发明公开
- 专利标题： 快恢复二极管和其制造方法
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申请号： CN201910757776.0申请日： 2019-08-16
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公开(公告)号： CN112397387A公开(公告)日： 2021-02-23
- 发明人: 高东岳 , 刘奇斌 , 刘建华
- 申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司
- 申请人地址： 上海市徐汇区虹漕路385号
- 专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
- 当前专利权人： 上海先进半导体制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市徐汇区虹漕路385号
- 代理机构： 上海弼兴律师事务所
- 代理商 薛琦; 张冉
- 主分类号： H01L21/329
- IPC分类号： H01L21/329 ; H01L21/265 ; H01L29/861
摘要：
本发明公开了一种快恢复二极管和其制造方法，该快恢复二极管包括PN结，PN结包括P区和N区，其中制造方法包括以下步骤：在半导体衬底上制作形成所述PN结；对P区中的目标区域进行氢离子辐照，并对目标区域中的氢离子进行激活，以在目标区域中形成复合中心。本发明通过在快恢复二极管的PN结的P区中进行氢离子辐照，引入复合中心，同时提高了快恢复二极管的软度。
IPC分类:
