公开(公告)号：CN112397387A

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201910757776.0

申请日：2019-08-16

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 高东岳 ,  刘奇斌 ,  刘建华

IPC: H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明公开了一种快恢复二极管和其制造方法，该快恢复二极管包括PN结，PN结包括P区和N区，其中制造方法包括以下步骤：在半导体衬底上制作形成所述PN结；对P区中的目标区域进行氢离子辐照，并对目标区域中的氢离子进行激活，以在目标区域中形成复合中心。本发明通过在快恢复二极管的PN结的P区中进行氢离子辐照，引入复合中心，同时提高了快恢复二极管的软度。

公开(公告)号：CN111326401A

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201811541783.9

申请日：2018-12-17

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘奇斌 ,  陈倩

IPC: H01L21/02 ,  B08B3/08

Abstract: 本发明公开了一种功率半导体器件金属层的清洗方法。该方法包括下述步骤：将覆有金属层的功率半导体器件经第一清洗液、第二清洗液、第三清洗液、第四清洗液和第五清洗液顺序清洗，即可；第一清洗液为H2SO4和H2O2的混合溶液；第二清洗液为HF溶液；第三清洗液为H2O2溶液；第四清洗液为NH3·H2O和H2O2的混合溶液；第五清洗液为HCl和H2O2的混合溶液。本发明的清洗方法能够有效解决功率半导体器件金属工艺过程中的外观异常现象，且清洗方法简单易行，并不增加制造成本，适宜工业化大生产。

公开(公告)号：CN111987139A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201910423350.1

申请日：2019-05-21

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 郎金荣 ,  刘奇斌 ,  程小强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法。其中，所述碳化硅肖特基二极管的制备方法包括：制作SiC外延片，所述SiC外延片包括SiC衬底层，SiC衬底层上表面设有SiC外延层；在所述SiC外延层的内部形成P型浮空环；在所述SiC外延层的内部上表面形成P型保护环；在所述SiC外延层的上表面形成肖特基接触区；在所述肖特基接触区设置阳极电极；在所述SiC衬底层的下表面形成欧姆接触区；在所述欧姆接触区设置阴极电极。本发明采用浮空的P型环形成PN结，来屏蔽电场，达到提高反向击穿电压、减小反向漏电流的目的。

公开(公告)号：CN111312813A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201811513136.7

申请日：2018-12-11

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘奇斌 ,  陈倩

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明公开了一种功率器件及其制备方法、应用。该功率器件依次包括相互叠置的一第一氧化层、一氮化硅层、一第二氧化层、一硅片层和一第三氧化层；第一氧化层的厚度为3～5μm；氮化硅层的厚度为0.05～0.2μm；第二氧化层的厚度为0.5～2μm；硅片层的厚度为320～500μm；第三氧化层的厚度为3～5μm。本发明的功率器件动态性能优异，且能够有效降低薄硅片在淀积钝化层工艺中的翘曲度，工艺方便易行，适宜工业化大生产。

公开(公告)号：CN104045055A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410272863.4

申请日：2014-06-18

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘奇斌 ,  徐元俊 ,  颜毅林

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明提供了一种盖板的制作方法，包括：提供一基板，在所述基板的正面与背面形成阻挡层；同时对所述基板正面与背面的阻挡层进行同时双面曝光，形成多个窗口；通过所述窗口对所述基板进行刻蚀；通过同时对基板的正面与背面的阻挡层进行双面曝光，形成图形，避免需要对准基板的正面图形与背面图形，提高了刻蚀的对准精度，并且简化了制作流程，节省了成本，提高了盖板制作工艺的效率；同时，本发明所述的盖板的制作方法，工艺控制方便易行，在一定程度上提高了成品率。

公开(公告)号：CN209029385U

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201822080082.1

申请日：2018-12-11

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 刘奇斌 ,  陈倩

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本实用新型提供了一种功率器件。该功率器件依次包括相互叠置的一第一氧化层、一氮化硅层、一第二氧化层、一硅片层和一第三氧化层；第一氧化层的厚度为3～5μm；氮化硅层的厚度为0.05～0.2μm；第二氧化层的厚度为0.5～2μm；硅片层的厚度为320～500μm；第三氧化层的厚度为3～5μm。本实用新型的功率器件动态性能优异，翘曲度低，后续光刻工艺可顺利进行。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利