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公开(公告)号：CN103935953B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410172235.9
申请日：2014-04-25
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00158 , B81C1/00396 , B81C2201/0132 , B81C2201/0133 , B81C2201/019 , B81C2201/0198 , B81C2201/053
Abstract: 本发明提供一种复合腔体的形成方法，包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成氧化层；对氧化层作图形化，形成一个或多个凹槽，凹槽的位置与待形成的小腔体的位置对应；提供键合片，将其与图形化的氧化层键合，在硅衬底与键合片之间形成一个或多个密闭的微腔结构；在键合片的上方形成保护膜，并在硅衬底的背面形成掩蔽层；对掩蔽层作图形化，掩蔽层的图形与待形成的大腔体的位置对应；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至其正面的氧化层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和氧化层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片至其上方的保护膜，在键合片中形成一个或多个小腔体。本发明很好地控制了复合腔体中小腔体所在的半导体介质层的厚度均匀性。
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公开(公告)号：CN102610497A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210101997.0
申请日：2012-04-09
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种晶圆表面修复方法，包括：提供一表面具有缺陷的晶圆；向所述晶圆的缺陷区域填充表面修复材料；以及固化所述表面修复材料。本发明通过向晶圆的缺陷区域填充表面修复材料，并固化所述表面修复材料，从而修复晶圆，使得晶圆以及在晶圆上的器件包括键合器件在生产流程中失效以后，可以进行表面修复，表面修复后的晶圆可以重新进入生产流程，提高了良率水平，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN102431965A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110422079.3
申请日：2011-12-15
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种凸柱结构的制造方法，凸柱结构包括底部的第一柱状结构和位于其上的其他柱状结构，制造方法包括步骤：提供硅衬底；在硅衬底上形成氧化层掩模，其大小、位置与凸柱结构相对应；在硅衬底上旋涂光刻胶并作图形化；以图形化的光刻胶为掩模，干法刻蚀硅衬底，在硅衬底中形成环状的第一深槽，第一深槽内部围绕有第一柱状结构；去除光刻胶并作清洗，露出氧化层掩模；以氧化层掩模为掩模，干法刻蚀硅衬底，在硅衬底中形成第二深槽，同时在第一柱状结构上形成较之更细的第二柱状结构。本发明能够方便在较粗的柱状结构上形成较细的柱状结构，在深槽刻蚀中，较好地控制了深度、形貌、均匀性、选择比和速率。
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公开(公告)号：CN103922272A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410172285.7
申请日：2014-04-25
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
Inventor： 徐元俊
Abstract: 本发明提供一种纯二氧化硅侧壁的腔体结构、复合腔体及其形成方法，该腔体结构的形成方法包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成二氧化硅层；对二氧化硅层作图形化，形成凹槽；提供键合片，将其与二氧化硅层键合，在硅衬底与键合片之间形成密闭的侧壁为二氧化硅的腔体结构。该复合腔体的形成方法在先获得该腔体结构的基础上包括步骤：在硅衬底的背面形成掩蔽层并对其作图形化；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至正面的二氧化硅层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和二氧化硅层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片，在键合片及二氧化硅层中形成小腔体。本发明提高了形成复合腔体时从硅衬底的背面刻蚀形成小腔体后小腔体介质厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN103832967A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410085898.7
申请日：2014-03-10
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种MEMS传感器的加工方法，包括：提供硅衬底，在其正、背面分别依次形成刻蚀阻挡层、第一电极层；对衬底正面的第一电极层作图形化；在其上分别依次形成牺牲层、第二电极层；对衬底正面的第二电极层作图形化；透过图形化的第二电极层刻蚀牺牲层形成接触孔，并在接触孔底部和第二电极层上分别形成金属接触；从衬底的背面依次刻蚀第二电极层、牺牲层、第一电极层及刻蚀阻挡层，并继续刻蚀衬底直至正面的刻蚀阻挡层才停止，形成开口向下的深槽；在衬底的正面上方涂覆光刻胶作保护，留出后续需要被刻蚀牺牲层的区域；透过图形化的第二电极层刻蚀牺牲层，并去除深槽底部的刻蚀阻挡层。本发明简化了工艺步骤，保证顺利流片并实现良好的成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103449358A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310380237.2
申请日：2013-08-27
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种MEMS封闭腔体的制作方法，包括：在半导体衬底上形成牺牲氧化层，并进行刻蚀形成腔体的边界图形；沉积腔体停止层，然后进行刻蚀形成腔体刻蚀孔阵列；通过所述腔体刻蚀孔阵列刻蚀所述牺牲氧化层及半导体衬底形成腔体；填充所述腔体刻蚀孔阵列，形成封闭腔体。通过在形成有牺牲氧化层的半导体衬底上沉积腔体停止层，再通过在腔体停止层上形成腔体刻蚀孔阵列用以刻蚀牺牲氧化层与半导体衬底形成腔体，在一定程度上大幅缩小腔体所能达到的最小尺寸、以及缩小了顶层介质层所能达到的最小厚度，同时省去硅片键合工艺，避免了造成界面孔洞等问题，提高了器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN103832967B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201410085898.7
申请日：2014-03-10
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种MEMS传感器的加工方法，包括：提供硅衬底，在其正、背面分别依次形成刻蚀阻挡层、第一电极层；对衬底正面的第一电极层作图形化；在其上分别依次形成牺牲层、第二电极层；对衬底正面的第二电极层作图形化；透过图形化的第二电极层刻蚀牺牲层形成接触孔，并在接触孔底部和第二电极层上分别形成金属接触；从衬底的背面依次刻蚀第二电极层、牺牲层、第一电极层及刻蚀阻挡层，并继续刻蚀衬底直至正面的刻蚀阻挡层才停止，形成开口向下的深槽；在衬底的正面上方涂覆光刻胶作保护，留出后续需要被刻蚀牺牲层的区域；透过图形化的第二电极层刻蚀牺牲层，并去除深槽底部的刻蚀阻挡层。本发明简化了工艺步骤，保证顺利流片并实现良好的成品率。
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公开(公告)号：CN103943464A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410184978.8
申请日：2014-05-04
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
Inventor： 徐元俊
IPC: H01L21/02 , H01L23/544
CPC classification number: H01L21/02 , H01L23/544 , H01L2223/54426
Abstract: 本发明提供了一种对准标记的形成方法，包括步骤：提供已抛光处理的第一半导体衬底和第二半导体衬底；在所述第一半导体衬底上形成基准标记；将所述第二半导体衬底与所述第一半导体衬底键合；在所述第二半导体衬底的上形成开口，所述开口暴露出所述第一半导体衬底上的所述基准标记。通过在所述第二半导体衬底的上形成开口，使得所述第一半导体衬底上的基准标记暴露出来，节省了现有的对位过程中需要采用双面光刻，引入对准偏差及机械损伤，导致产品良率低的问题，提高了对位的精准度及产品良率。
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公开(公告)号：CN103922272B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410172285.7
申请日：2014-04-25
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
Inventor： 徐元俊
Abstract: 本发明提供一种纯二氧化硅侧壁的腔体结构、复合腔体及其形成方法，该腔体结构的形成方法包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成二氧化硅层；对二氧化硅层作图形化，形成凹槽；提供键合片，将其与二氧化硅层键合，在硅衬底与键合片之间形成密闭的侧壁为二氧化硅的腔体结构。该复合腔体的形成方法在先获得该腔体结构的基础上包括步骤：在硅衬底的背面形成掩蔽层并对其作图形化；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至正面的二氧化硅层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和二氧化硅层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片，在键合片及二氧化硅层中形成小腔体。本发明提高了形成复合腔体时从硅衬底的背面刻蚀形成小腔体后小腔体介质厚度的均匀性。
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公开(公告)号：CN104045055A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410272863.4
申请日：2014-06-18
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供了一种盖板的制作方法，包括：提供一基板，在所述基板的正面与背面形成阻挡层；同时对所述基板正面与背面的阻挡层进行同时双面曝光，形成多个窗口；通过所述窗口对所述基板进行刻蚀；通过同时对基板的正面与背面的阻挡层进行双面曝光，形成图形，避免需要对准基板的正面图形与背面图形，提高了刻蚀的对准精度，并且简化了制作流程，节省了成本，提高了盖板制作工艺的效率；同时，本发明所述的盖板的制作方法，工艺控制方便易行，在一定程度上提高了成品率。
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