公开(公告)号：CN104076609A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201410328218.X

申请日：2014-07-11

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 顾金辉 ,  万建安

IPC: G03F7/16

Abstract: 本发明提供一种光刻胶的涂胶工艺，光刻胶涂布于一晶圆的表面上，晶圆置于一离心机的一真空台盘上，晶圆的上方具有一喷嘴组件，喷嘴组件包括一溶剂喷嘴和一光刻胶喷嘴，涂胶工艺包括步骤：A.溶剂喷嘴移动至晶圆的中心位置上方，吐出光刻胶的溶剂至晶圆上，用于增加后续光刻胶与晶圆之间的粘附性；B.真空台盘带动晶圆作第一次高速旋转，使溶剂喷嘴吐出的溶剂均匀覆盖在晶圆的整个表面上，并且光刻胶喷嘴移动至晶圆的中心位置上方；C.光刻胶喷嘴吐出光刻胶至晶圆上；D.真空台盘带动晶圆作第二次高速旋转，使光刻胶喷嘴吐出的光刻胶均匀覆盖在晶圆的整个表面上。本发明能够降低光刻胶的使用量，改善光刻胶在晶圆上涂布的均匀性。

公开(公告)号：CN103888886A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410095540.2

申请日：2014-03-14

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 颜毅林 ,  晁磊 ,  万建安 ,  戴竝盈 ,  徐元俊

IPC: H04R31/00

Abstract: 本发明提供一种低应力原位掺杂的多晶硅薄膜的制造方法，包括步骤：提供硅衬底；在硅衬底的正面和背面分别形成氧化层；在氧化层上分别淀积生长原位掺杂的多晶硅薄膜；对当前结构作退火以调节多晶硅薄膜的应力；在硅衬底正面的多晶硅薄膜上涂覆光刻胶保护，对硅衬底背面的多晶硅薄膜进行刻蚀，至露出氧化层时停止。本发明简化了工艺步骤，薄膜内部离子浓度分布的均匀性更好。