公开(公告)号：CN111987139A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201910423350.1

申请日：2019-05-21

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 郎金荣 ,  刘奇斌 ,  程小强

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法。其中，所述碳化硅肖特基二极管的制备方法包括：制作SiC外延片，所述SiC外延片包括SiC衬底层，SiC衬底层上表面设有SiC外延层；在所述SiC外延层的内部形成P型浮空环；在所述SiC外延层的内部上表面形成P型保护环；在所述SiC外延层的上表面形成肖特基接触区；在所述肖特基接触区设置阳极电极；在所述SiC衬底层的下表面形成欧姆接触区；在所述欧姆接触区设置阴极电极。本发明采用浮空的P型环形成PN结，来屏蔽电场，达到提高反向击穿电压、减小反向漏电流的目的。

公开(公告)号：CN110867375A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201810987737.5

申请日：2018-08-28

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 林威 ,  程小强 ,  郎金荣

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40

Abstract: 本发明公开了一种LDMOS器件及其制作方法，所述制作方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成P-型阱区和漂移区；在所述P-型阱区中形成源极，所述源极包括P型区域接触和N型区域接触；在所述漂移区中形成漏极和隔离结构，所述隔离结构的宽度小于第一阈值；在所述P-型阱区和所述漂移区的上方形成闸极；所述闸极中靠近所述漂移区的一侧以及所述漂移区的上方形成合金阻挡区；所述合金阻挡区的上方形成接触孔场板；所述接触孔场板的上方形成金属场板。通过本发明的制作方法，在不增加任何光刻层级的前提下，在传统LDMOS器件的结构上增加大尺寸的接触孔作为场板以维持击穿电压，同时缩小隔离结构的尺寸以获得最低的导通电阻。