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公开(公告)号：CN106248993B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201610589605.8
申请日：2016-07-26
Applicant: 广东合微集成电路技术有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P15/08
Abstract: 本发明提供了一种含有过载限位装置的电容式加速度传感器，包括晶圆硅衬底，质量块，以及至少一个过载限位装置，过载限位装置由限位挡板和第二连接件组成，限位挡板一端与晶圆硅衬底相连，一端自由；第二连接件一端与晶圆硅衬底相连，一端与质量块相连。本发明还提供一种含有过载限位装置的电容式加速度传感器的制造方法。限位挡板的厚度及限位距离由刻蚀工艺的刻蚀深度决定，整个晶圆的加工一致性好，采用机械限位结构，省去电学限位结构的复杂控制IC，从而保证限位过载保护的精确性，利于成品小型化。
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公开(公告)号：CN106018879B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610312471.5
申请日：2016-05-12
Applicant: 广东合微集成电路技术有限公司
Abstract: 本发明涉及传感器加工技术领域，尤其涉及基于MEMS加工工艺制成的MEMS加速度传感器，包括硅衬底、硅衬底中的第一预定空腔及第一预定空腔上方的悬空硅膜、至少一个第二预定空腔及其第二预定空腔上方的悬空硅膜、半导体掺杂电阻，半导体掺杂与导电线电连接；于第一预定空腔上方形成第一连接件、第一释放槽，于第二预定空腔上方形成限位挡板、第二释放槽、第二连接件，第一释放槽结合第二释放槽形成一悬空释放结构；其中，限位挡板一端连接硅衬底，另一端自由悬空，第一连接件、第二连接件一端与硅衬底连接，另一端和第一预定空腔上方的悬空硅膜连接，通过悬空释放结构中的限位挡板实现精确的限位过载保护目的，结构简单，且易于加工。
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公开(公告)号：CN105675921B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201610032044.1
申请日：2016-01-18
Applicant: 广东合微集成电路技术有限公司
IPC: G01P15/125 , G01P21/00
Abstract: 本发明公开了一种加速度传感器及其制作方法，所述方法包括：在衬底中形成空腔和位于所述空腔上方的与衬底绝缘并依次相互绝缘连接的第一悬空薄膜、第二悬空薄膜和第三悬空薄膜；在所述第一悬空薄膜上形成与之电连接的第一电极，在所述第二悬空薄膜上形成与之电连接的第二电极，在所述第三悬空薄膜上形成与之电连接的第三电极，以及在衬底上方形成与之电连接的第四电极；形成扭转梁结构，所述第一悬空薄膜、第二悬空薄膜和第三悬空薄膜通过所述扭转梁结构与所述衬底连接，且所述第一悬空薄膜和第二悬空薄膜沿所述扭转梁结构对称；所述第一悬空薄膜和第二悬空薄膜与所述衬底形成差分电容式检测结构；所述第三悬空薄膜与所述衬底构成晶圆级检测电容结构,实现了晶圆级自检测功能，避免采用离心机测试，降低了由于加速度传感器失效造成的成本损失。
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公开(公告)号：CN105905866A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201610316602.7
申请日：2016-05-12
Applicant: 广东合微集成电路技术有限公司
CPC classification number: B81C1/00015 , B81B3/0064
Abstract: 本发明涉及传感器加工技术领域，尤其涉及复合传感器及制造方法，复合传感器，包括，硅衬底，硅衬底中的至少一个第一预定空腔、至少一个第二预定空腔、至少一个第三预定空腔；在硅衬底表面预定位置形成有若干个用以形成加速度传感器、压力传感器、温度传感器的半导体掺杂电阻，半导体掺杂电阻与导电线电连接；于至少一个第一预定空腔上方的悬空硅膜形成第一释放槽，于至少一个第三预定空腔上方的悬空硅膜中形成第二释放槽，第一释放槽结合第二释放槽形成一悬空释放结构；加速度传感器可动结构外部设置有限位挡板，该限位挡板具有精确的过载限位保护作用，另外其过载限位装置的结构简单，制作过程相对较容易掌握，有利于产品的批量生产。
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公开(公告)号：CN105783998A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610237674.2
申请日：2016-04-15
Applicant: 广东合微集成电路技术有限公司
IPC: G01D21/02
CPC classification number: G01D21/02
Abstract: 本发明实施例公开了一种复合传感器，包括：至少一个加速度传感器；所述加速度传感器的顶部包括有保护盖板；所述加速度传感器中的部分结构复用为至少一个压力传感器的部分结构，其中，部分或全部所述保护盖板复用为所述至少一个压力传感器的压力敏感膜；所述至少一个压力传感器的剩余结构设置在所述保护盖板之上。本发明实施例提供的复合传感器既能够同时实现压力传感和加速度传感的集成，又能够减小压力传感器和加速度传感器集成后芯片的尺寸、降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104409428A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410521578.1
申请日：2014-09-30
Applicant: 广东合微集成电路技术有限公司
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及集成传感设备领域，公开了一种集成传感器，包括传感芯片和通过导线与传感芯片连接的控制电路芯片，所述传感芯片包括晶圆衬底和键合在晶圆衬底上的晶圆，晶圆衬底上安装至少一个密封传感元件和至少一个空气传感元件；所述对应密封传感元件的部分传感芯片与控制电路芯片、封装基板和封装隔板灌塑封装在一起，所述晶圆的顶部为封装隔板。还公开了一种集成传感器封装方法，以预先做好腔体进行密封封装的晶圆顶部为封装隔板，利用夹具将控制电路芯片、导线和部分传感芯片灌塑封装。使得所有金属导线均被灌塑封装材料包裹，工艺简单，操作方便，同时降低了生产成本；结构简单，具有较高的安全性、稳定性及可靠性。
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公开(公告)号：CN104362144A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410485802.6
申请日：2014-09-22
Applicant: 广东合微集成电路技术有限公司
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种胎压监测系统的封装结构及其封装方法，属于集成电路封装技术领域，为解决现有装置体积大、重量重而不便于在汽车轮胎上安装的问题而设计。本发明胎压监测系统的封装结构包括具有顶层和底层的基板，传感器和控制芯片分别粘接在所述基板的顶层并通过固定件分别进行固定，分立元件也贴装在所述基板的顶层，所述传感器上包覆矽胶，所述基板上设有的全部元件通过包封材料封装。本发明的胎压监测系统封装结构体积小、重量轻、性能稳定，本发明胎压监测系统封装结构的封装方法，工序简单、便捷，能够保证在恶劣环境下使用的可靠性。
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公开(公告)号：CN103368521A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310278034.2
申请日：2013-07-03
Applicant: 广东合微集成电路技术有限公司
IPC: H03H9/24
Abstract: 本发明公开了一种微机械谐振器，包括谐振部分以及围绕谐振部分一个或一个以上的连接部分，其中，所述连接部分包含：第一级耦合梁，与所述谐振部分连接；附加耦合梁结构，包含至少一个耦合梁，与所述第一耦合梁连接；一个或多个锚点，分别位于最末级耦合梁的端点上。本发明通过附加耦合梁结构降低了锚点的能量损耗，从而有效地提高了微机械谐振器的Q值。
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公开(公告)号：CN107265397B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201710429714.8
申请日：2017-06-08
Applicant: 广东合微集成电路技术有限公司
Abstract: 本发明涉及适合表面贴装工艺的压阻式加速度传感器及其制造方法。使用的晶圆结构包括衬底层、顶层、绝缘层及在衬底层内与绝缘层界面位置设有空腔；顶层和衬底层为反相掺杂；衬底层上设有电隔离沟槽；被电隔离沟槽包围的衬底层下面的绝缘层上设有金属引脚；在顶层上形成有加速度传感器的压阻条、电学引线区；电学引线区与压阻条部分及电隔离沟槽包围的衬底部分重合；在电学引线区和电隔离沟槽包围的衬底部分重合区设有电连接通道；顶层表面的绝缘层、顶层及绝缘层设有释放槽，形成加速度传感器的可动结构，键合保护盖板，形成密封空腔。本发明的压阻式加速度传感器便于后续与相应控制电路(IC)实现三维(3D)封装，工艺简单，加工工艺先后顺序灵活，成本低。
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公开(公告)号：CN106768593A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610998195.2
申请日：2016-11-14
Applicant: 广东合微集成电路技术有限公司
Abstract: 本发明提供一种复合传感器及其制造方法，制造中使用的晶圆原材料具有刻蚀自停止层，通过机械减薄实现压力敏感膜和加速度传感器悬臂梁所需的厚度，因而厚度精确，一致性好、采用干法刻蚀，芯片尺寸小、加速度传感器通过形成自检测电极，用静电力模拟加速度输入，可以具有自检测功能，降低测试成本、避免采用电镀铜工艺，工艺完全和CMOS工艺兼容，同时提高芯片性能。
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