公开(公告)号：CN111933526A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201910395340.1

申请日：2019-05-13

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 高东岳

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/265 ,  H01L29/739

摘要： 本发明公开了一种IGBT和其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：在半导体衬底中注入砷离子以形成第一掺杂区；对第一掺杂区退火，以激活砷离子；在第一掺杂区中注入磷离子，以使第一掺杂区形成IGBT的发射区。本发明有效修复砷离子注入后形成的缺陷，有效降低漏电流，提高IGBT制作的良率。

公开(公告)号：CN111834221A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201910299950.1

申请日：2019-04-15

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 林威

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种LDMOS和其制作方法，其中制作方法包括以下步骤：在半导体基片上形成衬底区；衬底区包括第一区域；在第一区域内制作第一STI、第二STI、漂移区和中压p阱；在第一区域的上方形成氧化层；在氧化层的上方形成第一多晶硅层；在第一多晶硅层的上表面设置第一光胶层，第一光胶层包括第一透射区和第一阻挡区；第一阻挡区用于阻挡杂质离子穿过；通过第一透射区向漂移区高能量注入第一杂质离子，以形成第一n型掺杂区。本发明通过在LDMOS的漂移区中高能注入杂质离子减小了漂移区的导通电阻，并能够维持击穿电压。

公开(公告)号：CN111763927A

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201910257884.1

申请日：2019-04-01

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 杨力勇 ,  沈震

IPC分类号： C23C16/52

摘要： 本发明公开了一种LPCVD炉管法兰温控装置及LPCVD炉设备。LPCVD炉管法兰温控装置包括温度传感器、温度控制器、第一继电器、固态继电器、电磁阀和冷却流体管路，温度传感器用于检测法兰的温度，温度控制器的输入端连接温度传感器，以获取温度传感数据，温度控制器的输出端经由第一继电器的第一触头连接至固态继电器的输入端，其中第一触头为常开触头，固态继电器的输出端连接至布置于冷却流体管路中的电磁阀，电磁阀为常开电磁阀；其中，温度控制器配置为，根据温度传感数据控制固态继电器的闭合和断开。本发明能够通过控制冷却流体通过炉管的法兰，精确控制法兰温度，减少硅片生产中产生的颗粒物数量，又不损坏法兰密封圈。

公开(公告)号：CN111613533A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201910142611.2

申请日：2019-02-26

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 林威

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/167 ,  H01L29/10

摘要： 本发明公开了一种制作非对称低中压器件的方法及非对称低中压器件，其中方法包括：在非对称低中压器件的衬底区形成N阱和P阱；在N阱上方的衬底区的上表面制作闸极，闸极与P阱无重合区域；从P阱上方的衬底区的上表面打开窗口，并大角度注入第一掺杂离子形成第一掺杂区；从P阱上方的衬底区的上表面以小角度注入第二掺杂离子至第一掺杂区内形成第二掺杂区，第一掺杂区与第二掺杂区在横向上的间隔形成沟道。本发明通过在第一掺杂区和第二掺杂区间形成的沟道，与传统的非对称低中压器件中的沟道相比，沟通长度变短，有效地降低了导通电阻。

公开(公告)号：CN111326401A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201811541783.9

申请日：2018-12-17

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 刘奇斌 ,  陈倩

IPC分类号： H01L21/02 ,  B08B3/08

摘要： 本发明公开了一种功率半导体器件金属层的清洗方法。该方法包括下述步骤：将覆有金属层的功率半导体器件经第一清洗液、第二清洗液、第三清洗液、第四清洗液和第五清洗液顺序清洗，即可；第一清洗液为H2SO4和H2O2的混合溶液；第二清洗液为HF溶液；第三清洗液为H2O2溶液；第四清洗液为NH3·H2O和H2O2的混合溶液；第五清洗液为HCl和H2O2的混合溶液。本发明的清洗方法能够有效解决功率半导体器件金属工艺过程中的外观异常现象，且清洗方法简单易行，并不增加制造成本，适宜工业化大生产。

公开(公告)号：CN111308981A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201811510623.8

申请日：2018-12-11

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 晁磊 ,  陈崇山 ,  沈震

IPC分类号： G05B23/02

摘要： 本发明公开了一种源瓶控制器监控系统。本发明的源瓶控制器监控系统包括源瓶控制器、扩散炉及电连接线，源瓶控制器包括温度模拟量输出端口，扩散炉包括气体接口板，气体接口板具有流量计输出端口，电连接线的两端分别接入温度模拟量输出端口及流量计输出端口；扩散炉还包括控制器和显示器，控制器连接至流量计输出端口，控制器配置为，接收自温度模拟量输出端口输出并经流量计输出端口传输的电压信号，并将电压信号转换为温度读数，由显示器显示温度读数。本发明的源瓶控制器监控系统，能够利用扩散炉设备的显示器直接监视源瓶控制器的监测温度，并且及时发现故障及断电的发生，从而有助于减少源瓶控制器异常导致的扔片，提高设备的可靠性。

公开(公告)号：CN110660658A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201810683880.5

申请日：2018-06-28

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 王学良 ,  刘建华 ,  袁志巧 ,  闵亚能

IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种VDMOS及其制造方法，VDMOS包括内置的续流二极管，续流二极管包括相邻的p型掺杂区和n型掺杂区，半导体衬底基片具有第一主面和第二主面，第一主面设置有第一目标掺杂区，第二主面设置有第二目标掺杂区，第一目标掺杂区为用于制作p型掺杂区的区域，第二目标掺杂区为用于制作n型掺杂区的区域，制造方法包括：向第一目标区域中掺杂p型杂质离子，以形成p型掺杂区；向第二目标区域中注入氢离子，以形成n型掺杂区和复合中心，复合中心用于降低续流二极管的临界饱和电压以及加速反向恢复时间。本发明采用氢离子注入工艺在n型掺杂层中形成复合中心，能够加速内置的续流二极管的反向恢复速度，提高性能。

公开(公告)号：CN110416073A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201810401948.6

申请日：2018-04-28

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 王学良 ,  刘建华 ,  郎金荣

IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/324 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种IGBT和其制造方法，其中IGBT制造方法包括以下步骤：在半导体衬底中注入氢离子，形成n型的载流子存储层。本发明的IGBT和其制造方法在制作载流子存储层的步骤中，采用氢离子注入技术，从而在形成载流子存储层后，既起到n型空穴阻挡层的作用，又形成复合中心，因此，既能降低饱和压降，又同时有效缩短少子寿命。

公开(公告)号：CN107481931A

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201710725954.2

申请日：2017-08-22

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 刘峰松

IPC分类号： H01L21/332

摘要： 本发明公开了一种晶闸管的制作方法，所述制作方法包括：S1、在P-离子的半导体衬底内的进行P-离子和N-离子的注入，制作P阱和N阱；S2、第一次加热处理进行P阱与N阱的结推进；S3、在所述P阱与所述N阱中注入N+离子和P+离子；S4、第二次加热处理激活所述N+离子和所述P+离子；S5、对半导体衬底进行深槽隔离。本发明的晶闸管的制作方法是以平面工艺结构制造的晶闸管，步骤简单，对工艺要求低，保证了成品率且成本低。

公开(公告)号：CN106960782A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201710209971.0

申请日：2017-03-31

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 刘龙平 ,  刘凯哲 ,  刘建华

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L21/0201 ,  H01L21/02299 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了一种半导体衬底的防漏电方法，所述防漏电方法包括以下步骤：S1、对P+型衬底进行脱氧处理；S2、对经过脱氧处理的P+型衬底进行硅成核处理；S3、在经过硅成核处理的P+型衬底上生长N型外延层来形成PN结。本发明提供的半导体衬底的防漏电方法通过有效地降低P+型衬底的缺陷来解决了PN结漏电的问题，从而使PN结正常工作，防止二极管失去特性，满足了半导体器件的工作要求。