , H01L31/0232 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种氧化方法制备氧化钛热敏层的红外探测器，其支撑层的桥面区域设有氧化钛薄膜，氧化钛薄膜为半导体，其连接金属及支撑层的桥腿区域设有与氧化钛薄膜处于同一层的钛薄膜，所述钛薄膜上设有第一保护层，氧化钛薄膜和第一保护层上设有第二保护层，还涉及上述探测器的制备方法，包括在支撑层上依次沉积钛薄膜和第一保护层的步骤去除桥面第一保护层薄膜，对桥面上露出的钛薄膜进行氧化，形成氧化钛薄膜，作为热敏层薄膜的步骤，在支撑层上直接沉积钛薄膜，并对桥面区域的钛薄膜进行氧化处理，使之转变为氧化钛薄膜，作为热敏层薄膜，不需要单独沉积金属电极层的工艺，能大幅简化工艺步骤，提高产能。
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公开(公告)号：CN107063474A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710253138.6
申请日：2017-04-18
Applicant: 烟台睿创微纳技术股份有限公司
CPC classification number: G01J5/20 , B81C1/00015 , G01J2005/0077
Abstract: 本发明涉及一种曲面焦平面探测器，所述探测器所述焦平面探测器为曲面，其曲率半径不小于3mm，其厚度不超过50μm，可以始终保持光线焦点在焦平面探测器上，从而保证最大程度的成像效果，适合应用于大视场或超大视场，超大面阵列高分辨率成像；还涉及上述曲面焦平面探测器的制备方法，先完成电极金属层的图形化处理，在电极金属层上制作与热敏薄膜的接触孔，可以向像元边缘拓展接触孔的尺寸，采用离子束反应溅射的方法制备热敏层薄膜，且对探测器进行减薄处理，减薄后弯曲定型，探测器的结构释放可以放在弯曲定型之前，也可以放在弯曲定型之后，形成的曲面焦平面探测器更适用于大视场或超大视场。
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