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公开(公告)号：CN104391478A
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201410478032.2
申请日：2014-09-18
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
IPC: G05B19/406 , H01L21/67
CPC classification number: G05B19/406 , H01L21/67265
Abstract: 本发明提供一种水平扩散炉的进舟系统及其马达电流的监控装置，监控装置包括监控电路和报警电路；监控电路连接到第一插座的第一至第六针脚，报警电路串联于第一插座的第七和第八针脚间。其中，监控电路包括：二极管，正极与第一针脚连接；第一电阻，一端与二极管负极连接，另一端接地；第二电阻，一端与二极管负极连接；第一电容，一端与第二电阻另一端连接，另一端接地；第三和第四电阻，串联后接于电源和地间；比较器，正输入端接于第三和第四电阻间，负输入端与第二电阻另一端连接；RS触发器，R端与比较器输出端连接，S端经第五电容与地连接；驱动用反相器，I1引脚与RS触发器输出端连接；报警输出继电器，接于驱动用反相器O1引脚和电源间。
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公开(公告)号：CN104195529B
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201410509492.7
申请日：2014-09-28
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
IPC: G06F11/32
Abstract: 本发明提供一种LPCVD炉管及其主阀联锁装置电路，该电路输入端接到真空检测仪，输出端对应到炉管的工艺终止部件；该电路采用双电源输入；该电路包括：第一电阻，一端接收真空检测信号；第二电阻和电位器，串联后接于正电源端和地端间，从中提供炉管预真空的设定数值对应的比较器的动作电压；比较器，正输入端接于第二电阻和电位器间，负输入端与第一电阻另一端连接；比较器还分别与正、负电源端连接；第三电阻，一端与比较器输出端连接；三极管，基极与第三电阻另一端连接，发射极接地；继电器，一端与三极管集电极连接，另一端与正电源端连接；第四电阻，一端与三极管集电极连接；状态显示元件，一端与第四电阻另一端连接，另一端与正电源端连接。
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公开(公告)号：CN104049652B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410287391.X
申请日：2014-06-24
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
IPC: G05D23/22
Abstract: 本发明提出了一种管路温度控制装置，在排气管路上添加加热单元，由温控单元控制加热单元给排气管路加热，使其保持在预定温度，测温单元检测排气管路的温度，并将检测结果反馈至温控单元，避免排气管路温度出现较大波动，通过对排气管路的加热，避免堆积在排气管路内的副产物吸附水汽，并将水汽带至硅片表面，形成气泡缺陷，从而提高硅片的合格率。此外，保护单元用于保护整个装置，当出现漏电、温控单元失控、测温单元脱落及电源断电等异常情况时，保护整个装置，停止加热或者使反应腔室停止进行下一轮反应，提高整个装置的运行可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104195529A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410509492.7
申请日：2014-09-28
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
IPC: C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种LPCVD炉管及其主阀联锁装置电路，该电路输入端接到真空检测仪，输出端对应到炉管的工艺终止部件；该电路采用双电源输入；该电路包括：第一电阻，一端接收真空检测信号；第二电阻和电位器，串联后接于正电源端和地端间，从中提供炉管预真空的设定数值对应的比较器的动作电压；比较器，正输入端接于第二电阻和电位器间，负输入端与第一电阻另一端连接；比较器还分别与正、负电源端连接；第三电阻，一端与比较器输出端连接；三极管，基极与第三电阻另一端连接，发射极接地；继电器，一端与三极管集电极连接，另一端与正电源端连接；第四电阻，一端与三极管集电极连接；状态显示元件，一端与第四电阻另一端连接，另一端与正电源端连接。
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公开(公告)号：CN104391478B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201410478032.2
申请日：2014-09-18
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
IPC: G05B19/406 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种水平扩散炉的进舟系统及其马达电流的监控装置，监控装置包括监控电路和报警电路；监控电路连接到第一插座的第一至第六针脚，报警电路串联于第一插座的第七和第八针脚间。其中，监控电路包括：二极管，正极与第一针脚连接；第一电阻，一端与二极管负极连接，另一端接地；第二电阻，一端与二极管负极连接；第一电容，一端与第二电阻另一端连接，另一端接地；第三和第四电阻，串联后接于电源和地间；比较器，正输入端接于第三和第四电阻间，负输入端与第二电阻另一端连接；RS触发器，R端与比较器输出端连接，S端经第五电容与地连接；驱动用反相器，I1引脚与RS触发器输出端连接；报警输出继电器，接于驱动用反相器O1引脚和电源间。
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公开(公告)号：CN104049652A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410287391.X
申请日：2014-06-24
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
IPC: G05D23/22
Abstract: 本发明提出了一种管路温度控制装置，在排气管路上添加加热单元，由温控单元控制加热单元给排气管路加热，使其保持在预定温度，测温单元检测排气管路的温度，并将检测结果反馈至温控单元，避免排气管路温度出现较大波动，通过对排气管路的加热，避免堆积在排气管路内的副产物吸附水汽，并将水汽带至硅片表面，形成气泡缺陷，从而提高硅片的合格率。此外，保护单元用于保护整个装置，当出现漏电、温控单元失控、测温单元脱落及电源断电等异常情况时，保护整个装置，停止加热或者使反应腔室停止进行下一轮反应，提高整个装置的运行可靠性。
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公开(公告)号：CN111763927A
公开(公告)日：2020-10-13
申请号：CN201910257884.1
申请日：2019-04-01
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
IPC: C23C16/52
Abstract: 本发明公开了一种LPCVD炉管法兰温控装置及LPCVD炉设备。LPCVD炉管法兰温控装置包括温度传感器、温度控制器、第一继电器、固态继电器、电磁阀和冷却流体管路，温度传感器用于检测法兰的温度，温度控制器的输入端连接温度传感器，以获取温度传感数据，温度控制器的输出端经由第一继电器的第一触头连接至固态继电器的输入端，其中第一触头为常开触头，固态继电器的输出端连接至布置于冷却流体管路中的电磁阀，电磁阀为常开电磁阀；其中，温度控制器配置为，根据温度传感数据控制固态继电器的闭合和断开。本发明能够通过控制冷却流体通过炉管的法兰，精确控制法兰温度，减少硅片生产中产生的颗粒物数量，又不损坏法兰密封圈。
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公开(公告)号：CN111308981A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201811510623.8
申请日：2018-12-11
Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司
IPC: G05B23/02
Abstract: 本发明公开了一种源瓶控制器监控系统。本发明的源瓶控制器监控系统包括源瓶控制器、扩散炉及电连接线，源瓶控制器包括温度模拟量输出端口，扩散炉包括气体接口板，气体接口板具有流量计输出端口，电连接线的两端分别接入温度模拟量输出端口及流量计输出端口；扩散炉还包括控制器和显示器，控制器连接至流量计输出端口，控制器配置为，接收自温度模拟量输出端口输出并经流量计输出端口传输的电压信号，并将电压信号转换为温度读数，由显示器显示温度读数。本发明的源瓶控制器监控系统，能够利用扩散炉设备的显示器直接监视源瓶控制器的监测温度，并且及时发现故障及断电的发生，从而有助于减少源瓶控制器异常导致的扔片，提高设备的可靠性。
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