公开(公告)号：CN118707295A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410832627.7

申请日：2024-06-26

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 魏晓光 ,  黄志涛 ,  刘瑞 ,  李玲 ,  王耀华 ,  唐新灵 ,  吴沛飞 ,  焦倩倩

IPC: G01R31/28

Abstract: 本发明涉及用于测试芯片的电学测试模块、测试装置和测试方法。所述电学测试模块所述电学测试模块包括沿竖直方向由下至上依次叠置的触点阵列层、地线层、至少两个信号线层、信号电源层、驱动电源和贴片元件层；电学测试模块提供如下的电路：触点仅在所述至少两个信号线层中同时有信号发出的情况下开通，以便测量触点与门极探针之间的电压。本发明采用电学扫描取代机械位移扫描的方式完成对芯片上多达上万个梳条的门阴极耐压测试，并且能筛选定位失效阴极梳条，从而提高测试效率、简化结构、降低成本。

公开(公告)号：CN118712219A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202410739951.4

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 刘辉 ,  吴沛飞 ,  魏晓光 ,  李玲 ,  刘瑞 ,  焦倩倩 ,  孙宁飞 ,  黄志涛 ,  姬世宇 ,  王凝一

IPC: H01L29/745 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L21/332 ,  H01L29/06

Abstract: 一种功率半导体器件及其制备方法。所述功率半导体器件包括半导体层、合金层、门极金属层和门极引出端，所述合金层、门极金属层、门极引出端均设置于所述半导体层的阴极面上，所述合金层设置于所述半导体层与所述门极金属层之间，所述合金层的厚度呈梯度分布。本发明通过在门极金属层与半导体层之间设置合金层，并对合金层的厚度进行设计，可以实现金属‑半导体接触电阻的优化分布，改善器件的开关特性和均流效果，从而提高芯片的开关安全性、控制灵活性和长期可靠性。

公开(公告)号：CN118610230A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410740011.7

申请日：2024-06-07

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 吴沛飞 ,  魏晓光 ,  李玲 ,  刘瑞 ,  张语 ,  王耀华 ,  唐新灵 ,  焦倩倩 ,  李立 ,  姬世宇 ,  黄志涛

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/74 ,  H01L21/332

Abstract: 一种功率半导体芯片的终端结构、制造方法及功率器件，属于半导体器件技术领域。所述终端结构位于功率半导体芯片的边缘部分，与芯片有源区相接；所述终端结构表面具有一斜面结构，使得所述终端结构部分与所述芯片的第一主面形成一负角；在终端的斜面结构部分形成有截止环，所述截止环形成于第一半导体基区内部靠近终端边缘的一侧，并纵向延伸接触所述第一导电类型半导体区。本发明采用增加截止环将斜角终端需穿通的平面型PN结延伸至纵向结构，使得斜角终端结构的制备工艺无需严格考虑结深，增大了工艺窗口，提升了工艺良率，增强了器件的阻断电场的性能和耐压能力。

公开(公告)号：CN222887854U

公开(公告)日：2025-05-20

申请号：CN202520597678.6

申请日：2025-04-01

Applicant: 北京怀柔实验室

Inventor： 刘瑞 ,  魏晓光 ,  黄志涛 ,  李玲 ,  王耀华 ,  唐新灵 ,  焦倩倩 ,  高雅琦 ,  吴沛飞

IPC: H01L21/673

Abstract: 一种用于装载晶圆的晶舟，属于半导体制造领域。晶舟（100）包括支撑件（1）和杆状的多个支杆套（2），支杆套（2）彼此平行地且可拆卸地安装在支撑件（1）上，支杆套（2）在支杆套（2）的延伸方向上面向待装载的晶圆一侧设有彼此平行的多个晶圆插槽（21），支杆套（2）设置为彼此共圆地在一圆周方向上排列。通过装载晶圆的晶舟，实现一个晶舟适用于多种厚度晶圆的目的。