公开(公告)号：CN103832967A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410085898.7

申请日：2014-03-10

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 颜毅林 ,  徐元俊 ,  戴竝盈 ,  孙钧 ,  刘伟

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种MEMS传感器的加工方法，包括：提供硅衬底，在其正、背面分别依次形成刻蚀阻挡层、第一电极层；对衬底正面的第一电极层作图形化；在其上分别依次形成牺牲层、第二电极层；对衬底正面的第二电极层作图形化；透过图形化的第二电极层刻蚀牺牲层形成接触孔，并在接触孔底部和第二电极层上分别形成金属接触；从衬底的背面依次刻蚀第二电极层、牺牲层、第一电极层及刻蚀阻挡层，并继续刻蚀衬底直至正面的刻蚀阻挡层才停止，形成开口向下的深槽；在衬底的正面上方涂覆光刻胶作保护，留出后续需要被刻蚀牺牲层的区域；透过图形化的第二电极层刻蚀牺牲层，并去除深槽底部的刻蚀阻挡层。本发明简化了工艺步骤，保证顺利流片并实现良好的成品率。

公开(公告)号：CN103832967B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201410085898.7

申请日：2014-03-10

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 颜毅林 ,  徐元俊 ,  戴竝盈 ,  孙钧 ,  刘伟

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种MEMS传感器的加工方法，包括：提供硅衬底，在其正、背面分别依次形成刻蚀阻挡层、第一电极层；对衬底正面的第一电极层作图形化；在其上分别依次形成牺牲层、第二电极层；对衬底正面的第二电极层作图形化；透过图形化的第二电极层刻蚀牺牲层形成接触孔，并在接触孔底部和第二电极层上分别形成金属接触；从衬底的背面依次刻蚀第二电极层、牺牲层、第一电极层及刻蚀阻挡层，并继续刻蚀衬底直至正面的刻蚀阻挡层才停止，形成开口向下的深槽；在衬底的正面上方涂覆光刻胶作保护，留出后续需要被刻蚀牺牲层的区域；透过图形化的第二电极层刻蚀牺牲层，并去除深槽底部的刻蚀阻挡层。本发明简化了工艺步骤，保证顺利流片并实现良好的成品率。

公开(公告)号：CN103888886A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410095540.2

申请日：2014-03-14

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 颜毅林 ,  晁磊 ,  万建安 ,  戴竝盈 ,  徐元俊

IPC: H04R31/00

Abstract: 本发明提供一种低应力原位掺杂的多晶硅薄膜的制造方法，包括步骤：提供硅衬底；在硅衬底的正面和背面分别形成氧化层；在氧化层上分别淀积生长原位掺杂的多晶硅薄膜；对当前结构作退火以调节多晶硅薄膜的应力；在硅衬底正面的多晶硅薄膜上涂覆光刻胶保护，对硅衬底背面的多晶硅薄膜进行刻蚀，至露出氧化层时停止。本发明简化了工艺步骤，薄膜内部离子浓度分布的均匀性更好。