一种双层偏振非制冷红外探测器结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN107117579B

    公开(公告)日:2021-07-16

    申请号:CN201710331925.8

    申请日:2017-05-11

    Abstract: 本发明涉及一种双层偏振非制冷红外探测器结构,包括半导体基座和探测器本体,所述探测器本体包括绝缘介质层、金属反射层、第一支撑层、金属电极层、第一保护层、第二支撑层、电极金属层、热敏层和第二保护层,所述第一支撑层和绝缘介质层之间形成第一谐振腔,所述第一保护层和第二支撑层之间形成第二谐振腔,所述电极金属层上设有热敏层,双层结构提高了像元的红外吸收效率,在第二保护层上设有偏振结构,可以实现偏振敏感型红外探测器的单片集成,而且极大的降低了光学设计的难度;还涉及上述探测器结构的制备方法,包括制备双层非制冷红外探测器的步骤,还包括在双层非制冷红外探测器上制备偏振结构的步骤。

    一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN107128872A

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201710328761.3

    申请日:2017-05-11

    Abstract: 本发明涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器,包括半导体基座、金属反射层、绝缘介质层、支撑层、保护层、金属电极层、热敏层,所述保护层包括第一保护层和第二保护层,所述第二保护层设置所述热敏层上,所述第二保护层上设有偏振结构,所述偏振结构包括光栅支撑层和设置在所述光栅支撑层上金属光栅结构,采用微桥倒置,微桥下面没有支撑桥墩,结构不容易产生变形;采用了三层微桥结构,第一层为红外辐射吸收结构,第二层为热绝缘微桥结构,第三层为偏振结构,有效提升像素的填充系数及提高入射红外辐射的吸收效率;还涉及一种新型偏振非制冷红外焦平面探测器的制备方法,两层牺牲层可以连续进行蚀刻,晶圆表面非常平整。

    一种非制冷双色偏振红外探测器及其制造方法

    公开(公告)号:CN107101728A

    公开(公告)日:2017-08-29

    申请号:CN201710328750.5

    申请日:2017-05-11

    Abstract: 本发明涉及一种非制冷双色偏振红外探测器,在非制冷双色红外探测器上制备两个偏振结构,所述非制冷双色红外探测器分为呈矩阵排列的四个区域:第一、三区域和第二、四区域,第一、三区域和第二、四区域形成高度不同的谐振腔。本发明还涉及制备上述探测器的方法,包括在第一、三区域和第二、四区域分别制作不同高度的谐振腔的步骤、分别溅射不同方阻值热敏层薄膜的步骤及在所述非制冷双色红外探测器的第一、三区域和第二、四区域分别制备偏振结构的步骤,能够在超低温(‑80℃~‑60℃)环境下工作和超高温(85℃~100℃)环境下工作,且具备偏振特性。

    一种基于超表面的非制冷红外成像传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN107741278B

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201710918927.7

    申请日:2017-09-30

    Abstract: 本发明涉及一种基于超表面的非制冷红外成像传感器,包括双层非制冷红外探测器,双层非制冷红外探测器包括半导体衬底和探测器本体,探测器本体包括第一层悬空结构和第二层悬空结构,第一层悬空结构包括金属反射层、绝缘介质层、金属电极层、电极保护层、第一支撑层、热敏保护层和热敏层,第二层悬空结构包括超材料支撑层和超材料支撑保护层,在超材料支撑保护层上设有超材料结构,所述超材料结构采用NiCr或/和Al,其厚度在12~30nm之间;还涉及上述传感器的制备方法,提供一未进行牺牲层释放的双层非制冷红外探测器,在其上制备超材料结构后,进行牺牲层释放,制备工艺简单,能与CMOS工艺兼容,且能够实现多色探测、宽波段探测、窄谱探测等功能。

    一种偏振敏感型非制冷红外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN107150995B

    公开(公告)日:2019-04-30

    申请号:CN201710328762.8

    申请日:2017-05-11

    Abstract: 本发明涉及一种偏振敏感型非制冷红外探测器,包括第一层悬空结构,所述第一层悬空结构为现有非制冷红外探测器,所述第一层悬空结构上设有第二层悬空结构,所述第二层悬空结构包括光栅支撑层和设置在支所述光栅撑层上的金属光栅结构,能够简化光学系统,提升图像的真实性与有效性;还涉及上述偏振敏感型非制冷红外探测器的制备方法,包括以下步骤:步骤1.在未进行结构释放的现有非制冷红外探测器上制备第二层牺牲层和光栅支撑层;步骤2.制备金属光栅结构;步骤3.结构释放,形成偏振敏感型非制冷红外探测器。

    一种微测辐射热计参考像元的制备方法和结构

    公开(公告)号:CN106276781B

    公开(公告)日:2017-10-17

    申请号:CN201610803895.1

    申请日:2016-09-06

    Abstract: 本发明涉及一种微测辐射热计参考像元的制备方法及其结构,该方法包括:制备金属反射层;在金属反射层上依次制备绝缘介质层、第一牺牲层和第一支撑层;在金属反射层上制备通孔;在第一支撑层上依次制备电极层和电极保护层、热敏层、热敏保护层和第一释放保护层,或,在第一支撑层上依次制备热敏层、热敏保护层、电极层、电极保护层和第一释放保护层;在第一释放保护层上制备第二牺牲层和第二释放保护层,得到参考像元的结构。本发明通过上述方法制作出的参考像元结构,可以使参考像元对接收到的辐射响应降低,提升微测辐射热计的高低温性能,并能降低封装或者应用过程中的异物或者钝器对于参考像元的影响。

    一种单片集成的MEMS气体传感器

    公开(公告)号:CN106802310A

    公开(公告)日:2017-06-06

    申请号:CN201710037819.9

    申请日:2017-01-19

    Inventor: 王宏臣 邱栋

    CPC classification number: G01N27/18

    Abstract: 本发明涉及一种单片集成的MEMS(微机电系统)气体传感器,包括含有读出电路的衬底,所述衬底上依次设有碳化硅层、二氧化硅薄膜、绝缘层,所述绝缘层上设有若干个均匀分布的加热电极,所述加热电极贯穿所述碳化硅层、二氧化硅薄膜、绝缘层的连接金属与所述衬底中的读出电路电连接,所述两相邻加热电极上依次设有热敏层、气体敏感层和气敏型金属氧化物薄膜,所述热敏层与所述加热电极电连接,所述气体敏感层上的气敏型金属氧化物薄膜材质不同或相同;能够同时检测多种不同的气体,成本较低。

    一种新型非制冷红外焦平面探测器像元及其制作方法

    公开(公告)号:CN106340561A

    公开(公告)日:2017-01-18

    申请号:CN201610866952.0

    申请日:2016-09-29

    CPC classification number: H01L31/18 H01L31/09

    Abstract: 本发明公开了一种新型非制冷红外焦平面探测器像元及其制作方法,属于非制冷红外焦平面探测器领域技术领域。其自半导体衬底往上,依次包括三层结构,第一层的桥腿结构包括金属反射层、绝缘介质层、第一支撑层、第一支撑层保护层、第一金属电极层和第一氮化硅介质层;第二层的热转换结构包括第二支撑层、第二支撑层保护层、第二金属电极层、第二氮化硅介质层、热敏层和热敏层保护层;第三层的吸收层结构包括第三支撑层、吸收层和吸收层保护层。本发明还公开了上述新型非制冷红外焦平面探测器像元的制作方法。本发明的非制冷红外焦平面探测器像元,能显著提高红外辐射的吸收率,提升探测器的响应率,为制造更大阵列和更小像元的探测器打下基础。

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