全硅基微流体器件的腔体的制造方法

    公开(公告)号:CN102320558B

    公开(公告)日:2014-03-26

    申请号:CN201110270253.7

    申请日:2011-09-13

    Abstract: 本发明提供一种全硅基微流体器件的腔体的制造方法,包括步骤:提供 晶向的单晶硅衬底,其上形成有氧化层;将氧化层图形化,露出多个正方形窗口图形;以氧化层为掩模,刻蚀硅衬底,形成上层深槽;在氧化层表面和上层深槽的侧壁及底部淀积保护层;将氧化层表面和上层深槽底部的保护层去除;以氧化层和上层深槽侧壁的保护层为掩模,刻蚀硅衬底,形成下层深槽;湿法刻蚀下层深槽,在硅衬底内部形成腔体;将上层深槽的孔洞填满,将腔体封闭;以氧化层为掩模,刻蚀硅衬底,形成四个与腔体连通的反应池。本发明形成腔体的过程中基于单片硅衬底本身进行加工,通过先分层形成底部腔体后填充深槽的方式,不涉及硅键合或胶粘合技术即可形成腔体。

    用于MEMS装置的阳极接合
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103608283A

    公开(公告)日:2014-02-26

    申请号:CN201280025974.4

    申请日:2012-06-07

    Abstract: 本发明涉及一种装置,包括彼此固定的包括硅区域的晶片和包括玻璃区域的晶片,由此形成在晶片之间的该固定区定义了多层结构,该多层结构包括保护硅不受由于表面侵蚀引起的物理变化的第一层,该层覆盖硅区域,和保护玻璃不受由于表面侵蚀引起的物理变化的第二层,该层覆盖玻璃区域;所述多层结构还包括能够在两个保护层之间实现阳极接合的至少一个附加层;所述装置包含由所述保护层保护的并且能够暂时容纳溶液的至少一个流体通道。

    超疏水表面及制造方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101437749B

    公开(公告)日:2013-09-11

    申请号:CN200780016060.0

    申请日:2007-04-25

    Abstract: 一种装置包括:具有内衬(104)的管道体(102),该内衬(104)形成具有纵轴(108)的通道(106)的边界;该内衬包括内衬基底(110);该内衬包括与该内衬基底成一体的凸起微尺度特征(112)。一种装置包括:至少部分地封闭空腔(300)的空腔体(302);该空腔具有内衬(304),该内衬(304)形成具有纵轴(308)的通道(306)的边界;该内衬包括内衬基底(310);该内衬包括与该内衬基底成一体的凸起微尺度特征(312)。一种方法包括:对在基底上具有凸起微尺度特征的超疏水图案的设备提供(604)三维图形设计,该基底和该凸起微尺度特征是一体的;将作为正像或负像的该三维图形设计输入(608)到三维快速原型制造装置;以及沉积(612)制造材料,并且一体式制造该基底和该凸起微尺度特征。

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