公开(公告)号：CN103832967A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410085898.7

申请日：2014-03-10

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 颜毅林 ,  徐元俊 ,  戴竝盈 ,  孙钧 ,  刘伟

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种MEMS传感器的加工方法，包括：提供硅衬底，在其正、背面分别依次形成刻蚀阻挡层、第一电极层；对衬底正面的第一电极层作图形化；在其上分别依次形成牺牲层、第二电极层；对衬底正面的第二电极层作图形化；透过图形化的第二电极层刻蚀牺牲层形成接触孔，并在接触孔底部和第二电极层上分别形成金属接触；从衬底的背面依次刻蚀第二电极层、牺牲层、第一电极层及刻蚀阻挡层，并继续刻蚀衬底直至正面的刻蚀阻挡层才停止，形成开口向下的深槽；在衬底的正面上方涂覆光刻胶作保护，留出后续需要被刻蚀牺牲层的区域；透过图形化的第二电极层刻蚀牺牲层，并去除深槽底部的刻蚀阻挡层。本发明简化了工艺步骤，保证顺利流片并实现良好的成品率。

公开(公告)号：CN103832967B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201410085898.7

申请日：2014-03-10

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 颜毅林 ,  徐元俊 ,  戴竝盈 ,  孙钧 ,  刘伟

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供一种MEMS传感器的加工方法，包括：提供硅衬底，在其正、背面分别依次形成刻蚀阻挡层、第一电极层；对衬底正面的第一电极层作图形化；在其上分别依次形成牺牲层、第二电极层；对衬底正面的第二电极层作图形化；透过图形化的第二电极层刻蚀牺牲层形成接触孔，并在接触孔底部和第二电极层上分别形成金属接触；从衬底的背面依次刻蚀第二电极层、牺牲层、第一电极层及刻蚀阻挡层，并继续刻蚀衬底直至正面的刻蚀阻挡层才停止，形成开口向下的深槽；在衬底的正面上方涂覆光刻胶作保护，留出后续需要被刻蚀牺牲层的区域；透过图形化的第二电极层刻蚀牺牲层，并去除深槽底部的刻蚀阻挡层。本发明简化了工艺步骤，保证顺利流片并实现良好的成品率。