公开(公告)号：CN103888886A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410095540.2

申请日：2014-03-14

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 颜毅林 ,  晁磊 ,  万建安 ,  戴竝盈 ,  徐元俊

IPC: H04R31/00

Abstract: 本发明提供一种低应力原位掺杂的多晶硅薄膜的制造方法，包括步骤：提供硅衬底；在硅衬底的正面和背面分别形成氧化层；在氧化层上分别淀积生长原位掺杂的多晶硅薄膜；对当前结构作退火以调节多晶硅薄膜的应力；在硅衬底正面的多晶硅薄膜上涂覆光刻胶保护，对硅衬底背面的多晶硅薄膜进行刻蚀，至露出氧化层时停止。本发明简化了工艺步骤，薄膜内部离子浓度分布的均匀性更好。

公开(公告)号：CN111308981A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201811510623.8

申请日：2018-12-11

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 晁磊 ,  陈崇山 ,  沈震

IPC: G05B23/02

Abstract: 本发明公开了一种源瓶控制器监控系统。本发明的源瓶控制器监控系统包括源瓶控制器、扩散炉及电连接线，源瓶控制器包括温度模拟量输出端口，扩散炉包括气体接口板，气体接口板具有流量计输出端口，电连接线的两端分别接入温度模拟量输出端口及流量计输出端口；扩散炉还包括控制器和显示器，控制器连接至流量计输出端口，控制器配置为，接收自温度模拟量输出端口输出并经流量计输出端口传输的电压信号，并将电压信号转换为温度读数，由显示器显示温度读数。本发明的源瓶控制器监控系统，能够利用扩散炉设备的显示器直接监视源瓶控制器的监测温度，并且及时发现故障及断电的发生，从而有助于减少源瓶控制器异常导致的扔片，提高设备的可靠性。