公开(公告)号：CN118712219A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410739951.4

申请日：2024-06-07

申请人： 北京怀柔实验室

发明人： 刘辉 ,  吴沛飞 ,  魏晓光 ,  李玲 ,  刘瑞 ,  焦倩倩 ,  孙宁飞 ,  黄志涛 ,  姬世宇 ,  王凝一

IPC分类号： H01L29/745 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/332 ,  H01L29/06

摘要： 一种功率半导体器件及其制备方法。所述功率半导体器件包括半导体层、合金层、门极金属层和门极引出端，所述合金层、门极金属层、门极引出端均设置于所述半导体层的阴极面上，所述合金层设置于所述半导体层与所述门极金属层之间，所述合金层的厚度呈梯度分布。本发明通过在门极金属层与半导体层之间设置合金层，并对合金层的厚度进行设计，可以实现金属‑半导体接触电阻的优化分布，改善器件的开关特性和均流效果，从而提高芯片的开关安全性、控制灵活性和长期可靠性。

公开(公告)号：CN118712061A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410702128.6

申请日：2024-06-01

申请人： 江苏韦达半导体有限公司

发明人： 张兴杰 ,  程万坡 ,  王荣元 ,  钦彪

IPC分类号： H01L21/332 ,  H01L29/74

摘要： 本发明公开了一种灵敏型单向可控硅芯片及其制作工艺，属于硅芯片制作工艺技术领域，可控硅门极增加一个串联结构的三极管，形成了一个复合的可控硅，门级电流经过三极管的基区流入，经过三极管放大，电流从三极管E极流入强触发单向可控硅的基区，从而开启可控硅。该产品的温度特性好、耐压高、抗干扰能力强，有效地结合了门极灵敏性单向可控硅和强触发单向可控硅的优点，解决了两类产品应用时存在的短板，使产品的应用范围更加宽广，产品综合性能更加优越。

公开(公告)号：CN118610230A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410740011.7

申请日：2024-06-07

申请人： 北京怀柔实验室

发明人： 吴沛飞 ,  魏晓光 ,  李玲 ,  刘瑞 ,  张语 ,  王耀华 ,  唐新灵 ,  焦倩倩 ,  李立 ,  姬世宇 ,  黄志涛

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/74 ,  H01L21/332

摘要： 一种功率半导体芯片的终端结构、制造方法及功率器件，属于半导体器件技术领域。所述终端结构位于功率半导体芯片的边缘部分，与芯片有源区相接；所述终端结构表面具有一斜面结构，使得所述终端结构部分与所述芯片的第一主面形成一负角；在终端的斜面结构部分形成有截止环，所述截止环形成于第一半导体基区内部靠近终端边缘的一侧，并纵向延伸接触所述第一导电类型半导体区。本发明采用增加截止环将斜角终端需穿通的平面型PN结延伸至纵向结构，使得斜角终端结构的制备工艺无需严格考虑结深，增大了工艺窗口，提升了工艺良率，增强了器件的阻断电场的性能和耐压能力。

公开(公告)号：CN112133744B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202011135859.5

申请日：2020-10-22

申请人： 捷捷半导体有限公司

发明人： 朱明 ,  张超 ,  欧阳潇

IPC分类号： H01L29/747 ,  H01L29/06 ,  H01L21/332

摘要： 本申请提出一种半导体放电管及其制作方法，涉及半导体功率器件技术领域。该半导体放电管包括N型衬底、第一P型短基区、第二P型短基区、第一P型重掺杂区、第二P型重掺杂区、第三P型重掺杂区、第四P型重掺杂区、第一N型发射区、第二N型发射区、第一电极、第二电极以及绝缘层，本申请提供的半导体放电管及其制作方法具有电压离散性较小，使用寿命更长，残压更低的优点。

公开(公告)号：CN118538765A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410814788.3

申请日：2024-06-21

申请人： 北京怀柔实验室

发明人： 王耀华 ,  魏晓光 ,  高明超 ,  李立 ,  李玲 ,  刘瑞 ,  唐新灵 ,  吴沛飞

IPC分类号： H01L29/745 ,  H01L21/332

摘要： 本公开涉及一种功率半导体器件及其制造方法。所述功率半导体器件包括：有源区、门极接触环区和终端区。所述功率半导体器件还包括复合阳极区。复合阳极区包括：位于有源区且沿竖直方向自下而上分布的第一阳极区和第二阳极区，以及位于门极接触环区和终端区的第二阳极区。其中，第二阳极区的掺杂浓度小于第一阳极区的掺杂浓度。第一阳极区包括非连续分布的多个子阳极区，且子阳极区的掺杂区面积随其至门极接触环区的距离增大而减小。本公开能够有效降低漏电流，降低关断损耗，提高关断的均匀性，提高器件关断能力。

公开(公告)号：CN118522751A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410594927.6

申请日：2024-05-14

申请人： 北京怀柔实验室

发明人： 高明超 ,  王耀华 ,  魏晓光 ,  李立 ,  石浩 ,  李玲 ,  刘瑞 ,  吴沛飞 ,  焦倩倩

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/417 ,  H01L29/74 ,  H01L21/332 ,  H02M1/36

摘要： 本发明涉及一种功率半导体器件及其制作方法，功率半导体器件包括至少一个门极换流晶闸管单元，门极换流晶闸管单元包括第一导电类型基区，第一导电类型基区包括掺杂浓度不同的第一子基区、第二子基区和第三子基区，第一子基区和第二子基区独立设置、通过第三子基区隔开；门极换流晶闸管单元还包括第二导电类型发射区、阴极电极和门极电极，第二导电类型发射区设置在第一子基区上，第一子基区覆盖第二导电类型发射区的侧面和底面，阴极电极设置在第二导电类型发射区上，门极电极设置在第二子基区上，提高了门极换流晶闸管单元的关断电流，提高了换流时门极换流晶闸管单元抗触发的能力。

公开(公告)号：CN118522731A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202410997338.2

申请日：2024-07-24

申请人： 江苏吉莱微电子股份有限公司 ,  成都吉莱芯科技有限公司

发明人： 宋文龙 ,  张鹏 ,  杨珏林 ,  张春生 ,  陈城 ,  刘湘

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/74 ,  H01L21/332

摘要： 本发明公开一种低压低容SCR结构保护器件及其制作方法，器件包括N‑单晶片、形成在所述N‑单晶片表面的P‑区、第一N+区、第二N+区、第三N+区、第一P+区、第二P+区、第三P+区、第四P+区、设置于所述N‑单晶片上方的介质层以及设置于所述介质层上方的第一金属层和第二金属层，所述第三N+区位于所述第四P+区下方，所述第一N+区一侧形成第一槽，所述第一N+区和所述第一P+区之间形成第二槽，所述第一P+区和所述第四P+区之间形成第三槽，所述第四P+区和所述P‑区之间形成第四槽，所述P‑区一侧形成第五槽。本发明提供了一种低压低容SCR结构保护器件，可以在芯片面积不变的条件下，通过合理的结构和工艺设计，获得更低的击穿电压、更低的电容以及更高的ESD抗干扰能力。

公开(公告)号：CN118507519A

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202410814112.4

申请日：2024-06-21

申请人： 北京怀柔实验室

发明人： 李玲 ,  魏晓光 ,  刘瑞 ,  王耀华 ,  李立 ,  吴沛飞 ,  焦倩倩 ,  唐新灵 ,  张语

IPC分类号： H01L29/745 ,  H01L21/332

摘要： 本公开涉及一种门极换流晶闸管及其制备方法、电子设备，门极换流晶闸管的至少一个功能单元包括叠层结构、位于叠层结构第一侧且沿第一方向依次分布的第一门极、阴极、第二门极，以及位于叠层结构的第二侧的阳极；第一侧、第二侧为叠层结构沿第二方向相互背离的两侧；叠层结构包括沿第二方向依次层叠的第一外延层、第二外延层及第三外延层；第三外延层内包括位于第一门极、第二门极之间，且与阴极电连接的发射区；第二外延层包括宽禁带半导体材料且具有目标晶格，第一外延层、第三外延层的导电类型相同；第二外延层、发射区的导电类型相同，且与第一外延层的导电类型相反，至少能够在没有降低芯片耐压幅值的情况下，减小芯片的厚度与体积。

公开(公告)号：CN118213385A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202211616875.5

申请日：2022-12-15

申请人： 力特半导体(无锡)有限公司

发明人： 周继峰 ,  张环 ,  何磊

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/747 ,  H01L21/332

摘要： 公开了一种具有高换向能力的TRIAC器件，特别是公开了一种半导体器件装置、结构及其相关方法。该装置包括第一硅层、第二硅层和第三硅层，第一硅层被耦合到第二硅层，并且第二硅层被耦合到第三硅层。该装置包括形成在第一硅层和第二硅层的至少一部分中的沟槽、形成在至少第二硅层中的隔离区，其中隔离区从沟槽延伸到第三硅层。该装置还包括耦合到第一硅层的第一部分的第一主端子一和第一栅极端子、耦合到第一硅层的第二部分的第二主端子一与第二栅极端子、耦合到第三硅层的主端子二，以及第一硅层和第三硅层中的一个或多个硅区。

公开(公告)号：CN109686786B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201811615517.6

申请日：2018-12-27

申请人： 清华大学

发明人： 曾嵘 ,  刘佳鹏 ,  周文鹏 ,  赵彪 ,  余占清 ,  陈政宇

IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L29/74 ,  H01L21/332

摘要： 本发明提供了一种集成门极换流晶闸管，依次包括p基区、n基区、n+缓冲层、p+发射极，还包括设于p+发射极的阳极、设于p基区上的门极、设于p基区上的n+发射极梳条和设于n+发射极梳条上的阴极，该集成门极换流晶闸管在芯片层面具有区域隔离的阴极结构，进一步具有与之配套的封装和门极驱动电路，抑制安全工作区域边界附近不同阴极区域间的电流汇聚效应，拓展器件的安全工作区域。本发明还提供一种集成门极换流晶闸管的制备方法。